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1、畢業(yè)設(shè)計(jì)文獻(xiàn)綜述畢業(yè)設(shè)計(jì)文獻(xiàn)綜述通信工程通信工程用于平面光波導(dǎo)的用于平面光波導(dǎo)的Ge20Sb15Se65Ge20Sb15Se65薄膜光敏機(jī)理研究薄膜光敏機(jī)理研究摘要:光電信號(hào)轉(zhuǎn)換能力的滯后和電子線路速度的限制,成為了信息傳輸?shù)闹萍s因素,所以必須要進(jìn)行新型光器件的開(kāi)發(fā),硫系玻璃薄膜具有光敏性和高非線性的特點(diǎn)對(duì)新型光器件的開(kāi)發(fā)起到了理論指導(dǎo)。硫系薄膜在不同波段和強(qiáng)度的激光輻照下其能帶和折射率會(huì)發(fā)生變化,即光致結(jié)構(gòu)變化。以Ge20Sb15Se
2、65薄膜做為實(shí)驗(yàn)對(duì)象,對(duì)輻照前后硫族元素的價(jià)態(tài)和結(jié)構(gòu)缺陷情況的研究,用拉曼光譜測(cè)試儀測(cè)試比較Ge20Sb15Se65薄膜在光誘導(dǎo)前后薄膜結(jié)構(gòu)的變化,從而完善硫系薄膜的光敏機(jī)理。關(guān)鍵字關(guān)鍵字:Ge20Sb15Se65薄膜光致結(jié)構(gòu)變化光敏性引言引言硫系薄膜在光的作用下會(huì)出現(xiàn)許多現(xiàn)象,如光致暗化、光致漂白、光致結(jié)晶、光摻雜、光致二階非線性現(xiàn)象等,導(dǎo)致這些現(xiàn)象產(chǎn)生的原因可能是光致結(jié)構(gòu)變化所致[1]。硫系薄膜中所出現(xiàn)的一些光致效應(yīng)已成功應(yīng)用于現(xiàn)代
3、微電子和光電子領(lǐng)域的各個(gè)方面。近年來(lái),人們對(duì)一些硫系薄膜的光致效應(yīng)雖已研究較多,但對(duì)其產(chǎn)生機(jī)理至今仍不是十分清楚。此外,由于硫系薄膜的折射率較高,研究其光致結(jié)構(gòu)變化性質(zhì),對(duì)探索新型非線性光學(xué)材料,滿足光電子器件發(fā)展的需要,也具有重要的意義。一、背景一、背景1.11.1、硫系薄膜光敏性的應(yīng)用、硫系薄膜光敏性的應(yīng)用新型光器件的開(kāi)發(fā)關(guān)鍵在于新材料和新技術(shù)的運(yùn)用。國(guó)際權(quán)威期刊NatureMaterials將硫系玻璃薄膜譽(yù)為多功能光器件的理想材料
4、[2],其優(yōu)勢(shì)在于硫系薄膜具有獨(dú)特的光敏性。利用光致折射率變化的性質(zhì)可以激光直寫(xiě)光波導(dǎo),制備表面光柵、集成布拉格光柵和二維光子晶體等集成光學(xué)器件?;谝陨咸攸c(diǎn),《OpticalExpress》、《OpticalLetter》等刊物近幾年相繼發(fā)表了數(shù)十篇硫系薄膜波導(dǎo)制備及其在光器件應(yīng)用的研究報(bào)道。如2004年Y.Ruan等人[3]制備不同商用硫系玻璃(As2S3、As40S45Se15、As24S38Se38)作為膜層材料的脊型單模波導(dǎo),
5、研究不同基質(zhì)薄膜和波導(dǎo)結(jié)構(gòu)下1.55m激光波長(zhǎng)的傳輸特性;2007年S.J.Madden等人制備的As2S3薄膜波導(dǎo),成功應(yīng)用于全光2R再生[4]。2009年F.Luan等人基于As2S3薄膜波導(dǎo)實(shí)現(xiàn)了可應(yīng)用于40Gbs速率、轉(zhuǎn)換帶寬高達(dá)80nm的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換器[5]。促進(jìn)了很多新型器件的開(kāi)發(fā),對(duì)滿足我國(guó)信息產(chǎn)業(yè)現(xiàn)代化、國(guó)民經(jīng)濟(jì)建設(shè)和社會(huì)發(fā)展對(duì)新材料的需求具有重要的意義和實(shí)用價(jià)值。因此,對(duì)光敏機(jī)理進(jìn)行深入研究無(wú)疑具有深遠(yuǎn)的現(xiàn)實(shí)意義和應(yīng)用價(jià)值
6、。參考文獻(xiàn):[1]劉啟明,干福熹.硫系非晶半導(dǎo)體薄膜的光致性能變化的研究[D].上海,中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所2004:[2]A.F.AbouraddyM.BayindirG.BenoitetalNaureMaterials20076:336347.[3]Y.RuanW.LiR.Jarvisetal.Opt.Express200412(21):51405145.[4]S.J.MaddenDY.ChoiD.A.BullaetalO
7、pt.Express200715:1441414421.[5]F.LuanM.D.PelusiM.R.E.LamontetalOpt.Express200917:35143520[6]F.MichelottiE.FazioF.SenesiM.BertolottiV.chumashA.rieshNonlinearityphotosturcturalchangesinglassyAs2S3thinfilmsmun1993101:7478[7
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11、ptstomeasurethermallystimulatedcurrentsinchalcogenidegalssesH.FritzschePhys.Rev.1974B10:43514357[14]K.ShimakawaS.R.ElliottReversiblephotoinducedchangeofacconductioninamphousAs2S3filmsPhys.Rev.1988B38:1247912482.[15]K.Shi
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