制圖外延法自組裝有序納米微結(jié)構(gòu)的研究.pdf

1、納米結(jié)構(gòu)的構(gòu)造在整個(gè)納米科技中有著重要的意義，可以說，納米技術(shù)的成功主要依賴于在納米尺度范圍內(nèi)合理地排列功能性材料。傳統(tǒng)的自上而下的光刻及微壓印技術(shù)由于加工原理的局限性，已被普遍認(rèn)為接近其極限。自下而上的自組裝方法可以通過自組裝體系制備出宏周期性納米微結(jié)構(gòu)，由于方法簡(jiǎn)單和低成本，受到了很大的重視。
　　本文中所研究的制圖外延法自組裝有序納米微結(jié)構(gòu)是一種嵌段共聚物自組裝方法。該方法基于制圖外延法的原理，通過引入帶有幾何形貌的基底來限

2、制嵌段共聚物納米結(jié)構(gòu)微區(qū)的取向，在宏觀尺寸范圍的基片上制備嵌段共聚物薄膜。為此，我們采用光刻技術(shù)和原子力顯微鏡（AFM）探針刻蝕技術(shù)來制備基底，以嵌段共聚物SEBS澆鑄膜為研究對(duì)象，利用AFM對(duì)其進(jìn)行形態(tài)表征；將制圖外延法和溶劑揮發(fā)速度、溶劑退火等外場(chǎng)結(jié)合起來，對(duì)嵌段共聚物薄膜進(jìn)行調(diào)控，系統(tǒng)跟蹤研究了幾何圖案基底內(nèi)部和平臺(tái)區(qū)域自組裝納米微結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變過程，并對(duì)兩區(qū)域的轉(zhuǎn)變過程進(jìn)行對(duì)比分析；在溶劑退火條件下，我們還通過控制澆鑄膜的厚度，得到