電化學(xué)方法在金屬鈦表面沉積摻鎂-摻鍶羥基磷灰石涂層.pdf

1、本文對(duì)使用電化學(xué)方法在金屬純鈦表沉積摻鎂/摻鍶羥基磷灰石涂層進(jìn)行了系統(tǒng)的研究,通過(guò)控制實(shí)驗(yàn)參數(shù),成功的在鈦表面上制備出摻鎂/摻鍶含量不同的羥基磷灰石涂層。實(shí)驗(yàn)所使用的電解液中(Ca+Mg)/P或者(Ca+Sr)/P的摩爾比為1.67,使用電化學(xué)分析儀(CHI1140A)提供3V電壓,在85℃的恒溫水浴槽中電解沉積50min。實(shí)驗(yàn)主要通過(guò)控制電解液中的Mg/(Ca+Mg)或者Sr/(Ca+Sr)的摩爾比來(lái)調(diào)整實(shí)驗(yàn)參數(shù)。采用x射線衍射法(X

2、RD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、紅外光譜(FT-IR)、分析電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP-AES)、MTT實(shí)驗(yàn)等分析測(cè)試方法,對(duì)所得摻鎂/摻鍶涂層的晶體結(jié)構(gòu)、微觀形貌、成分以及生物相容性能等進(jìn)行了表征。
　　 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,電化學(xué)方法是制備摻鎂羥基磷灰石涂層的一種可行途徑,通過(guò)電化學(xué)方法可制備出摻鎂量達(dá)2.02 wt.％的Mg-Hap涂層。隨著Mg2+摻雜量的增加,所得涂層的晶粒尺寸逐漸減小。Mg2+在整個(gè)電化學(xué)沉積過(guò)

3、程中的主要作用是抑制Hap晶體(001)面的生長(zhǎng),從而引起晶粒的細(xì)化以及結(jié)晶度的下降。MTT實(shí)驗(yàn)的結(jié)果表明Mg2+不具有明顯的細(xì)胞毒性。
　　 電化學(xué)方法也是制備摻鍶羥基磷灰石涂層的一種可行方法,通過(guò)電化學(xué)方法可制備出Sr元素在0-100 mol％范圍內(nèi)替代Hap晶格中Ca元素的涂層。由于Ca元素和Sr元素的性質(zhì)具有極大的相似性,Sr2+在整個(gè)電化學(xué)沉積過(guò)程中不會(huì)對(duì)晶體的生長(zhǎng)過(guò)程產(chǎn)生抑制作用。MTT實(shí)驗(yàn)的研究結(jié)果表明,各實(shí)驗(yàn)組的