（Ba，Sr）TiO-,3-基無(wú)鉛介質(zhì)瓷的制備與性能研究.pdf

1、以碳酸鋇、碳酸鍶和二氧化鈦為原料，在1080℃首先合成了Ba<,l-x>Sr<,x>TiO<,3>粉體，然后加入氧化釔、氧化鎂和二氧化錳等摻雜劑，制備了Ba<,l-x>Sr<,x>TiO<,3>基陶瓷，燒成溫度為1260℃～1320℃，保溫 2 小時(shí)。本文主要研究了氧化釔和氧化鎂的摻雜量以及工藝條件對(duì)Ba<,l-x>Sr<,x>TiO<,3>基陶瓷性能的影響。。 采用 XRD 測(cè)試了試樣的晶格結(jié)構(gòu)，并用 SEM 觀(guān)察了試樣的微觀(guān)

2、形貌。室溫條件下，利用 YY2811 型 Automatic LCR Meter4425在 1KHz 下對(duì)試樣介電性能進(jìn)行了測(cè)試。對(duì)試樣的體積密度、電阻率等性能也進(jìn)行了測(cè)試。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，(一)，隨鍶離子摩爾含量的增加，試樣的介電常數(shù)、損耗和介電溫度變化率均減小，擊穿場(chǎng)強(qiáng)增加。(二)，隨著Y<'3+>離子的摻雜量的增加，試樣的晶格常數(shù)先減小后增大，晶格畸變隨釔離子的摻雜量的增加也表現(xiàn)出了同樣的規(guī)律，當(dāng)釔離子的摻雜量超過(guò)0.6m

3、ol﹪時(shí)，試樣晶格畸變達(dá)到最小值。室溫條件下，隨釔離子的摻雜量的增加，試樣的介電常數(shù)先增大然后減小，并且當(dāng)釔離子的摻雜量超過(guò)1.0mol﹪時(shí)，減小幅度更大：與此同時(shí)，試樣的介電損耗剛開(kāi)始急劇減小，然后經(jīng)歷一個(gè)緩慢減小的過(guò)程之后才略有上升，試樣介電損耗隨釔離子的摻雜量的變化最低可降至0.0015；試樣的居里溫度隨著釔離子的摻雜量的增加呈下降趨勢(shì)；試樣的擊穿場(chǎng)強(qiáng)隨著釔離子的摻雜量的增加先上升，然后有一定的波動(dòng)，隨后呈下降趨勢(shì)。(三)，隨 M

4、gO 的摻雜量變大，介電系數(shù)溫度變化率有變小的趨勢(shì)，在 MgO 的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為 2.20﹪時(shí)得到最小值 46.50﹪；MgO具有明顯的壓峰效應(yīng)；MgO 的摻雜能有效地抑制晶粒的生長(zhǎng)。(四)，先期加入MgO 對(duì) Ba<,l-x>Sr<,x>Tio<,3>基陶瓷介電性能的效果影響明顯。介電常數(shù)提高到 5860；損耗明顯增大一個(gè)數(shù)量級(jí)，最高到達(dá)123×10<'-4>；介電系數(shù)變化率最小可達(dá)40.00﹪。(五)，工藝條件，主要是成型壓力、燒結(jié)溫