相噪對(duì)evm和頻偏的影響

1、劉穎穎相噪對(duì)EVM和頻偏的影響相噪對(duì)相噪對(duì)EVM和頻偏的影響和頻偏的影響1參數(shù)定義參數(shù)定義1.11.1相噪的定義相噪的定義為了理解相位噪聲譜L(f)的定義，我們首先定義時(shí)鐘信號(hào)的功率譜密度。將時(shí))(fSc鐘信號(hào)接頻譜分析儀，即可測(cè)得。相位噪聲譜L(f)定義為頻率f處的值與時(shí))(fSc)(fSc鐘頻率處的值之差，以dB表示。圖1說明了L(f)的定義。cf)(fSc圖1.相位噪聲譜的定義相位噪聲譜L(f)的數(shù)學(xué)定義為：indBc(1))](

2、)(log[10)(ccccfSfSffL??1.21.2EVMEVM的定義的定義EVM指標(biāo)通常用來描述發(fā)射信號(hào)的調(diào)制精度。TDSCDMA和寬帶CDMA（WCDMA）標(biāo)準(zhǔn)都用這個(gè)指標(biāo)表征發(fā)射信號(hào)的質(zhì)量。眾所周知接收機(jī)的BER指標(biāo)通常用來描述信噪比的性能。EVM是一個(gè)幅值量，表示為一個(gè)百分比，但是每個(gè)測(cè)量點(diǎn)上的相位和幅值誤差都是要測(cè)量的。很多信號(hào)都要測(cè)量EVM。實(shí)際上，EDGE標(biāo)準(zhǔn)要求要在200個(gè)以上的突發(fā)脈沖上測(cè)量EVM，因此它通常指的

3、是RMS或者峰值EVM。RMSEVM定義為平均誤差矢量功率與平均基準(zhǔn)功率的比值的平方根。峰值EVM是在測(cè)量區(qū)間內(nèi)出現(xiàn)的最大EVM。1.31.3頻率偏移的定義頻率偏移的定義頻率偏移用來衡量頻率穩(wěn)定度，頻率穩(wěn)定度為用戶設(shè)備(UE)射頻傳輸與基站(BS)射頻傳輸之間的已調(diào)載波頻率之差。在一個(gè)時(shí)隙周期內(nèi)，相對(duì)于從BS接收到的信號(hào)，UE頻率穩(wěn)定度應(yīng)當(dāng)在0.1ppm范圍內(nèi)。所以綜測(cè)儀的頻率穩(wěn)定度至少應(yīng)在0.05ppm范圍內(nèi)。2參數(shù)相互之間的關(guān)系參數(shù)

4、相互之間的關(guān)系2.12.1相噪與相噪與EVMEVM的關(guān)系的關(guān)系時(shí)鐘信號(hào)周期抖動(dòng)是實(shí)測(cè)周期和理想周期之間的時(shí)間差。由于具有隨機(jī)分布的特PERJ點(diǎn)，可以用峰峰值或均方根值(RMS)描述。我們首先定義門限為的時(shí)鐘上升沿位于時(shí)THV劉穎穎相噪對(duì)EVM和頻偏的影響其中是q(t)的頻域表示。根據(jù)L(f)的定義，我們可以得到：)(fS?(6))](log[10)]()(log[10)(cccccffSfSfSffL?????可以看出L(f)是以dB表

5、示的。這實(shí)際上也揭示了L(f)的真正含義。)(fS?通過圖4所示裝置可以測(cè)量L(f)，C(t)與cos(2πfCt)混頻后經(jīng)過低通濾波器濾波，然后輸入頻譜儀，輸入頻譜儀的信號(hào)n(t)可以表示為：(7)2)()(tAtn??頻譜儀的輸出為：(8))(4)()(22fSAdtetnfSftn??????????由此可以得到相位噪聲和L(f)：)(fS?(9)10)(22210)(4)(4)(fLnftfSAdtetnAfS?????????

6、??通過將n(t)的頻譜按比例縮減A4，可以直接得到以dBc表示的L(f)。通過式11可以推導(dǎo)出Θ(t)的均方值(MS)：(10)???????????010)(0202102)(42)(2)(fLndffSAdffSt??從式(5)開始，最終推導(dǎo)出了周期抖動(dòng)和相位噪聲譜L(f)之間的關(guān)系：PERJRMS(11)dfftfJfLccPER??????010)(210221)(21???在一些類似SO和10Gb應(yīng)用中，工程師僅關(guān)心特定頻段