24117.氟化鎂基底3~5μm紅外增透保護(hù)膜的研究與制備

1、分類號(hào)：Q壘墨壘UDC：密級(jí)：可公開編號(hào)：——氟化鎂基底3～5gm紅外增透保護(hù)膜的研究與制備DESIGNANDDEPOSITIONoFINFRAREDANTIREFLECTIONPRoTECTIoNFILMONⅣtAGNESIUMFLUORIDESUBSTRATEFOR3～5IjLm學(xué)位授予單位及代碼：拯壹堡王太堂!!Q!墨魚2學(xué)科專業(yè)名稱及代碼：迸堂王程!Q墨塑QQ2研究方向：理垡堂堂堇丕區(qū)王程廑旦申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：亟指導(dǎo)教師：奎醚研究生

2、：王太送論文起止時(shí)間：—20121—120l姐摘要氟化鎂因其透過率高、介電常數(shù)和介電損耗小等特點(diǎn)，是3～51am紅外波段范圍常用的窗口和整流罩材料之一。但其機(jī)械強(qiáng)度較差，易劃傷，很難滿足在惡劣環(huán)境下的使用要求，所以必須在其表面鍍制增透保護(hù)膜。本文選用H4作為高折射率材料，Si02作為低折射率材料，并利用TFCalc軟件設(shè)計(jì)膜系。經(jīng)多次實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)Si02材料存在吸收，很難達(dá)到理論設(shè)計(jì)的透過率要求。為了滿足膜層結(jié)合牢固并達(dá)到有效透過率，最終選

3、用MgF2與Si02組合作為低折射率層并重新設(shè)計(jì)優(yōu)化，得到了理想的設(shè)計(jì)膜系。在傳統(tǒng)熱蒸發(fā)技術(shù)中采用了離子源輔助沉積技術(shù)以增強(qiáng)膜層牢固度，并不斷優(yōu)化工藝參數(shù)，控制膜層質(zhì)量，制備出透過率較好的增透膜。最后采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)(RF—PECVD)在膜層最外層表面沉積類金剛石(DLC)保護(hù)膜。通過對(duì)比試驗(yàn)，以沉積時(shí)間作為不變因素，反應(yīng)氣體流量和沉積溫度作為變量進(jìn)行工藝研究，分析了工藝參數(shù)對(duì)成膜質(zhì)量的影響。并通過物理測(cè)試和光學(xué)性能