計(jì)算機(jī)第三次調(diào)研試卷

1、1鹽城市2010年普通高校單獨(dú)招生第三次調(diào)研考試試卷計(jì)算機(jī)應(yīng)用專業(yè)綜合理論計(jì)算機(jī)應(yīng)用專業(yè)綜合理論本試卷分第Ⅰ卷（單項(xiàng)選擇題、判斷題）和第Ⅱ卷（填空題、程序閱讀題、案例分析題和計(jì)算作圖題）兩部分。第Ⅰ卷1至4頁，第Ⅱ卷5至12頁。兩卷滿分300分，考試時(shí)間150分鐘。第Ⅰ卷（共卷（共90分）分）一、單項(xiàng)選擇題（本大題共一、單項(xiàng)選擇題（本大題共3030小題，每小題小題，每小題2分，共分，共6060分。分。）1、某數(shù)在計(jì)算機(jī)中用8421BCD

2、碼表示為001110011000，其真值為（）。A、398B、98HC、1630QD、1110011000B2、高速緩沖存儲(chǔ)器Cache一般采取()。A、隨機(jī)存取方式B、順序存取方式C、半順序存取方式D、只讀不寫方式3、以下屬于邏輯運(yùn)算的一組算式是（）A、11=0B、11=01C、11=10D、11=14、單地址指令中為了完成兩個(gè)數(shù)的算術(shù)運(yùn)算，除地址碼指明的一個(gè)操作數(shù)外，另一個(gè)數(shù)常采用（）。A、堆棧尋址B、立即尋址C、隱含尋址D、間接尋

3、址5、下列邏輯部件中，（）不包括在運(yùn)算器內(nèi)。A、累加器B、狀態(tài)條件寄存器C、指令寄存器D、ALU6、串行接口是指（）。A、主機(jī)和接口之間、接口和外設(shè)之間都采用串行傳送B、主機(jī)和接口之間串行傳送，接口和外設(shè)之間并行傳送C、主機(jī)和接口之間并行傳送，接口和外設(shè)之間串行傳送D、系統(tǒng)總線采用串行總線7、在常用磁盤的各磁道中()。A、最外圈磁道的位密度最大B、最內(nèi)圈磁道的位密度最大C、中間磁道的位密度最大D、所有磁道的位密度一樣大8、狀態(tài)寄存器用來

4、存放()。A、算術(shù)運(yùn)算結(jié)果B、運(yùn)算類型C、邏輯運(yùn)算結(jié)果D、算術(shù)運(yùn)算邏輯運(yùn)算及指令的狀態(tài)結(jié)果9、硬盤執(zhí)行完“格式化”操作以后，其中的信息________。A、只保留系統(tǒng)文件B、全部丟失C、只保留只讀文件D、沒有改變10、熱敏打印機(jī)屬于________打印機(jī)？A、擊打式B、激光式C、非擊打式D、噴墨式3電壓卻不會(huì)改變；C、我們規(guī)定自負(fù)極通過電源內(nèi)部指向正極的方向?yàn)殡娫吹碾妱?dòng)勢(shì)方向；D、在電阻的分流電路中，電阻值越大，流過電阻的電流越大。26

5、、一電源在負(fù)載電阻分別為4Ω和9Ω時(shí)輸出功率相等，則電源內(nèi)阻為Ω。A、4B、6C、9D、1227、圖示電路中，已知I1=11mA，I4=12mA，I5=6mA。I2，I3和I6的值為_________。A、I2=7mAI3=5mAI6=18mAB、I2=7mAI3=5mAI6=18mAC、I2=7mAI3=10mAI6=18mAD、I2=7mAI3=5mAI6=18mA28、圖示電路中，已知：E=9VIk=6mA，當(dāng)電壓源E單獨(dú)作用時(shí)，

6、通過RL的電流是1mA，那么當(dāng)電壓源E和電流源Ik共同作用時(shí)，通過電阻RL的電流IL是__________。A、3mAB、4mAC、3mAD、4mA29、圖示電路中，忽略二極管的正向壓降，F(xiàn)點(diǎn)電位為__________A、0VB、3VC、9VD、12V30、已知某電路的真值表如下，該電路的邏輯表達(dá)式為。A、B、C、D、CY?ABCY?CABY??CCBY??ABCYABCY00001000001110110100110101111111