一些簡單的知識(半導(dǎo)體)

1、一.中國半導(dǎo)體器件型號命名方法半導(dǎo)體器件型號由五部分(場效應(yīng)器件.半導(dǎo)體特殊器件.復(fù)合管.PIN型管.激光器件的型號命名只有第三.四.五部分)組成。五個部分意義如下:第一部分:用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2二極管.3三極管第二部分:用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時:AN型鍺材料.BP型鍺材料.CN型硅材料.DP型硅材料。表示三極管時:APNP型鍺材料.BNPN型鍺材料.CPNP型硅材料.DNPN型硅材料。第三

2、部分:用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。P普通管.V微波管.W穩(wěn)壓管.C參量管.Z整流管.L整流堆.S隧道管.N阻尼管.U光電器件.K開關(guān)管.X低頻小功率管(F3MHzPc1W).A高頻大功率管(f3MHzPc1W).T半導(dǎo)體晶閘管(可控整流器).Y體效應(yīng)器件.B雪崩管.J階躍恢復(fù)管.CS場效應(yīng)管.BT半導(dǎo)體特殊器件.FH復(fù)合管.PINPIN型管.JG激光器件。第四部分:用數(shù)字表示序號第五部分:用漢語拼音字母表示規(guī)格號例如:3DG18

3、表示NPN型硅材料高頻三極管日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法二.日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件由五至七部分組成。通常只用到前五個部分其各部分的符號意義如下:第一部分:用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0光電(即光敏)二極管三極管及上述器件的組合管.1二極管.2三極或具有兩個pn結(jié)的其他器件.3具有四個有效電極或具有三個pn結(jié)的其他器件.┄┄依此類推。第二部分:日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊標(biāo)志。S表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊登記的半導(dǎo)體分

4、立器件。第三部分:用字母表示器件使用材料極性和類型。APNP型高頻管.BPNP型低頻管.CNPN型高頻管.DNPN型低頻管.FP控制極可控硅.GN控制極可控硅.HN基極單結(jié)晶體管.JP溝道場效應(yīng)管.KN溝道場效應(yīng)管.M雙向可控硅。第四部分:用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數(shù)從“11“開始表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號；不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號；數(shù)字越大越是近期產(chǎn)品。第五部分:用

5、字母表示同一型號的改進(jìn)型產(chǎn)品標(biāo)志。A.B.C.D.E.F表示這一器件是原型號產(chǎn)品的改進(jìn)產(chǎn)品。美國半導(dǎo)體分立器件型號命名方法三.美國晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國電子工業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體分立器件命名方法如下:第一部分:用符號表示器件用途的類型。JAN軍級.JANTX特軍級.JANTXV超特軍級.JANS宇航級.(無)非軍用品。第二部分:用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。1二極管.2=三極管.3三個pn結(jié)器件.nn個pn結(jié)器件。第三部分:美國電子

6、工業(yè)協(xié)會(EIA)注冊標(biāo)志。N該器件已在美國電子工業(yè)協(xié)會(EIA)注冊登記。第四部分:美國電子工業(yè)協(xié)會登記順序號。多位數(shù)字該器件在美國電子工業(yè)協(xié)會登記的順序號。第五部分:用字母表示器件分檔。A.B.C.D.┄┄同一型號器件的不同檔別。如:JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關(guān)三極管JAN軍級.2三極管.NEIA注冊標(biāo)志.3251EIA登記順序號.A2N3251A檔。四.國際電子聯(lián)合會半導(dǎo)體器件型號命名方法德國.法國.意大利.荷蘭

7、.比利時等歐洲國家以及匈牙利.羅馬尼亞.南斯拉夫.波蘭等東歐國家大都采用國際電子聯(lián)合會半導(dǎo)體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成各部分的符號及意義如下:第一部分:用字母表示器件使用的材料。A器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6~1.0eV如鍺.B器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅.C器件使用材料的Eg1.3eV如砷化鎵.D器件使用材料的Eg第二部分:用字母表示器件的類型及主要特征。A檢波開關(guān)混頻二極管.B變?nèi)荻O管

8、.C低頻小功率三極管.D低頻大功率三極管.E隧道二極管.F高頻小功率三極管.G復(fù)合器件及其他器件.H磁敏二極管.K開放磁路中的霍爾元件.L高頻大功率三極管.M封閉磁路中的霍爾元件.P光敏器件.Q發(fā)光器件.R小功率晶閘管.S小功率開關(guān)管.T大功率晶閘管.U大功率開關(guān)管.X倍增二極管.Y整流二極管.Z穩(wěn)壓二極管。第三部分:用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號。三位數(shù)字代表通用半導(dǎo)體器件的登記序號.一個字母加二位數(shù)字表示專用半導(dǎo)體器件的登記序號。第四

9、部分:用字母對同一類型號器件進(jìn)行分檔。A.B.C.D.E┄┄表示同一型號的器件按某一參數(shù)進(jìn)行分檔的標(biāo)志。除四個基本部分外有時還加后綴以區(qū)別特性或進(jìn)一步分類。常見后綴如下:1.穩(wěn)壓二極管型號的后綴。其后綴的第一部分是一個字母表示穩(wěn)定電壓值的容許誤差范圍字母A.B.C.D.E分別表示容許誤差為1%.2%.5%.10%.15%；其后綴第二部分是數(shù)字表示標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的整數(shù)數(shù)值；后綴的第三部分是字母V代表小數(shù)點IGT晶閘管控制極觸發(fā)電流IGD晶閘

10、管控制極不觸發(fā)電流IGFM控制極正向峰值電流IR(AV)反向平均電流IR(In)反向直流電流(反向漏電流)。在測反向特性時給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負(fù)載電路中加反向電壓規(guī)定值時所通過的電流；硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩(wěn)壓二極管在反向電壓下產(chǎn)生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。IRM反向峰值電流IRR晶閘管反向重復(fù)平均電流IDR晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流IRRM反向重復(fù)峰值電流IRSM反向

11、不重復(fù)峰值電流(反向浪涌電流)Irp反向恢復(fù)電流Iz穩(wěn)定電壓電流(反向測試電流)。測試反向電參數(shù)時給定的反向電流Izk穩(wěn)壓管膝點電流IOM最大正向(整流)電流。在規(guī)定條件下能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負(fù)荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流IZSM穩(wěn)壓二極管浪涌電流IZM最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流iF正向總瞬時電流iR反向總瞬時電流ir反向恢復(fù)電流Iop工作電流Is穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電

12、流f頻率n電容變化指數(shù)；電容比Q優(yōu)值(品質(zhì)因素)δvz穩(wěn)壓管電壓漂移didt通態(tài)電流臨界上升率dvdt通態(tài)電壓臨界上升率PB承受脈沖燒毀功率PFT(AV)正向?qū)ㄆ骄纳⒐β蔖FTM正向峰值耗散功率PFT正向?qū)偹矔r耗散功率Pd耗散功率PG門極平均功率PGM門極峰值功率PC控制極平均功率或集電極耗散功率Pi輸入功率PK最大開關(guān)功率PM額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率PMP最大漏過脈沖功率PMS最大承受脈沖功率Po