《計(jì)算機(jī)維修技術(shù) 第3版》第06章 外存系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與故障維修2013

1、計(jì)算機(jī)維修技術(shù) 第3版第6章 外存系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與故障維修易建勛 編著清華大學(xué)出版社2013年8月,本課件隨教材免費(fèi)贈(zèng)送給讀者，讀者可自由播放、復(fù)制、分發(fā)本課件，也可對(duì)課件內(nèi)容進(jìn)行修改。課件中部分圖片來(lái)自因特網(wǎng)公開(kāi)的技術(shù)資料，這些圖片的版權(quán)屬于原作者。感謝在因特網(wǎng)上提供技術(shù)資料的企業(yè)和個(gè)人。本課件不得用于任何商業(yè)用途。課件版權(quán)屬于作者和清華大學(xué)出版社，其他任何單位和個(gè)人都不得對(duì)本課件進(jìn)行銷售或修改后銷售。作者：易

2、建勛2013年8月,作者聲明,第6章 外存系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與故障維修,6.1 閃存結(jié)構(gòu)與故障維修6.1.1 閃存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)原理6.1.2 閃存的結(jié)構(gòu)與性能6.1.3 固態(tài)硬盤(pán)基本結(jié)構(gòu)6.1.4 閃存卡技術(shù)與性能6.1.5 閃存常見(jiàn)故障分析6.2 硬盤(pán)結(jié)構(gòu)與工作原理6.2.1 硬盤(pán)基本組成6.2.2 硬盤(pán)工作原理6.2.3 硬盤(pán)啟動(dòng)過(guò)程6.2.4 硬盤(pán)邏輯結(jié)構(gòu)6.2.5 硬盤(pán)設(shè)計(jì)技術(shù),6.3 硬盤(pán)性

3、能與故障維修6.3.1 RAID磁盤(pán)陣列技術(shù)6.3.2 硬盤(pán)常用接口類型6.3.3 硬盤(pán)主要技術(shù)性能6.3.4 硬盤(pán)常見(jiàn)故障分析6.3.5 硬盤(pán)故障維修案例6.4 光盤(pán)結(jié)構(gòu)與故障維修6.4.1 只讀光盤(pán)基本結(jié)構(gòu)6.4.2 讀寫(xiě)光盤(pán)基本結(jié)構(gòu)6.4.3 光盤(pán)基本邏輯結(jié)構(gòu)6.4.4 光驅(qū)基本工作原理6.4.5 光驅(qū)故障維修案例,6.1 閃存結(jié)構(gòu)與故障維修,6.1.1 閃存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)原理,1. 閃存

4、的基本類型,6.1.1 閃存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)原理,閃存從EEPROM技術(shù)發(fā)展而來(lái)。優(yōu)點(diǎn)： 快速存儲(chǔ)，永久存儲(chǔ)，可利用現(xiàn)有半導(dǎo)體工藝。缺點(diǎn)： 讀寫(xiě)速度較DRAM慢，擦寫(xiě)次數(shù)有極限。讀寫(xiě)特性：閃存以區(qū)塊為單位進(jìn)行數(shù)據(jù)擦除和寫(xiě)入;區(qū)塊大小為8KB~128KB。閃存不能以字節(jié)為單位進(jìn)行數(shù)據(jù)的隨機(jī)寫(xiě)入，因此閃存目前不可能作為內(nèi)存使用。,6.1.1 閃存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)原理,2．閃存存儲(chǔ)單元的類型 （1）NOR（異或型）閃存由Int

5、el和AMD公司主導(dǎo)，用于程序儲(chǔ)存和運(yùn)行。技術(shù)特點(diǎn)：可隨機(jī)讀，但寫(xiě)操作按“塊”進(jìn)行。寫(xiě)操作慢，讀操作快。應(yīng)用：BIOS芯片手機(jī)存儲(chǔ)芯片交換機(jī)存儲(chǔ)器等。,6.1.1 閃存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)原理,（2）NAND（與非型）閃存技術(shù)特點(diǎn)：讀寫(xiě)速度比DRAM低很多；小數(shù)據(jù)塊操作速度很慢，大數(shù)據(jù)塊速度很快。存儲(chǔ)容量大，價(jià)格低。應(yīng)用：U盤(pán)SD存儲(chǔ)卡，T卡等SSD固態(tài)硬盤(pán)等,6.1.1 閃存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)原理,3．閃存存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)

6、閃存采用單晶體管設(shè)計(jì)，無(wú)需存儲(chǔ)電容。 閃存結(jié)構(gòu)：SLC（單級(jí)儲(chǔ)存單元）結(jié)構(gòu)： 在1個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)1位數(shù)據(jù)。MLC（多級(jí)儲(chǔ)存單元）結(jié)構(gòu)： 在1個(gè)存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)2位數(shù)據(jù)。,6.1.1 閃存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)原理,MLC通過(guò)不同級(jí)別的內(nèi)部電壓，在1個(gè)存儲(chǔ)單元中記錄2組位信息（00、01、10、11）。MLC的記錄密度比SLC提高了1倍。MLC電壓變化頻繁，使用壽命遠(yuǎn)低于SLC；SLC芯片可以擦寫(xiě)10萬(wàn)次，而MLC只有1萬(wàn)次

7、左右；MLC需要更長(zhǎng)的讀寫(xiě)時(shí)間；SLC比MLC要快3倍以上。,6.1.1 閃存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)原理,4．閃存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)原理 閃存通過(guò)在浮空柵極上放置電子和清除電子來(lái)表示數(shù)據(jù)浮空柵極中有電子時(shí)為0，無(wú)電子時(shí)為1。,6.1.1 閃存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)原理,閃存存儲(chǔ)單元(Cell)顯微結(jié)構(gòu),6.1.2 閃存的結(jié)構(gòu)與性能,【補(bǔ)充】NOR閃存讀/寫(xiě)原理,6.1.1 閃存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)原理,數(shù)據(jù)保存原理：在閃存存儲(chǔ)單元中，當(dāng)沒(méi)有外部電流改變存儲(chǔ)單元中浮空柵

8、極的電子狀態(tài)時(shí)，浮空柵極就會(huì)一直保持原來(lái)狀態(tài)，這也就保證了數(shù)據(jù)不會(huì)因?yàn)閿嚯姸鴣G失。NAND和NOR的差別NAND和NOR閃存都采用場(chǎng)效應(yīng)晶體管作為存儲(chǔ)單元，因此它們的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)原理相同；結(jié)構(gòu)差別：NAND閃存采用“與非”方式構(gòu)成存儲(chǔ)陣列；NOR閃存采用“或非”方式構(gòu)成儲(chǔ)存陣列。,6.1.2 閃存的結(jié)構(gòu)與性能,1．NOR閃存電路結(jié)構(gòu)與特點(diǎn) NOR閃存結(jié)構(gòu)特征：每?jī)蓚€(gè)存儲(chǔ)單元共用一個(gè)列地址線和一條電源線；存儲(chǔ)單元可以高速寫(xiě)和

9、高速讀，但是寫(xiě)功耗過(guò)大；存儲(chǔ)陣列接觸孔占用了相當(dāng)多的空間，集成度不高。NOR閃存性能特征：（1）可以快速隨機(jī)讀數(shù)據(jù)。（2）寫(xiě)入和擦除速度較低。（3）不適用存儲(chǔ)大文件。,6.1.2 閃存的結(jié)構(gòu)與性能,NAND和NOR閃存結(jié)構(gòu)的區(qū)別,6.1.2 閃存的結(jié)構(gòu)與性能,2．NAND閃存電路結(jié)構(gòu)NAND閃存接口位寬為8位或16位。例：韓國(guó)現(xiàn)代HY27UK08BGFM閃存芯片：總?cè)萘繛?GB，頁(yè)面大小為（2KB+64B），8個(gè)

10、I/O接口，每次可以傳輸（2KB+64B）×8=16.5KB數(shù)據(jù)。NAND閃存采用地址/數(shù)據(jù)總線復(fù)用技術(shù)大容量閃存一般采用32位地址總線。NAND閃存芯片容量越大，尋址時(shí)間越長(zhǎng)。,6.1.2 閃存的結(jié)構(gòu)與性能,3．NAND閃存技術(shù)性能（1）頁(yè)（Page）閃存的基本存儲(chǔ)單位是“頁(yè)”；閃存的頁(yè)類似于硬盤(pán)中的扇區(qū)；閃存每一頁(yè)的有效容量為512B的倍數(shù)；閃存另外還要加上16B的ECC校驗(yàn)信息；大容量閃存，頁(yè)多，頁(yè)

11、尺寸大，尋址時(shí)間長(zhǎng)；頁(yè)的容量決定了一次可以傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量。,6.1.2 閃存的結(jié)構(gòu)與性能,16Gbit閃存芯片的區(qū)塊結(jié)構(gòu),6.1.2 閃存的結(jié)構(gòu)與性能,8GB NAND閃存芯片核心,6.1.2 閃存的結(jié)構(gòu)與性能,（2）區(qū)塊（Block）閃存的寫(xiě)操作（也稱為編程）必須在空白存儲(chǔ)區(qū)進(jìn)行；如果目標(biāo)存儲(chǔ)區(qū)已有數(shù)據(jù)，就必須先擦除后寫(xiě)入；擦除是將存儲(chǔ)位設(shè)置為“1”；擦除操作是閃存的基本操作；區(qū)塊是閃存最小的可擦除實(shí)體；4GB的閃存

12、芯片，共有16384塊，每塊包含64個(gè)頁(yè)，每個(gè)頁(yè)尺寸為（2KB+64B）字節(jié)，塊容量為（2KB+64B）×64頁(yè)=132KB；每個(gè)塊的擦除時(shí)間需要2ms左右；塊容量的大小決定擦除性能。,6.1.2 閃存的結(jié)構(gòu)與性能,（3）錯(cuò)誤校驗(yàn)（ECC）閃存內(nèi)有專門(mén)的錯(cuò)誤檢測(cè)與校正（ECC）區(qū)域；每頁(yè)有一個(gè)校驗(yàn)區(qū)（512B的區(qū)塊為16B）存儲(chǔ)ECC編碼；如果ECC操作失敗，就把該區(qū)塊標(biāo)記為損壞，不再使用；2Gbit的NAND閃

13、存芯片最多允許有40個(gè)壞塊；閃存裸片容量大，可利用軟件將壞塊替換為好塊。,6.1.2 閃存的結(jié)構(gòu)與性能,NAND閃存芯片技術(shù)參數(shù),6.1.2 閃存的結(jié)構(gòu)與性能,【補(bǔ)充】NAND閃存性能,6.1.2 閃存的結(jié)構(gòu)與性能,【補(bǔ)充】NAND閃存與NOR閃存的性能比較,6.1.2 閃存的結(jié)構(gòu)與性能,【補(bǔ)充】各種非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)比較,6.1.3 固態(tài)硬盤(pán)基本結(jié)構(gòu),1．固態(tài)盤(pán)（SSD）的技術(shù)特點(diǎn)固態(tài)盤(pán)結(jié)構(gòu)由存儲(chǔ)單元和控制單元組

14、成，存儲(chǔ)單元采用閃存作為存儲(chǔ)介質(zhì)，控制單元采用高性能I/O控制芯片。耗電量只有機(jī)械硬盤(pán)的5%左右；寫(xiě)入速度與機(jī)械硬盤(pán)相當(dāng)；讀取速度是機(jī)械硬盤(pán)的3倍。成本與壽命是SSD普及的最大問(wèn)題。固態(tài)盤(pán)應(yīng)用各種數(shù)碼設(shè)備中的存儲(chǔ)卡，如SD卡，T卡等；采用USB接口的小容量U盤(pán)；計(jì)算機(jī)中使用的固態(tài)硬盤(pán)。,6.1.3 固態(tài)硬盤(pán)基本結(jié)構(gòu),2．U盤(pán)存儲(chǔ)技術(shù) U盤(pán)是利用閃存、控制芯片和USB接口技術(shù)的一種小型半導(dǎo)體移動(dòng)固態(tài)盤(pán)。容量在128M

15、B～32GB之間；數(shù)據(jù)傳輸速度與硬盤(pán)基本相當(dāng)；沒(méi)有機(jī)械讀寫(xiě)裝置，避免了跌落等損壞。電路結(jié)構(gòu)：NAND閃存芯片，USB控制芯片，電源芯片，USB接口等。,6.1.3 固態(tài)硬盤(pán)基本結(jié)構(gòu),U盤(pán),6.1.3 固態(tài)硬盤(pán)基本結(jié)構(gòu),3．固態(tài)硬盤(pán)組成固態(tài)硬盤(pán)在接口標(biāo)準(zhǔn)、功能及使用方法上，與機(jī)械硬盤(pán)完全相同。固態(tài)硬盤(pán)抗震性極佳，工作溫度很低。固態(tài)硬盤(pán)與U盤(pán)的區(qū)別：U盤(pán)著眼于移動(dòng)性，采用USB接口；固態(tài)硬盤(pán)著眼于取代機(jī)械硬盤(pán)，采用SAT

16、A接口。,6.1.3 固態(tài)硬盤(pán)基本結(jié)構(gòu),固態(tài)盤(pán)的基本組成,6.1.3 固態(tài)硬盤(pán)基本結(jié)構(gòu),固態(tài)盤(pán)的電路原理,6.1.3 固態(tài)硬盤(pán)基本結(jié)構(gòu),固態(tài)盤(pán)的電路原理,6.1.3 固態(tài)硬盤(pán)基本結(jié)構(gòu),固態(tài)盤(pán)的基本組成,,6.1.3 固態(tài)硬盤(pán)基本結(jié)構(gòu),4．固態(tài)硬盤(pán)技術(shù)性能機(jī)械硬盤(pán)平均讀取速度在50～70MB/s之間；固態(tài)硬盤(pán)的平均讀取速度在200MB/s以上。固態(tài)硬盤(pán)的平均速度和爆發(fā)速度相差不大。機(jī)械硬盤(pán)的平均速度則大幅度落后于爆發(fā)速度

17、；固態(tài)硬盤(pán)的尋道時(shí)間為0，機(jī)械硬盤(pán)無(wú)法比擬。固態(tài)硬盤(pán)寫(xiě)入速度僅為400MB/s左右；機(jī)械硬盤(pán)寫(xiě)入速度達(dá)到了70MB/s。80GB固態(tài)硬盤(pán)功耗為2.4W，空閑功耗為0.06W，可抗1000G（伽利略單位）沖擊。固態(tài)硬盤(pán)的讀/寫(xiě)速度，比機(jī)械硬盤(pán)快3-5倍。,6.1.3 固態(tài)硬盤(pán)基本結(jié)構(gòu),【補(bǔ)充】固態(tài)硬盤(pán)(左)與機(jī)械(右)測(cè)試對(duì)比,,6.1.3 固態(tài)硬盤(pán)基本結(jié)構(gòu),固態(tài)硬盤(pán)與機(jī)械硬盤(pán)的連續(xù)讀寫(xiě)速度測(cè)試對(duì)比,,6.1.3 固態(tài)硬盤(pán)

18、基本結(jié)構(gòu),固態(tài)硬盤(pán)與機(jī)械硬盤(pán)的結(jié)構(gòu)對(duì)比,,6.1.4 閃存卡技術(shù)與性能,閃存卡是在閃存芯片中加入專用接口電路的一種單片型移動(dòng)固態(tài)盤(pán)。,6.1.4 閃存卡技術(shù)與性能,閃存卡,【補(bǔ)充】混亂的存儲(chǔ)卡市場(chǎng),6.1.4 閃存卡技術(shù)與性能,1．SD（安全數(shù)碼）卡（1）SD卡技術(shù)規(guī)格SD卡是目前速度最快，應(yīng)用最廣泛的存儲(chǔ)卡；尺寸：32mm×24mm×2.1mm；接口：9針接口；存儲(chǔ)芯片：NAND閃存；應(yīng)用：手機(jī)，

19、數(shù)碼相機(jī)，GPS導(dǎo)航，MP3播放器等領(lǐng)類型：SD卡、Micro SD、mini-SD、SDHC、Micro SDHC等。,6.1.4 閃存卡技術(shù)與性能,（2）SD卡性能等級(jí)SD卡的存儲(chǔ)容量：128MB～2GB；最大數(shù)據(jù)讀取速度：60MB/s；寫(xiě)入速度：35MB/s左右；工作電壓：2.7-3.6V；讀/寫(xiě)電流：27mA左右；數(shù)據(jù)傳輸塊大?。?12B。SD 2.0標(biāo)準(zhǔn)對(duì)SD卡的性能分為幾個(gè)等級(jí)，不同等級(jí)分別滿足不同的應(yīng)用要

20、求。,6.1.4 閃存卡技術(shù)與性能,SD卡,6.1.4 閃存卡技術(shù)與性能,2．SDHC （安全數(shù)字高容量）存儲(chǔ)卡（1）應(yīng)用高級(jí)數(shù)碼相機(jī)，高畫(huà)質(zhì)數(shù)碼攝像機(jī)等。SD 2.0標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定：容量為2~32GB。（2）文件系統(tǒng)SDHC卡必須采用FAT32文件系統(tǒng)；SD卡使用FAT16文件系統(tǒng)；SDHC卡只支持FAT32文件系統(tǒng)，因此與以前只支持FAT 16的SD設(shè)備存在不兼容現(xiàn)象。（3）兼容性SDHC采用與SD標(biāo)準(zhǔn)不同的尋址方式

21、；只有符合SD 2.0標(biāo)準(zhǔn)的SD設(shè)備才能使用SDHC卡。,6.1.5 閃存常見(jiàn)故障分析,3．Micro SDHC存儲(chǔ)卡（1）技術(shù)特征Micro SDHC卡又稱為T(mén)F（Trans FLash）卡；它專門(mén)針對(duì)移動(dòng)通信市場(chǎng)設(shè)計(jì)；電氣規(guī)格與SDHC卡相同；尺寸為SD卡的1/4左右，是目前最小的儲(chǔ)存卡；Micro SDHC卡通過(guò)轉(zhuǎn)換器后成為標(biāo)準(zhǔn)SD卡使用。（2）兼容性Micro SDHC卡與mini-SD卡規(guī)格不同，因此采用M

22、icro SD卡的設(shè)備，不能使用mini-SDHC卡；采用mini-SDHC卡的設(shè)備，無(wú)論是Micro SDHC卡還是Micro SD卡，都可以使用。,6.1.5 閃存常見(jiàn)故障分析,Micro SDHC卡（TF）,6.1.5 閃存常見(jiàn)故障分析,4. SDXC存儲(chǔ)卡SDXC是SD存儲(chǔ)卡新一代標(biāo)準(zhǔn)。技術(shù)規(guī)格容量：目前為64GB，理論達(dá)2TB；傳輸速度：50MB/s、104MB/s、300MB/s；最大寫(xiě)入速度：35MB/s；

23、最大讀取速度：60MB/s。兼容性SDXC存儲(chǔ)卡只能與裝有微軟公司exFAT文件系統(tǒng)的SDXC對(duì)應(yīng)設(shè)備相兼容，它不能用于SD或SDHC對(duì)應(yīng)設(shè)備。,6.1.4 閃存卡技術(shù)與性能,【補(bǔ)充】SDXC存儲(chǔ)卡標(biāo)注,6.1.4 閃存卡技術(shù)與性能,各種SD卡技術(shù)規(guī)格,6.1.4 閃存卡技術(shù)與性能,【補(bǔ)充】SanDisk 32GB SDHC存儲(chǔ)卡測(cè)試,,,6.1.4 閃存卡技術(shù)與性能,【補(bǔ)充】東芝SDHC 8GB/16GB存儲(chǔ)卡測(cè)試,,

24、,6.1.4 閃存卡技術(shù)與性能,【補(bǔ)充】存儲(chǔ)卡讀卡器,,,6.1.4 閃存卡技術(shù)與性能,【補(bǔ)充】存儲(chǔ)卡在數(shù)碼攝相機(jī)中的應(yīng)用,,,6.1.5 閃存常見(jiàn)故障分析,（1）存儲(chǔ)卡金手指污染（2）卡槽內(nèi)金屬觸點(diǎn)生銹或者金屬簧片變形。（3）讀卡設(shè)備電壓不穩(wěn)定。（4）存儲(chǔ)卡感染計(jì)算機(jī)病毒。（5）存儲(chǔ)卡非正常格式化。（6）存儲(chǔ)卡損壞。,6.1.5 閃存常見(jiàn)故障分析,【補(bǔ)充】存儲(chǔ)卡讀文件錯(cuò)誤,讀文件出錯(cuò),6.1.5 閃存常見(jiàn)故障分析,

25、【補(bǔ)充】存儲(chǔ)卡讀文件錯(cuò)誤,復(fù)制文件時(shí)出錯(cuò),文件無(wú)法讀取,文件出現(xiàn)亂碼,6.1.5 閃存常見(jiàn)故障分析,【補(bǔ)充】存儲(chǔ)卡讀文件錯(cuò)誤,,,6.1.5 閃存常見(jiàn)故障分析,【補(bǔ)充】存儲(chǔ)卡讀文件錯(cuò)誤,6.2 硬盤(pán)結(jié)構(gòu)與工作原理,6.2.1 硬盤(pán)基本組成,2．硬盤(pán)外部組成SATA接口硬盤(pán)主要用于臺(tái)式微機(jī)；SAS接口硬盤(pán)主要用于服務(wù)器；USB硬盤(pán)主要用作移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備。,6.2.1 硬盤(pán)基本組成,（1）硬盤(pán)呼吸孔作用是調(diào)節(jié)硬盤(pán)內(nèi)部氣壓，保

26、持與大氣氣壓一致，避免氣壓變化使硬盤(pán)頂蓋突起或凹陷。,,呼吸孔,,6.2.1 硬盤(pán)基本組成,（2）盤(pán)片伺服孔硬盤(pán)伺服孔用于磁頭定位信號(hào)寫(xiě)入。,伺服孔,,,6.2.1 硬盤(pán)基本組成,3．硬盤(pán)基本結(jié)構(gòu)主要部件：盤(pán)片組件，磁頭組件，控制電路板，盤(pán)體和蓋板等。,6.2.1 硬盤(pán)基本組成,硬盤(pán)基本組成,盤(pán)片組件,磁頭組件,盤(pán)體組件,電路組件,6.2.1 硬盤(pán)基本組成,4．盤(pán)片組件的基本結(jié)構(gòu)（1）盤(pán)片基本規(guī)格盤(pán)片用鋁合金作為基片，厚

27、度大約1mm左右；盤(pán)片數(shù)量在1～5片之間；盤(pán)片固定在電機(jī)主軸上，盤(pán)片之間保持平行；盤(pán)片尺寸大：2.5英寸/3.5英寸。,6.2.1 硬盤(pán)基本組成,（2）磁性材料物理特性磁粒子為不規(guī)則的六角形；磁粒子平均尺寸在5～10nm之間；記錄一位（1bit）數(shù)據(jù)大約需要100個(gè)左右磁粒子；磁粒子會(huì)受到相鄰磁粒子反向磁場(chǎng)的影響；磁粒子平均粒徑為10nm，膜層厚度為17nm左右；1TB容量的硬盤(pán)中，磁記錄密度為148Gbit/in2

28、左右。,6.2.1 硬盤(pán)基本組成,（3）電機(jī)電機(jī)部件：線圈，軸承，永久磁體等。提高硬盤(pán)轉(zhuǎn)速優(yōu)點(diǎn)：可以提高硬盤(pán)內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸速度；缺點(diǎn)：加劇電機(jī)磨損，溫度升高，噪音增大等。硬盤(pán)液態(tài)軸承技術(shù)使用油膜代替滾珠，避免了軸承金屬面的磨擦；將硬盤(pán)噪音與溫度減至最低；油膜能吸收震動(dòng)，提高硬盤(pán)抗震能力；使用壽命較長(zhǎng)。,6.2.1 硬盤(pán)基本組成,5．磁頭組件的基本結(jié)構(gòu)磁頭組件滑塊和磁頭；磁頭傳動(dòng)臂組件（HAS）；前置放大器；

29、磁頭懸架組件（HGA）；音圈電機(jī)（VCM）等。,6.2.1 硬盤(pán)基本組成,硬盤(pán)磁頭組件,6.2.1 硬盤(pán)基本組成,6．控制電路板組件控制電路芯片主控制芯片電機(jī)控制芯片高速數(shù)據(jù)緩存芯片數(shù)據(jù)物理層讀取芯片固件芯片等,6.2.1 硬盤(pán)基本組成,硬盤(pán)控制電路,【補(bǔ)充】硬盤(pán)電路原理,6.2.1 硬盤(pán)基本組成,6.2.2 硬盤(pán)工作原理,1．硬盤(pán)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)原理硬盤(pán)盤(pán)片由鋁質(zhì)合金和磁性材料組成。硬盤(pán)利用磁記錄位的極性來(lái)記錄二

30、進(jìn)制數(shù)據(jù)位。如將南極表示數(shù)字“0”，北極表示為“1”。硬盤(pán)利用一個(gè)很小區(qū)域組成一個(gè)同一方向的“磁記錄位”（小于100nm）,6.2.2 硬盤(pán)工作原理,記錄數(shù)據(jù)的磁極子,磁極子,6.2.2 硬盤(pán)工作原理,2．磁頭飛行間隙的控制盤(pán)片高速旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的氣流相當(dāng)強(qiáng)，它使磁頭升起與盤(pán)面保持一個(gè)微小的距離。磁頭飛行高度約為10nm左右。,6.2.2 硬盤(pán)工作原理,3．硬盤(pán)讀操作工作原理早期硬盤(pán)采用讀寫(xiě)合一的電磁感應(yīng)式磁頭。目前采用讀/寫(xiě)

31、分離的GMR和TMR磁頭。GMR磁頭利用“磁阻效應(yīng)”，即磁頭中導(dǎo)體的電阻值，會(huì)隨盤(pán)片上磁場(chǎng)的變化而變化。目前硬盤(pán)讀操作采用GMR磁頭，而寫(xiě)操作仍采用傳統(tǒng)的磁感應(yīng)磁頭。,6.2.2 硬盤(pán)工作原理,5．硬盤(pán)寫(xiě)操作工作原理寫(xiě)操作原理：電流通過(guò)導(dǎo)體時(shí)，圍繞導(dǎo)體會(huì)產(chǎn)生一個(gè)磁場(chǎng)。當(dāng)電流方向改變時(shí)，磁場(chǎng)的極性也會(huì)改變。,6.2.3 硬盤(pán)啟動(dòng)過(guò)程,（1）硬盤(pán)電路初始化加電后，復(fù)位電路向主控芯片發(fā)Reset信號(hào)；主控芯片執(zhí)行本芯片中的固件程

32、序；高速緩存和其他數(shù)據(jù)區(qū)進(jìn)行初始化；如果沒(méi)有警告信號(hào)，開(kāi)始啟動(dòng)硬盤(pán)電機(jī)；進(jìn)行硬盤(pán)內(nèi)部測(cè)試；主控芯片檢查電機(jī)是否達(dá)到規(guī)定的轉(zhuǎn)速；電機(jī)達(dá)到規(guī)定轉(zhuǎn)速后，主控芯片向磁頭發(fā)出信號(hào)。,6.2.3 硬盤(pán)啟動(dòng)過(guò)程,（2）硬盤(pán)固件初始化磁頭收到第一個(gè)啟動(dòng)指令；將磁頭移動(dòng)到盤(pán)片的固件數(shù)據(jù)區(qū)；讀取磁盤(pán)上存放的固件程序；確定硬盤(pán)固件區(qū)，用戶數(shù)據(jù)區(qū)和保留區(qū)的位置；確定硬盤(pán)缺陷列表（P-List和G-List）；讀入硬盤(pán)內(nèi)部操作指令等；將

33、固件數(shù)據(jù)載入到硬盤(pán)高速緩存中；硬盤(pán)初始化完成，主控芯片切換到就緒狀態(tài)；等待計(jì)算機(jī)指令。,6.2.3 硬盤(pán)啟動(dòng)過(guò)程,（3）主機(jī)操作系統(tǒng)引導(dǎo)計(jì)算機(jī)上電自檢；自檢完成后，INT 13H檢查是否存在硬盤(pán)；硬盤(pán)是否為第1引導(dǎo)設(shè)備；INT 13H讀取硬盤(pán)邏輯0道1扇區(qū)（LBA 1）；讀取硬盤(pán)中的主引記錄（MBR）；執(zhí)行主引導(dǎo)記錄和分區(qū)表；讀入和執(zhí)行操作系統(tǒng)引導(dǎo)記錄（OBR）；裝載系統(tǒng)；啟動(dòng)操作系統(tǒng)。,6.2.4 硬盤(pán)邏輯結(jié)

34、構(gòu),1．磁道磁頭在磁盤(pán)表面運(yùn)行的圓形軌跡稱為磁道。1.5TB硬盤(pán)的磁道寬度在100nm以下。兩個(gè)相鄰磁道之間有一個(gè)細(xì)小的間隙（40nm左右）。盤(pán)片最外圈為0道，最內(nèi)圈為n道。,6.2.4 硬盤(pán)邏輯結(jié)構(gòu),等長(zhǎng)扇區(qū)結(jié)構(gòu),6.2.4 硬盤(pán)邏輯結(jié)構(gòu),2. 扇區(qū)每個(gè)扇區(qū)可以存儲(chǔ)512B信息。扇區(qū)分為兩部分，一部分為ID地址段；另一部分是用戶數(shù)據(jù)段。伺服扇區(qū)指磁道和扇區(qū)的定位信息存儲(chǔ)區(qū)域。定位信息一般為格雷碼；格雷碼可以對(duì)

35、某磁道和扇區(qū)進(jìn)行精確定位。,6.2.4 硬盤(pán)邏輯結(jié)構(gòu),伺服扇區(qū)結(jié)構(gòu),6.2.4 硬盤(pán)邏輯結(jié)構(gòu),3. 柱面每個(gè)盤(pán)片具有相同直徑的磁道形成的圓柱稱為柱面。數(shù)據(jù)按柱面進(jìn)行讀/寫(xiě)，不按磁道進(jìn)行讀/寫(xiě)。,6.2.4 硬盤(pán)邏輯結(jié)構(gòu),4．硬盤(pán)容量硬盤(pán)以邏輯塊（LBA）為單位進(jìn)行尋址和管理。硬盤(pán)容量=LBA×512B。計(jì)算硬盤(pán)容量時(shí)，計(jì)算機(jī)按1024進(jìn)制計(jì)算，硬盤(pán)廠商采用1000作為遞進(jìn)計(jì)量單位，因此廠商標(biāo)注的硬盤(pán)容量與實(shí)際容

36、量會(huì)小一些。BIOS中的柱面、磁頭、扇區(qū)等參數(shù)，并不是硬盤(pán)的實(shí)際物理參數(shù)。,6.2.4 硬盤(pán)邏輯結(jié)構(gòu),5．硬盤(pán)的邏輯空間與物理空間硬盤(pán)中部分存儲(chǔ)空間對(duì)用戶是隱藏的；隱藏部分包括固件區(qū)和替代缺陷扇區(qū)的保留區(qū)。固件區(qū)保存若干程序模塊和硬盤(pán)參數(shù)。,6.2.5 硬盤(pán)設(shè)計(jì)技術(shù),1. 硬盤(pán)固件技術(shù) 固件內(nèi)容硬盤(pán)初始化程序；伺服信息或伺服字段參數(shù)；硬盤(pán)低級(jí)格式化程序；固件微代碼（操作程序）；硬盤(pán)配置表；硬盤(pán)缺陷表等。,6.2

37、.5 硬盤(pán)設(shè)計(jì)技術(shù),2．硬盤(pán)缺陷修復(fù)技術(shù)硬盤(pán)生產(chǎn)工藝雖然極其精密，但是很難做到100%完美，盤(pán)面或多或少存會(huì)在一些缺陷。P-List（基本缺陷列表）硬盤(pán)出廠前通過(guò)低級(jí)格式化，自動(dòng)找出所有缺陷磁道和缺陷扇區(qū)，記錄在P-List中，操作系統(tǒng)和用戶不能使用它們。硬盤(pán)基本缺陷表記錄有一定數(shù)量的缺陷，少則數(shù)百，多則數(shù)以萬(wàn)計(jì)。,6.2.5 硬盤(pán)設(shè)計(jì)技術(shù),G-List（增長(zhǎng)缺陷表）硬盤(pán)使用中會(huì)出現(xiàn)一些新的缺陷扇區(qū)；為了減少返修率，廠商

38、在硬盤(pán)內(nèi)設(shè)計(jì)了一個(gè)自動(dòng)修復(fù)機(jī)制。修復(fù)原理：硬盤(pán)讀寫(xiě)操作時(shí)，如果發(fā)現(xiàn)有一個(gè)缺陷扇區(qū)；硬盤(pán)會(huì)自動(dòng)分配一個(gè)備用扇區(qū)來(lái)替換該缺陷扇區(qū)；將缺陷扇區(qū)及其替換情況會(huì)記錄在硬盤(pán)G-List中；音傳少量的缺陷扇區(qū)對(duì)用戶沒(méi)有太大的影響。,6.2.5 硬盤(pán)設(shè)計(jì)技術(shù),P-List和G-List表無(wú)法用標(biāo)準(zhǔn)硬盤(pán)指令來(lái)獲取以及修改。專業(yè)硬盤(pán)修復(fù)工具軟件（如PC-3000）需要裝載不同的固件模塊才能對(duì)它們進(jìn)行操作。,6.2.5 硬盤(pán)設(shè)計(jì)技術(shù),PC-3

39、000檢測(cè)到的硬盤(pán)缺陷扇區(qū),6.2.5 硬盤(pán)設(shè)計(jì)技術(shù),3．硬盤(pán)垂直記錄技術(shù)垂直磁記錄技術(shù)將磁場(chǎng)方向改變了90度，磁記錄垂直于盤(pán)面的磁場(chǎng)，增加了磁盤(pán)整體存儲(chǔ)容量。采用垂直磁記錄技術(shù)，硬盤(pán)的基本工作原理和結(jié)構(gòu)都沒(méi)有發(fā)生改變，重要的技術(shù)變革在于磁介質(zhì)、磁頭和讀寫(xiě)電子器件上。,6.2.5 硬盤(pán)設(shè)計(jì)技術(shù),硬盤(pán)水平和垂直磁記錄技術(shù),水平磁記錄,垂直磁記錄,6.2.5 硬盤(pán)設(shè)計(jì)技術(shù),4．硬盤(pán)數(shù)據(jù)保護(hù)技術(shù)S.M.A.R.T.（自監(jiān)測(cè)、分析及

40、報(bào)告）技術(shù)：硬盤(pán)監(jiān)測(cè)電路對(duì)磁頭、盤(pán)片、電路等進(jìn)行監(jiān)測(cè)。檢測(cè)值超出安全范圍時(shí)；硬盤(pán)自動(dòng)向用戶發(fā)出警告；自動(dòng)降低硬盤(pán)運(yùn)行速度；將重要數(shù)據(jù)文件轉(zhuǎn)存到其它安全扇區(qū)。只要硬盤(pán)電源開(kāi)著，每隔8小時(shí)就會(huì)做一次掃描、分析與修復(fù)動(dòng)作，因此它會(huì)影響硬盤(pán)性能和壽命。S.M.A.R.T.只能監(jiān)測(cè)漸發(fā)性故障，對(duì)突發(fā)性故障，如磁頭突然斷裂等，這種技術(shù)也無(wú)能為力。,6.2.5 硬盤(pán)設(shè)計(jì)技術(shù),【補(bǔ)充】在BIOS中關(guān)閉S.M.A.R.T功能,,6.3

41、硬盤(pán)性能與故障維修,6.3 .1 RAID磁盤(pán)陣列技術(shù),1．RAID的基本組成改進(jìn)磁盤(pán)性能的方法：磁盤(pán)高速緩存技術(shù)RAID（廉價(jià)磁盤(pán)冗余陣列）技術(shù)小型RAID由2個(gè)硬盤(pán)和RAID控制卡組成大型RAID由專用計(jì)算機(jī)和幾十個(gè)磁盤(pán)組成RAID級(jí)別大小并不代表技術(shù)的高低,6.3 .1 RAID磁盤(pán)陣列技術(shù),小型磁盤(pán)陣列,6.3 .1 RAID磁盤(pán)陣列技術(shù),小型磁盤(pán)陣列,6.3 .1 RAID磁盤(pán)陣列技術(shù),3．RAID 0條帶

42、技術(shù)RAID 0采用無(wú)數(shù)據(jù)冗余的條帶化存儲(chǔ)技術(shù)性能提高80%；硬盤(pán)利用率95%；無(wú)糾錯(cuò)。,數(shù)據(jù)條帶,6.3 .1 RAID磁盤(pán)陣列技術(shù),4．RAID 1鏡像技術(shù)RAID 1采用數(shù)據(jù)鏡像技術(shù)。 無(wú)性能提高；硬盤(pán)利用率50%；數(shù)據(jù)備份。,數(shù)據(jù)鏡像,6.3 .1 RAID磁盤(pán)陣列技術(shù),5．RAID 5校驗(yàn)技術(shù)RAID 5對(duì)硬盤(pán)數(shù)據(jù)進(jìn)行糾錯(cuò)校驗(yàn)。性能提高70%；硬盤(pán)利用率90%；可糾錯(cuò)。,6.3 .1 RAID磁盤(pán)陣列技術(shù),【

43、補(bǔ)充】RAID不同級(jí)別下的硬盤(pán)容量,6.3 .1 RAID磁盤(pán)陣列技術(shù),6.3.2 硬盤(pán)常用接口類型,1．SATA接口SATA采用低壓差分信號(hào)傳輸。SATA雙工通信由兩個(gè)單工信道組成，一個(gè)用于發(fā)送信號(hào)（寫(xiě)數(shù)據(jù)），一個(gè)用于接收信號(hào)（讀數(shù)據(jù)），每個(gè)單工信道需要2根數(shù)據(jù)線，共需要4根數(shù)據(jù)線。SATA數(shù)據(jù)接口信號(hào),6.3.2 硬盤(pán)常用接口類型,SATA信號(hào)接口與電源接口線序,6.3.2 硬盤(pán)常用接口類型,SATA電源接口信號(hào)SA

44、TA最大線路長(zhǎng)度為1m。電源線采用15針扁平接口，提供+12V、+5V和+3.3V的電壓。,6.3.2 硬盤(pán)常用接口類型,【補(bǔ)充】硬盤(pán)SATA接口安裝,6.3.2 硬盤(pán)常用接口類型,2．eSATA接口eSATA接口采用“一”字形接口。如果采用屏蔽信號(hào)線，eSATA連接長(zhǎng)度達(dá)2m。SATA只能插拔幾十次，eSATA能插拔2000次。,6.3.2 硬盤(pán)常用接口類型,3．mATA接口提供與SATA相同的速度和可靠性；通過(guò)mi

45、ni-PCIE界面?zhèn)鬏斝盘?hào)；傳輸速度：1.5Gbit/s、3Gbit/s、6Gbit/s；接口卡尺寸：51mm×31mm（全尺寸）27mm×30mm（半尺寸）,6.3.2 硬盤(pán)常用接口類型,mATA接口存儲(chǔ)卡和主板上的mSAT插座,6.3.2 硬盤(pán)常用接口類型,4．SAS接口SAS（串行連接SCSI）是SCSI的串行版。SAS和SATA在物理上和電氣上有兼容性。,6.3.2 硬盤(pán)常用接口類型,SAS

46、接口,6.3.2 硬盤(pán)常用接口類型,【補(bǔ)充】SAS 4端口硬盤(pán)的連接,,6.3.2 硬盤(pán)常用接口類型,【補(bǔ)充】SAS與SCSI硬盤(pán)的連接,,6.3.2 硬盤(pán)常用接口類型,SAS與SATA接口的性能對(duì)比,6.3 .3 硬盤(pán)主要技術(shù)性能,2．硬盤(pán)單碟容量單碟容量是衡量硬盤(pán)技術(shù)的一個(gè)主要指標(biāo)。 硬盤(pán)單碟容量增加后速度反而加快了。3．硬盤(pán)的轉(zhuǎn)速硬盤(pán)轉(zhuǎn)速越快，發(fā)熱量和噪聲越大。 4．平均訪問(wèn)時(shí)間平均訪問(wèn)時(shí)間=平均尋道時(shí)間+

47、平均等待時(shí)間硬盤(pán)平均尋道時(shí)間在8ms左右。硬盤(pán)7200rpm時(shí)，平均等待時(shí)間為4.167ms。,6.3 .3 硬盤(pán)主要技術(shù)性能,7．最大內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率目前內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸速率為80～150MB/s高轉(zhuǎn)速硬盤(pán)采用小尺寸盤(pán)片控制能耗和噪音。8．外部數(shù)據(jù)傳輸率也稱為接口速率，SATA 2.0接口的最高理論值可達(dá)3.0Gbit/s。,6.3 .3 硬盤(pán)主要技術(shù)性能,硬盤(pán)主要技術(shù)參數(shù),6.3 .4 硬盤(pán)常見(jiàn)故障分析,1．硬盤(pán)維修的

48、基本原則（1）軟件維修的局限性利用工具軟件進(jìn)行硬盤(pán)維修是一種低成本的維修方法。軟件維修時(shí)，要求硬盤(pán)可以上電轉(zhuǎn)動(dòng)。BIOS可以認(rèn)出硬盤(pán)型號(hào)和參數(shù)。（2）不要輕易開(kāi)盤(pán)開(kāi)盤(pán)要求有非常純凈的空氣環(huán)境；普通環(huán)境下打開(kāi)硬盤(pán)蓋板后，會(huì)導(dǎo)致硬盤(pán)報(bào)廢。,6.3 .4 硬盤(pán)常見(jiàn)故障分析,（3）數(shù)據(jù)恢復(fù)的原則發(fā)生數(shù)據(jù)丟失后，不要再向硬盤(pán)拷貝或安裝任何文件；硬盤(pán)邏輯錯(cuò)誤丟失的文件都可以恢復(fù)；硬盤(pán)電路板故障，固件故障引發(fā)的數(shù)據(jù)丟失，絕大部分

49、可以恢復(fù)；硬盤(pán)機(jī)械故障引發(fā)的數(shù)據(jù)丟失，需要開(kāi)盤(pán)恢復(fù)數(shù)據(jù)；開(kāi)盤(pán)技術(shù)難度大，成本高，而且數(shù)據(jù)恢復(fù)的可能性小。,6.3 .4 硬盤(pán)常見(jiàn)故障分析,2．硬盤(pán)常見(jiàn)故障判斷（1）硬盤(pán)邏輯損壞硬盤(pán)邏輯損壞，理論上高級(jí)格式化就可以修復(fù)。（2）硬盤(pán)引導(dǎo)出錯(cuò)不能啟動(dòng)不一定是硬盤(pán)損壞，可用軟件修復(fù)主引導(dǎo)記錄。（3）硬盤(pán)壞簇軟件掃描發(fā)現(xiàn)壞簇時(shí)，修復(fù)率可達(dá)到80%左右。（4）硬盤(pán)不能正常分區(qū)需要用到專業(yè)維修軟件，修復(fù)率達(dá)到50%左右。（5）

50、通電后硬盤(pán)電機(jī)不轉(zhuǎn)動(dòng)一般是電路板故障，更換器件后，修復(fù)率達(dá)到60%左右。,6.3 .4 硬盤(pán)常見(jiàn)故障分析,（6）BIOS不能識(shí)別硬盤(pán)有多種原因，可能是電路板接口故障；也有可能是硬盤(pán)進(jìn)入內(nèi)部保護(hù)模式，需用專業(yè)軟件進(jìn)行維修。（7）硬盤(pán)異響多是磁頭損壞，需要開(kāi)盤(pán)修理；如果硬盤(pán)中的數(shù)據(jù)不重要，則沒(méi)有維修的必要。（8）硬盤(pán)噪音較大噪音很大，不能讀寫(xiě)，一般是機(jī)械故障，沒(méi)有維修價(jià)值。（9）硬盤(pán)密碼遺忘筆記本硬盤(pán)密碼保護(hù)，如不慎忘記

51、，就是廠商也無(wú)法解密。臺(tái)式機(jī)硬盤(pán)密碼可用專業(yè)軟件清除。,6.3 .4 硬盤(pán)常見(jiàn)故障分析,硬盤(pán)常見(jiàn)故障現(xiàn)象,6.3 .4 硬盤(pán)常見(jiàn)故障分析,【補(bǔ)充】硬盤(pán)健康狀態(tài)檢測(cè),6.3 .4 硬盤(pán)常見(jiàn)故障分析,【補(bǔ)充】硬盤(pán)維修軟件,6.4 光盤(pán)結(jié)構(gòu)與故障維修,6.4.1 只讀光盤(pán)基本結(jié)構(gòu),1. 光盤(pán)的類型只讀光盤(pán)CD-ROM：容量為650MB；DVD-ROM：容量為4.7-17GB；BD-ROM：容量為23-27GB。寫(xiě)一次光盤(pán)

52、CD-R、DVD-R、BD-R。讀寫(xiě)光盤(pán)CD-RW、DVD-RW、BD-RW。,6.4.1 只讀光盤(pán)基本結(jié)構(gòu),不同規(guī)格DVD光盤(pán)容量,6.4.1 只讀光盤(pán)基本結(jié)構(gòu),2. 只讀光盤(pán)物理結(jié)構(gòu) 保護(hù)層（透明塑料涂層）反射層（鍍鋁涂層）塑料基板層（數(shù)據(jù)記錄）標(biāo)簽層（光盤(pán)屏蔽保護(hù)）等。,6.4.1 只讀光盤(pán)基本結(jié)構(gòu),3．光盤(pán)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)原理光盤(pán)每扇區(qū)為2KB。光盤(pán)中每個(gè)溝槽邊緣代表數(shù)據(jù)“1”，其它地方代表數(shù)據(jù)“0”。,6.4.

53、2 讀寫(xiě)光盤(pán)基本結(jié)構(gòu),1．DVD-R光盤(pán)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)原理一次性寫(xiě)光盤(pán)也稱為刻錄光盤(pán)。 規(guī)格：BD-R、DVD-R、CD-R。原理：刻錄光盤(pán)中，有一種有機(jī)染料，它在高溫下會(huì)發(fā)生分子排列變化，可以用來(lái)記錄數(shù)據(jù)。,6.4.2 讀寫(xiě)光盤(pán)基本結(jié)構(gòu),刻錄工作原理：DVD-R光盤(pán)在刻錄過(guò)程中，刻錄機(jī)激光頭按數(shù)據(jù)脈沖信號(hào)發(fā)出高能量激光。激光透過(guò)光盤(pán)表面的透明層，使有機(jī)染料局部熔化。光照冷卻后，有機(jī)染料的透光性在一些局部遭到了永久性破壞，沒(méi)有受到

54、激光照射的局部則呈現(xiàn)良好的透光率，這樣就在DVD-R光盤(pán)上形成了永久的數(shù)據(jù)記錄點(diǎn)。DVD-R需要連續(xù)寫(xiě)入，但是存儲(chǔ)在DVD-R中的數(shù)據(jù)可以隨機(jī)讀出。,6.4.2 讀寫(xiě)光盤(pán)基本結(jié)構(gòu),2．DVD-RW光盤(pán)結(jié)構(gòu)刻錄原理：一些特殊晶體材料在不同溫度下分別呈結(jié)晶態(tài)與非結(jié)晶態(tài)，使用不同功率的激光對(duì)它們照射，就可以使晶體材料發(fā)生相變。,6.4.3 光盤(pán)基本邏輯結(jié)構(gòu),2．光盤(pán)的扇區(qū)結(jié)構(gòu)計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)選擇Mode 1扇區(qū)模式；Mode 2適合存

55、放圖形、聲音、影音等資料。,6.4.3 光盤(pán)基本邏輯結(jié)構(gòu),光盤(pán)采用計(jì)時(shí)地址系統(tǒng)。它以分、秒和百分秒時(shí)間值作為地址。,,計(jì)時(shí)尋址,6.4.4 光驅(qū)基本工作原理,光驅(qū)采用向下兼容的設(shè)計(jì)方案。例如，BD-ROM光驅(qū)可以讀出DVD-ROM、CD-ROM、DVD-R、DVD-RW、CD-ROM等光盤(pán)。光驅(qū)組成激光頭、光頭驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)、光盤(pán)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)、控制電路、數(shù)據(jù)處理芯片等電路。,6.4.4 光驅(qū)基本工作原理,CD-ROM基準(zhǔn)傳輸速率：15

56、0KB/s（1x）。例：如50x光驅(qū)的數(shù)據(jù)傳輸速度為7.5MB/s。DVD基準(zhǔn)速率：1.35MB/s（1x）。例：20x光驅(qū)最大數(shù)據(jù)傳輸速度為27MB/s。BD-ROM基準(zhǔn)速率：4.5MB/s（1x）。最大數(shù)據(jù)傳輸速度激光頭在光盤(pán)最外圈讀寫(xiě)數(shù)據(jù)所達(dá)到的最大值；光盤(pán)內(nèi)圈數(shù)據(jù)傳輸速度大約為外圈的一半左右。,6.4.4 光驅(qū)基本工作原理,DVD光驅(qū)數(shù)據(jù)傳輸速度,6.4.4 光驅(qū)基本工作原理,光驅(qū)數(shù)據(jù)讀取原理,6.4.4 光