電針改善VD模型大鼠學(xué)習(xí)記憶能力及對(duì)SCN clock,Bmal1,海馬CA1 ERK基因表達(dá)的影響.pdf

1、目的：
　　此研究以運(yùn)用電針作為治療手段，從大鼠學(xué)習(xí)記憶能力改善的行為學(xué)變化，進(jìn)一步到以生物鐘基因?qū)RK的調(diào)控作用作為切入點(diǎn)，分析電針對(duì)VD大鼠的治療作用，電針治療VD的可能的機(jī)制，為電針治療VD的臨床應(yīng)用提供更為充分和可靠的科學(xué)依據(jù)。
　　方法：
　　1.采用Morris水迷宮測(cè)試作為研究手段，研究運(yùn)用電針刺激2-VO法制作慢性腦缺血所致的VD模型大鼠的百會(huì)穴以及神門穴對(duì)其學(xué)習(xí)記憶能力的影響，及其與喜得鎮(zhèn)陽(yáng)性藥、模

2、型對(duì)照組以及假手術(shù)組之間的差異。
　　2.本部分研究以VD模型大鼠作為研究對(duì)象，采用實(shí)時(shí)熒光定量 PCR技術(shù)，檢測(cè)模型大鼠使用電針治療后的SCN clock，Bmal1基因以及海馬CA1ERK基因相對(duì)表達(dá)量與喜得鎮(zhèn)陽(yáng)性藥、假手術(shù)組以及模型對(duì)照組的差異。
　　結(jié)果：
　　1.VD模型大鼠morris水迷宮行為學(xué)檢測(cè)結(jié)果顯示陽(yáng)性藥、電針組d4，d5定位航行潛伏期同模型組相比均有統(tǒng)計(jì)學(xué)差異；假手術(shù)組同模型組比較 d4為P<0

3、.05，d5無(wú)統(tǒng)計(jì)學(xué)差異?？臻g探索測(cè)分析顯示，電針組（P<0.01）、喜得鎮(zhèn)陽(yáng)性藥組（P<0.05）以及假手術(shù)組（P<0.01）同模型組均相比在三象限進(jìn)入次數(shù)中出現(xiàn)統(tǒng)計(jì)學(xué)差異。
　　2.定量PCR電泳結(jié)果顯示SCN clock、Bmal1及海馬CA1 ERK基因PCR產(chǎn)物只存在有特異性的單一條帶，且大小符合預(yù)期結(jié)果；優(yōu)化了各基因反應(yīng)條件，獲得了最佳反應(yīng)的條件以及體系；
　　3.電針刺激百會(huì)，神門穴可升高大鼠SCN中clock

4、基因的表達(dá)（P<0.05）；并對(duì)SCN Bmal1基因、海馬CA1 ERK1以及ERK2基因表達(dá)有改善趨勢(shì).
　　結(jié)論：
　　1.空間探索指標(biāo)中，電針和陽(yáng)性藥組均出現(xiàn)了改善趨勢(shì)?？梢?jiàn)電針對(duì)由缺血造成的VD模型大鼠的學(xué)習(xí)記憶能力下降有顯著改善作用，也為由缺血所導(dǎo)致的學(xué)習(xí)記憶能力下降的VD病人的針灸臨床治療選取提供了一定的參考。
　　2.電針組在各項(xiàng)指標(biāo)中，SCN clock、Bmal1及海馬CA1 ERK基因均表現(xiàn)出了同