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1、天津大學(xué)碩士學(xué)位論文PZTPMN系壓電陶瓷的改性研究姓名:鄭寶山申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:碩士專業(yè):微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師:吳裕功20080501ABSTRACTTheprecursormethodisadoptedtosynthesissinglephasePZTMNat780℃andthemodificationforPZTMNternarysystemwereinvestigatedThemicrostructurefeatures,M
2、echanicalpropertiesandelectricalpropertiesoftheceramicswerestudiedbyusingmethodssuchasXRD,SEMandmacroscopicaltestingInordertoenhancetheMechanicalpropertiesofPZTMNsystempiezoceramics,secondphaseoxidewasintroducedand(Pb095
3、Sr0os)[(Zro5Tio5)0s(Mgv3Nb2/3)o2]o98Nbo0203OiaZr02compositeswerepreparedbydoubleprecursormethodSEMindicatedthatthefractureoftheceramicsexhibitsmoretransgranularpattemsaftertheenhancementoxideisaddedWhenthedopingamountofo
4、xideare0~2mol%,theceramics’mechanicalpropertiesincreasedwithincreasingamountofsecondphaseoxidethefracturetoughnessKICwasenhancedfrom083MPaml陀to098MPamI/2andOwasenhancedfrom60MPato76MPaWhenthedopingamountofoxidearemoretha
5、n2mol%themechanicalpropertiesweakenelectricalpropertieswerebetterthanthematrixwhenthedopingamountofoxidewere2mol%InordertoimprovetheelectricalpropertiesofPZTMNsysteminafurtherFe203modificationwerecarriedoutinthissysterms
6、Fe203wasmixedinstoichiometricproportiontoobtainPb((Zro5Tio5)08(Mgl/3Nb2/3)o2)(1《)FecO(3—05c)O02Zr02。Microstructuresinteringpropertiesandelectricalpropertiesofthesystemwerestudied,anddopingmechanismwasalsodiscussedTheresu
7、ltindicatedthatthedensificationcanbeimprovedbyasmallquantityofFe203doping,theperfectPolingconditionofthissystemwereasfollows,Polingtemperaturewas120“C,polingelectricfieldwas3KV/mmandpolingtimewas30minThisPZTMNsystemreach
8、edtheexcellentelectricalpropertieswhenthedopingamountofFe203was2m01%,andwhenthecontentofFe203dopingwas2m01%,theelectricalpropertiesweredecreasesTheoptimizedceramicwither=2215,tan8=O016,Tc=310。C,d33=520pC/N,Kp=061wasobtai
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