pv800硅片線痕分析

1、PV800.硅片線痕分析分類：線痕按表現(xiàn)形式分為雜質線痕、劃傷線痕、密布線痕、錯位線痕、邊緣線痕等。各種線痕產生的原因如下：1、雜質線痕：由多晶硅錠內雜質引起，在切片過程中無法完全去除，導致硅片上產生相關線痕。表現(xiàn)形式：（1）線痕上有可見黑點，即雜質點。（2）無可見雜質黑點，但相鄰兩硅片線痕成對，即一片中凹入，一片凸起，并處同一位置。（3）以上兩種特征都有。（4）一般情況下，雜質線痕比其它線痕有較高的線弓。改善方法：（1）改善原材料或鑄

2、錠工藝，改善IPQC檢測手段。（2）改善切片工藝，采用粗砂、粗線、降低臺速、提高線速等。其它相關：硅錠雜質除會產生雜質線痕外，還會導致切片過程中出現(xiàn)“切不動”現(xiàn)象。如未及時發(fā)現(xiàn)處理，可導致斷線而產生更大的損失。2、劃傷線痕：由砂漿中的SIC大顆?；蛏皾{結塊引起。切割過程中，SIC顆?！翱ā痹阡摼€與硅片之間，無法溢出，造成線痕。表現(xiàn)形式：包括整條線痕和半截線痕，內凹，線痕發(fā)亮，較其它線痕更加窄細。改善方法：（1）針對大顆粒SIC（2.5~

3、3D50），加強IQC檢測；使用部門對同一批次SIC先進行試用，然后再進行正常使用。（2）導致砂漿結塊的原因有：砂漿攪拌時間不夠；SIC水分含量超標，砂漿配制前沒有進行烘烤；PEG水分含量超標（重量百分比0.5%）；SIC成分中游離C（0.03%）以及2μm微粉超標。其它相關：SIC的特性包括SIC含量、粒度、粒形、硬度、韌性等，各項性能對于切片都有很大的影響。3、密布線痕（密集型線痕）：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機砂漿回路系統(tǒng)問題

4、，造成硅片上出現(xiàn)密集線痕區(qū)域。改善方法：校準設備。2、工作臺問題：工作臺的不穩(wěn)定性會導致大量TTV不良的產生。改善方法：維修工作臺。3、導輪問題：因導輪問題而產生的TTV不良，一般出現(xiàn)在新導輪和導輪磨損很大的時候。改善方法：更換導輪。4、導向條粘膠問題：當導向條下的膠水涂抹不均勻，出現(xiàn)部分空隙，在空隙位置的硅片，易出現(xiàn)TTV不良問題。改善方法：規(guī)范粘膠操作。三、臺階臺階的出現(xiàn)，是由切片過程中的鋼線跳線引起，而導致鋼線跳線的原因，包括設備