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1、上海交通大學(xué)博士后學(xué)位論文Ⅰ.PMMA反應(yīng)離子深刻蝕及其側(cè)壁鈍化技術(shù)研究Ⅱ.TiNiPd形狀記憶合金薄膜制備及其性能研究姓名:張叢春申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:博士后專業(yè):@指導(dǎo)教師:丁桂甫20041001上海交通大學(xué)博士后研究報(bào)告第一部分PMMA的反應(yīng)離毛深刻蝕及其側(cè)壁鈍化技術(shù)研究11引言第一章緒論微機(jī)電系統(tǒng)”MEMS“或微光機(jī)電系統(tǒng)”MOEMS”是80年代末期在國(guó)際上興起的交叉學(xué)科。”MEMS”即”MicroElectroMechanicalSy
2、stems”的英文縮寫,又稱微系統(tǒng),它是在微電子技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的,融合了硅微加工、LIGA(LtGA技術(shù)是德文LithographGaIvaIlfoml】119andAbformug的簡(jiǎn)稱)和超精密機(jī)械加工等多種微加工技術(shù),并應(yīng)用現(xiàn)代信息技術(shù)構(gòu)成的微型智能系統(tǒng)[13】。“MOEMS”是微光機(jī)電系統(tǒng)即“MicroOptoElectroMechanicalSystems”,是集成光學(xué)與“MEMS”的結(jié)合。完整的MEMS由咀下五部分構(gòu)成:
3、一是感知外界如力、光、熱、速度等信息的微傳感器;二是控制對(duì)象的微執(zhí)行器;三是信號(hào)處理與控制電路;四是通訊接口;五是微電源。為了實(shí)現(xiàn)其微型化,對(duì)“MEMS”和“MOEMS”的加工工藝提出了很高要求。而微機(jī)械)o日q技術(shù)則是實(shí)現(xiàn)其微系統(tǒng)的加工手段。具有高深寬比,高的陡直度和光滑度的微結(jié)構(gòu)是提高微器件性能如靈敏度,驅(qū)動(dòng)力和位移量等的關(guān)鍵。因此,尋找一種合適的微機(jī)械加工方法以實(shí)現(xiàn)微結(jié)構(gòu)的高深寬比,高的陡直度和光滑度具有重要的實(shí)用意義。El前用于
4、制作具有高深寬比微結(jié)構(gòu)的微機(jī)械加工方法主要包括LIOA技術(shù),深紫外線光刻,離子柬刻蝕。激光刻蝕等,其中LIGA技術(shù)是最為先進(jìn)的一種,但是由于該技術(shù)需要使用同步輻射光源和特制的掩膜板,加工周期長(zhǎng),費(fèi)用成本高而受到限制;深紫外線光刻技術(shù)也是一種比較常用的微機(jī)械加工技術(shù),它加工的微結(jié)構(gòu)具有較低的粗糙度,但由于深紫外線的衍射效應(yīng),使得其加工的微結(jié)構(gòu)的深寬比比較小。另外幾種工藝也有其明顯的不足,如離子束刻蝕由于主要是物理刻蝕,其刻蝕選擇比不可能太
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