液晶材料與技術(shù)(11)——lcd工藝技術(shù)討論—陣列1

1、液晶材料與技術(shù)（9） ——LCD工藝技術(shù),■ 陣列關(guān)鍵工藝■ 制屏關(guān)鍵工藝■ 模組關(guān)鍵工藝,,■陣列關(guān)鍵工藝■ 制屏關(guān)鍵工藝■ 模組關(guān)鍵工藝,Array制程中的幾個(gè)主要技術(shù),清洗濺射（PVD)CVD （PECVD）曝光和顯影刻蝕工藝,,與灰塵做斗爭是TFT-LCD行業(yè)永恒的任務(wù)！進(jìn)入TFT-LCD制造車間看到最多的設(shè)備就是各式各樣的清洗裝置有人估計(jì)在液晶顯示器的整個(gè)制備工藝中清洗工藝的

2、工作量占總工作量的30%--40%，而且隨著液晶顯示技術(shù)的不斷進(jìn)步清洗工藝正發(fā)揮著越來越重要的作用。,,幾個(gè)納米的顆粒就會(huì)造成膜的表面狀態(tài)的起伏，微米量級的顆粒就會(huì)造成膜的斷裂或短路，或者破壞器件的電學(xué)特性。玻璃基板表面的任何有機(jī)溶劑可能造成膜的脫落和溶解。不僅要消除各種微小顆啦，還要消除各種可能的有機(jī)污染。,洗凈原理及方法,濕式化學(xué)清洗,超聲波,濕式清洗,干式清洗,刷洗,紫外線照射清洗,高壓液體噴淋,二流體噴淋清洗,等離子體清洗,

3、,,浸泡式超聲波清洗法,流水式高頻超聲波清洗法,超高壓微細(xì)顆粒水噴射清洗,1.濕式化學(xué)清洗所謂濕式化學(xué)清洗技術(shù)，是以液態(tài)酸、堿溶劑與去離子水.之混合液清洗基板表面，并干燥的程序。化學(xué)清洗不僅可以有效去除有機(jī)物，也可以通過化學(xué)反應(yīng)有效去除金屬等無機(jī)污染物。但是濕式化學(xué)清洗法有時(shí)不但不能去除微粒，反而會(huì)增加微粒在基板表面附著的可能性。僅僅采用濕式化學(xué)清洗還不能完全解決問題。,,,2.涮洗(擦洗)刷洗是利用刷子在基板表面滾動(dòng)去除微粒

4、及有機(jī)薄膜的一種機(jī)械清洗方法。清洗溶液一般采用去離子水.加上一些可以降低水的表面張力的清潔劑。在不同工藝階段的清洗對刷洗的要求是不一樣的。刷洗中需要注意的是防止刷毛對基板圖形的損傷，刷毛的品質(zhì)非常重要，在基板成膜以后的清洗中，刷毛最好不要直接接觸基板圖形表面。,,刷洗的方法有兩種：一種是橫向滾刷，即圓滾的軸線平行與玻璃板基所在的平面，另一種是縱向滾刷，即圓滾的軸線是與玻璃板基所在的平面垂直的。,,使用刷洗方法應(yīng)注意的是：必須保持

5、刷子經(jīng)常清潔，防止由于刷子上粘染的污垢把玻璃板基弄臟而造成再污染。一般刷子的使用壽命都不長，使用時(shí)間長了還會(huì)發(fā)生掉毛現(xiàn)象，因此需要定期更換。特別應(yīng)該注意的是，當(dāng)玻璃板基上的涂層材質(zhì)比較松軟時(shí)，刷洗時(shí)容易造成膜層被劃傷，因此這時(shí)不宜采用刷洗的方法。,3.高壓液體噴淋是利用高壓泵把清洗用水加壓到10～30公斤的高壓力，再通過噴嘴把高壓低流速的水轉(zhuǎn)化成低壓高流速的清洗水噴射到玻璃基板的表面進(jìn)行清洗的，為了擴(kuò)大清洗面常使用能形成扁平扇形

6、狀清洗面的噴嘴。用這種方法可去除玻璃基板上的3～5μm的粒子。用這種方法可對在流水線上運(yùn)行的玻璃基板進(jìn)行連續(xù)化的在線清洗。對于較小微粒而言，去除效率并不高。一般液體壓力達(dá) 到100 psig (1 psig的單位是1磅/平方英寸=6894.757 N· m-2)才可以有效去除微粒，但如此的高壓會(huì)對基板表面圖形產(chǎn)生傷害。,TFT-LCD設(shè)計(jì)及制作,4.二流體噴淋清洗將一種高壓氣態(tài)流體與一種液態(tài)流體混合后，再通過一種

7、特殊的噴嘴（超音速噴嘴）使高壓氣體與清洗液形成的液滴，以超過聲音在空氣中的傳播速度（340 米/ 秒）的速度噴出，而把需要清洗的物體放在一個(gè)可發(fā)生旋轉(zhuǎn)的圓盤上并使它做旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，當(dāng)從噴嘴中噴射出的液滴噴射到做旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的被清洗物體上時(shí)，就會(huì)立即崩解并對被清洗物體產(chǎn)生強(qiáng)大的沖擊清洗作用，此時(shí)清洗液的速度可達(dá)到1000 米/ 秒，在被清洗物體上附著的超微小顆粒在雙流體清洗液噴射時(shí)產(chǎn)生的沖擊波作用、被清洗物體表面受到?jīng)_擊時(shí)產(chǎn)生的振動(dòng)作用、液滴沿被

8、清洗物體表面高速噴射這三種作用的協(xié)同作用下而被去除。能取得對粒徑在0.1 μ m 的微細(xì)顆粒的去除率達(dá)到80% 以上的效果。,TFT-LCD設(shè)計(jì)及制作,,流體的主要成分是水、乙醇、氨水、除臭劑、抗靜電劑、表面活性劑等;高壓氣體主要是壓縮空氣、氮?dú)?N2)、蒸氣。,TFT-LCD設(shè)計(jì)及制作,,5.超聲波超聲波具有很高的能量，它在傳媒液體中傳播時(shí)，把能量傳遞給傳媒質(zhì)點(diǎn)，傳媒質(zhì)點(diǎn)再將能量傳遞到清洗對象物表面，將聲能轉(zhuǎn)化為機(jī)械振動(dòng)能，造成污

9、垢解離分散。,TFT-LCD設(shè)計(jì)及制作,干法清洗與濕法清洗相比，雖然它在玻璃基板上污垢量較大的情況下，清洗效果往往不如濕法，但當(dāng)濕法使用的藥液難以滲透到微米級的細(xì)微縫隙中時(shí)，或被清除的污垢是有機(jī)物時(shí)，使用干法清洗會(huì)有較好的效果。而且干法清洗具有不需對用過的清洗液進(jìn)行廢液處理，環(huán)境負(fù)荷小等優(yōu)點(diǎn)。所以有時(shí)要采用干法清洗，或做為濕法清洗工藝中的一個(gè)環(huán)節(jié)使用，以提高清洗效果。,干式清洗,TFT-LCD設(shè)計(jì)及制作,,干洗技術(shù)由于可以有效清除灰塵

10、等微粒子，而且可以節(jié)約大量水資源，因而受到重視。目前在液晶顯示器制備工藝中使用的干法清洗技術(shù)主要有紫外線照射清洗和等離子體清洗兩種。,TFT-LCD設(shè)計(jì)及制作,（1）紫外線照射清洗（UV光清洗）紫外線照射清洗的原理是利用裝在石英玻璃管中制成的低壓汞燈，在工作時(shí)發(fā)出的短波紫外光進(jìn)行清洗的，紫外線具有較高的能量，而且波長越短的紫外光能量越高。當(dāng)紫外光照射到污垢上時(shí)，物質(zhì)的分子吸收紫外光后會(huì)處于高能量的激發(fā)狀態(tài)并可能發(fā)生分子內(nèi)的化學(xué)鍵斷裂

11、而分解。紫外線在與空氣中氧氣作用時(shí)，可以把氧氣分子激發(fā)并轉(zhuǎn)化成化學(xué)反應(yīng)能力比氧氣更強(qiáng)的臭氧或活性氧原子，臭氧或活性氧原子在與污垢分子反應(yīng)時(shí)，（特別是有機(jī)物分子時(shí)）就可以將污垢分解成水、二氧化碳等小分子而被除去。所以用紫外線照射被污染的玻璃基板可以達(dá)到清洗的效果。,TFT-LCD設(shè)計(jì)及制作,,但是在采用紫外線照射清洗時(shí)應(yīng)注意它存在的幾個(gè)問題。一是紫外線照射清洗使用的低壓汞燈的壽命有一定限制，一般維持在1000～2000小時(shí)左右，所

12、以使用一定時(shí)間后就要進(jìn)行一次更換設(shè)備和修整，頻繁更換產(chǎn)生的低壓汞燈等廢棄物會(huì)使環(huán)境的負(fù)荷大大增加。二是隨著液晶顯示技術(shù)的不斷進(jìn)步，玻璃基板的尺寸不斷加大處理、速度不斷加快，要求紫外線照射清洗使用的設(shè)備也要大型化和大幅度提高功率，但這對紫外線照射清洗設(shè)備來說是有很大難度的。,TFT-LCD設(shè)計(jì)及制作,,（2）等離子（體）清洗另一種常用的干法清洗技術(shù)是等離子（體）清洗。在電場中保持低壓狀態(tài)的一些氣態(tài)分子在輝光放電的情況下，可以分解出加

13、速運(yùn)動(dòng)的電子和解離成帶有正、負(fù)電荷的原子和分子，這些物質(zhì)微粒都處于高能量的激發(fā)狀態(tài)。在產(chǎn)生這些物質(zhì)微粒的過程中還伴隨產(chǎn)生紫外線等高能態(tài)光線。把以這種形式存在的物質(zhì)狀態(tài)稱為等離子體，也是物質(zhì)除了以固態(tài)、液態(tài)、氣態(tài)方式存在之外的第四種存在狀態(tài)。,TFT-LCD設(shè)計(jì)及制作,,由于在等離子體存在許多高能態(tài)的物質(zhì)，所以當(dāng)?shù)入x子體與玻璃基板上的污垢接觸時(shí)，這些處于活化狀態(tài)的物質(zhì)微粒就會(huì)與污垢反應(yīng)使污垢分子分解而被去除。,TFT-LCD設(shè)計(jì)及制作,

14、,利用等離子體產(chǎn)生自由基與污染物反應(yīng)，例如:氧(O2 )等離子體可去除光刻膠和細(xì)小有機(jī)物;氯化氫(HCl)和氬(Ar)混合等離子體用來去除金屬污染物;三氟化氮(NF3 )、氫(H2 )及氬 (Ar)等離子體可解決各種氧化物污染問題，再以氣流將生成物帶出反應(yīng)槽。,TFT-LCD設(shè)計(jì)及制作,,等離子（體）清洗用于對液晶顯示玻璃基板、半導(dǎo)體硅片、電子部件上的有機(jī)污垢進(jìn)行清洗。采用等離子（體）清洗不僅可以有效去除污垢，而且可以大大改變表

15、面的性質(zhì)，增加表面對加工材料的黏合性能。而且因?yàn)榭梢栽谏a(chǎn)線上連續(xù)快速處理，所以效率比紫外線清洗更高。,TFT-LCD設(shè)計(jì)及制作,,各種常用的基板清洗方法的比較,,洗凈設(shè)備,整套清洗設(shè)備由裝料周轉(zhuǎn)盒、機(jī)械手、傳送裝置、干洗部分紫外光化學(xué)反應(yīng)清洗艙(紫外單元)和濕洗部分(藥液噴淋艙、刷洗、高壓噴淋、超聲波清洗、氣刀) 綜合組成，形成清洗生產(chǎn)線。,,,Array制程中的幾個(gè)主要技術(shù),清洗濺射（PVD)CVD （PECVD）曝光和顯

16、影刻蝕工藝,什么是PVD？,PVD：physical vapor deposition物理氣相沉積法,在TFT制造工藝中共有5道濺射工序，分別為：柵極(G)配線的鋁鈮(AINb)含金和鉬鈮合金(MoNb)金屬膜或者銅(Cu)金屬膜，源極和漏極及其配線的鉻(Cr)金屬膜，像素電極的氧化銦錫(ITO)金屬膜彩色濾光片的鉻膜。公共電極的氧化銦錫(ITO)金屬膜,1、濺射原理,濺射主要是一種金屬成膜的方法，該方法利用高能量電子的解

17、離作用，使濺射氣體離化形成等離子體(如果是直流濺射，這時(shí)候伴有輝光放電現(xiàn)象發(fā)生) ，氣體等離子體在電場的加速下轟擊靶材，使靶材原子濺射轉(zhuǎn)移到基板表面形成致密的薄膜 。,,,,,,,,濺射成膜的基本過程如下:(1)工藝室抽真空。在大氣壓下比較容易控制膜的質(zhì)量。(2)真空度達(dá)到4×10-l~1 Pa時(shí)導(dǎo)入氬氣，并保持壓力穩(wěn)定。壓力對膜的致密性、膜的均勻性和成膜的速率都有影響，在壓力達(dá)到10-2 Pa時(shí)會(huì)產(chǎn)生輝光放電。(3)向

18、陰極(靶材)加載射頻(RF)或直流(DC)電壓，產(chǎn)生等離子體。RF用于絕緣體成膜，DC用于金屬成膜。(4)等離子體產(chǎn)生后在電場的作用下加速轟擊靶材。沖擊能量要大于100 eV才比較有效。(5)靶材彈出的原子附著到玻璃基板，形成需要的膜。,,在濺射工藝中真空技術(shù)非常重要，工藝室抽成真空，一方面可防止陰極、靶材氧化以及控制和消除大氣中雜質(zhì)的影響;另一方面可保證導(dǎo)入的工藝氣體在低氣壓下獲得高的放電效率。排氣泵可以采用低溫泵、分子泵等。為

19、了有效控制氣體壓力，高時(shí)也使用電磁閥。粗抽泵也有使用干泵的。,,2 、濺射分類 （1）直流濺射 （2）射頻濺射 （3）磁控濺射 （4）反應(yīng)性濺射 （5）離子束濺射,（1）直流濺射（RC): 陰極與基板直接加載直流電壓。,1：成膜基板和膜靶材近距離配置。 2：到達(dá)真空狀態(tài)之后，在靶和基板之間加高電壓。3：電子和離子在高電壓下高速運(yùn)動(dòng)，離子撞擊靶材，高速運(yùn)動(dòng)的電子和離子與氣體分子碰撞

20、，產(chǎn)生更多的離子。 4：離子撞擊靶后，把靶材的粒子濺射出去。 5：被濺射出來的靶材的粒子到達(dá)成膜基板上成膜。,直流濺射的優(yōu)點(diǎn)：,設(shè)備簡單 濺射率高對基板的損傷較小,直流濺射的缺點(diǎn)：,1、發(fā)生輝光放電，設(shè)備的真空程度較差，殘留氣體影響較大。比如說成長的薄膜和殘留氣體發(fā)生 化學(xué)反應(yīng)，或薄膜中有氣泡等。 2、氣體成為等離子體狀態(tài)，基板也處在高溫的等離子狀態(tài)中。因?yàn)楦邷乜赡軙?huì)損傷基板。 3、原料(靶)是強(qiáng)絕緣體的時(shí)候，表面會(huì)有離子

21、堆積，使放電中止。4、不可以濺射絕緣膜。,,（2）.射頻濺射 (RF濺射)為了避免干擾電臺工作，濺射(RF濺射)專用頻率規(guī)定為13.56 MHz。在射頻電源交變電場作用下，氣體中的電子隨之發(fā)生振蕩，并使氣體電離為等離子體，在射頻濺射中，電子的運(yùn)動(dòng)速度比離子更高，一個(gè)周期入射到靶材上的電子數(shù)量比離子要多。因此，在一段時(shí)間以后，靶材上由于電子電荷的堆積形成一個(gè)偏壓。通過這個(gè)偏壓轟擊靶材建立的平衡稱為自偏壓vdc。濺射是在這個(gè)平衡電壓

22、下產(chǎn)生的 。,（2）射頻濺射（RF）,1：靶和成膜基板近距離配置。2：真空腔體和靶之間加高頻率電壓。3：因?yàn)槭墙涣麟妷?，所以帶電粒子的加速方向隨電壓而變。4：因?yàn)殡娮颖入x子輕，容易移動(dòng)。 5：靶一側(cè)的電子沒有流通渠道、使電子密度升高。 6：高密度的電子使靶帶有負(fù)電、會(huì)吸引更多的陽離子撞擊靶。,射頻濺射的優(yōu)點(diǎn),可以濺射二氧化硅等絕緣膜,射頻濺射的缺點(diǎn),對基板損傷大相同功率下，濺射速率只有DC濺射的一半設(shè)備結(jié)構(gòu)復(fù)雜,（3）磁控

23、濺射 為了克服DC濺射在高真空情況下由于氣體分子密度過低而導(dǎo)致放電不能持續(xù)維持的問題，在陰極靶材內(nèi)側(cè)設(shè)置一個(gè)磁場，可以使電子在陰極表面作螺旋狀前進(jìn)的運(yùn)動(dòng)，這樣，即使氣體分子密度很小，但由于電子在靶材附近運(yùn)動(dòng)的時(shí)間延長，因此電子密度相對增大，同樣可以保證和氣體的碰撞次數(shù)，從而解離氣體產(chǎn)生等離子體，使放電持續(xù)進(jìn)行。這就是所謂的磁控濺射。 磁控濺射因?yàn)樘岣吡朔烹娦?，得到比較高的濺射率，可以在工藝氣體壓力較低的情況下工作，減小了氣體對膜

24、質(zhì)的影響，且具有成膜均一性好、重現(xiàn)性好等優(yōu)點(diǎn)，所以在生產(chǎn)領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。 但是其靶材利用效率較低。,磁控濺射,1：成膜基板和靶近距離配置、靶材的后面安裝有磁鐵。2：加高電壓之后誘發(fā)濺射。 3：因?yàn)榘兄車写艌觥㈦娮友卮帕€做螺旋運(yùn)動(dòng)。4：在螺旋運(yùn)動(dòng)電子的周圍產(chǎn)生等離子狀態(tài)、可進(jìn)行高密度濺射。,,特征 1、也可使用高頻電源。 2、在成膜基板附近沒有等離子狀態(tài)、基板不受損傷。 3、濺射量大。缺點(diǎn) 　靶材的磨損不均勻(磁場

25、較強(qiáng)的地方被大量濺射、在磁場南北極中間線附近濺射量較少)。,,(4).反應(yīng)性濺射 在氬氣中添加反應(yīng)性氣體，通過濺射得到化合物薄膜的方法稱作反應(yīng)性濺射（reactive sputter）。顧名思義，反應(yīng)性濺射方法即在成膜過程中，添加的反應(yīng)性氣體與靶材發(fā)生了反應(yīng)。反應(yīng)性氣體流量對于膜的生長速度和膜質(zhì)都會(huì)產(chǎn)生影響。,,反應(yīng)性濺射根據(jù)采用的靶材不同可以分為兩種類型，即采用純金屬(含金) 靶材進(jìn)行成膜和采用化合物靶材進(jìn)行成膜。使用純金屬 (

26、合金)靶材進(jìn)行成膜時(shí)，成膜氣體必須采用氬和反應(yīng)性氣體的混合氣體。成膜時(shí)，反應(yīng)性氣體與純金屬(合金)靶材反應(yīng)，并且最終得到化合物薄膜。,,化合物靶材是針對要得到的化合物薄膜，制作與其成分相一致的靶材。通過濺射成膜得到化合物薄膜，成膜過程中的氣體仍然要采用氬與反應(yīng)性氣體的混合，因?yàn)槌赡r(shí)膜組分中與反應(yīng)性氣體成分相同的元素容易失去，需要在反應(yīng)性氣體的氛圍里進(jìn)行成膜才能使薄膜的性質(zhì)優(yōu)良。在TFT-LCD工業(yè)中，彩膜黑矩陣的氧化鉻/鉻(CrO

27、x/Cr)膜要求對可見光吸收性好、反射率低。要滿足這樣的要求氧化鉻膜的質(zhì)量必須穩(wěn)定?，F(xiàn)在一般采用反應(yīng)濺射法成膜。,（5）、離子束濺射,這是唯一一種不用放電的濺射方法。 從離子槍(產(chǎn)生離子并加速的設(shè)備)發(fā)射出來的高速離子照射靶材使其濺射后堆積在基板上成膜。其他的幾種濺射方式都利用等離子狀態(tài)、基板同時(shí)也受到電子和離子的影響。離子束濺射不采用放電現(xiàn)象。但是為了使離子槍持續(xù)產(chǎn)生離子也需要供應(yīng)惰性氣體。 (注:使原材料離子化而射向基板的手

28、法被稱為離子注入法、而不是濺射。),,特征 1、不需要放電來產(chǎn)生等離子狀態(tài)、高真空狀態(tài)下也可成膜。 2、離子源獨(dú)立存在、單獨(dú)設(shè)定容易。3、靶材不需要導(dǎo)電性。 缺點(diǎn)1、設(shè)備復(fù)雜、昂貴。 2、成膜速度慢。,TFT-LCD設(shè)計(jì)及制作,CVD,在TFT制備中一共有4層非金屬膜需要采用化學(xué)氣相沉積工藝完成，金屬柵極的絕緣層(SiNx，SiO2 )、非晶硅層(a-Si)， n+非晶硅層(n+a-Si)和最后的保護(hù)層(SiNx，S

29、iO2 )。這些非金屬膜的質(zhì)量直接確定了TFT的電學(xué)性能，這些非金屬膜的制作是TFT工藝技術(shù)的核心。,化學(xué)氣相沉積技術(shù)原理,化學(xué)氣相沉積技術(shù)是利用熱能、等離子放電、紫外光照射等形式的能源或上述能源形式的綜合利用，使氣態(tài)物質(zhì)在灼熱的固體熱表面上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并在該表面上沉積，形成穩(wěn)定的固態(tài)物質(zhì)膜的工業(yè)過程?；瘜W(xué)氣相成膜工藝的參數(shù)主要考慮氣體流量、氣體成分、氣體壓力、射頻功率、電極間距、基板溫度和電極結(jié)構(gòu)等。,在TFT陣列工藝中，PECV

30、D中的化學(xué)反應(yīng)主要是SiH4+H2生成a-SiSiH4+NH3+N2生成SiNx,圖6.3所示是CVD成膜的二維模型，氣流平行于玻璃基板表面。在主氣流與玻璃基板表面之間，氣流速率從主氣流速率遞減到基板表面的零，此區(qū)域定義為邊界層。,,因?yàn)镃VD使用的工藝氣體有些是有毒的，有的甚至是劇毒，而且易燃易爆，因此必須要有完善的氣體監(jiān)測與報(bào)警系統(tǒng)。一般要求氣柜要遠(yuǎn)離工作場所，并配備完善的安全設(shè)施。廢氣處理系統(tǒng)一定要達(dá)到國家環(huán)境保護(hù)條件要求

31、，否則不能投入運(yùn)行。,TFT-LCD設(shè)計(jì)及制作,,CVD涉及的主要設(shè)備和材科包括:常壓化學(xué)氣相沉積(atmospheric pressure chemical vapor deposition， APCVD) ;低壓化學(xué)氣相沉積(low pressure chemical vapor deposition， LPCVD);等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition，

32、PECVD) ;,,TFT工藝膜的生長溫度比較低，需引入額外的非熱能能量或降低反應(yīng)所需激活能，以得到足夠的反應(yīng)能量。等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)的原理是在真空中引進(jìn)反應(yīng)氣體，以高頻放電，使其在平行的電極板間產(chǎn)生等離子，利用低溫等離子體作能量源，將樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電(或另加發(fā)熱體)使樣品升溫到預(yù)定的溫度，反應(yīng)氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成數(shù)百埃至數(shù)千埃厚度的固態(tài)薄膜，這是非晶硅陣列制造工程

33、的核心，直接決定TFT的特性。,,PECVD方法區(qū)別于其他CVD方法的特點(diǎn)在于，等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學(xué)氣相沉積過程所需的激活能。電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過程，生成活性很高的各種化學(xué)基團(tuán)，因而顯著降低CVD薄膜沉積的溫度范圍，使得原來需要在高溫下才能進(jìn)行的CVD過程得以在低溫下實(shí)現(xiàn)。,,工藝氣體硅烷(SiH4)、磷烷(PH3)、氨氣(NH3)、笑氣(N2O)、氮?dú)?

34、N2)、氫氣(H2),,1、硅烷（氣）,硅烷是制作非晶硅和SiN，SiO的反應(yīng)氣體?；馂?zāi)危險(xiǎn)度為大。,,硅烷在常溫常壓下為具有惡臭的無色氣體；在室溫下能著火，在空氣或鹵素氣體中發(fā)生爆炸性燃燒;即使用其他氣體稀釋，如果濃度不夠低，仍能自燃。硅烷在氬氣中含2%、氮?dú)庵泻?.5%、氫氣中含1%時(shí)，它仍能著火。硅烷濃度在小于1%時(shí)不燃，大于3%時(shí)自燃，1%~3%時(shí)可能燃燒。在氧氣中燃燒產(chǎn)物為粉狀氧化硅和水。,,,硅烷是強(qiáng)還原劑，能與

35、重金屬鹵化物激烈反應(yīng)，與氯、溴發(fā)生爆炸性反應(yīng)，與四氯化碳激烈反應(yīng)。因此，對硅烷不能使用氟利昂滅火劑。硅烷不溶于乙醇、乙醚、苯、氯仿和四氧化硅，不與潤滑油、脂肪反應(yīng);對幾乎所有的金屬無腐蝕性。有時(shí)，玻璃中的堿成分也能分解硅烷。溶解在二硫化碳中的硅烷遇到空氣也可發(fā)生爆炸。,,依據(jù)硅烷在化學(xué)品安全技術(shù)說明書（material safety data sheets , MSDS）的資料，硅烷的致死半濃度（LC50）為9600ppm(4h)，

36、美國政府工業(yè)衛(wèi)生學(xué)家會(huì)議（American conference of governmenal industrial hygienists， ACGIH）明確規(guī)定在每天工作8h或一周40h的情況下，連續(xù)工作不影響工作人體健康的硅烷氣體臨界濃度值（threshold limit value,TLV）為0.05ppm。實(shí)際上，在工作環(huán)境中允許濃度是采用5ppm的基準(zhǔn)測定的。在低濃度混合氣體狀況下，由于泄漏在空氣中有一定的穩(wěn)定性，因此建

37、議推薦使用硅烷氣體檢測器。在高濃度純氣體狀況下，因其泄漏可能燃燒成大量的二氧化硅(Si02 ) 粉塵，因此可以推薦采用硅烷+二氧硅(SiH4+SiOz)復(fù)合型的檢測器和紫外/紅外(UV/IR)監(jiān)測器。,空氣中允許的硅烷濃度為0.5 ppm;一級報(bào)警濃度為0.30 ppm；二級報(bào)警濃度為0.60 ppm。聽到報(bào)警，工作人員必須迅速撤離現(xiàn)場。 在TFT制造中采用的是高純度的硅烷，對一氧化碳、二氧化碳、甲烷和水的含量都要

38、求小于0.1 ppm。對氮?dú)夂脱鯕?氬氣的含量也要小于1 ppm。,2、磷烷,磷烷是制作n+非晶硅的反應(yīng)氣體，其外觀無色，比空氣重，并有類似臭魚的味道，氣體經(jīng)壓縮液化后運(yùn)輸;,,,磷烷雖然是一種劇毒氣體，但是在TIT制作工藝中，生產(chǎn)是在安全條件下進(jìn)行的。在TFT制造中采用的是高純度的磷烷，其工藝載氣氫氣也是高純度的。磷烷氣體純度要求在99.999%以上，工藝載氣氫氣的純度要求在99.99999%以上。 工藝載氣氫氣對氧、一氧化碳、

39、二氧化碳和甲烷的含量都要求小于0.5 ppm，對氮?dú)夂退暮恳惨∮? ppm，磷烷對氫氣含量的要求小于0.05 ppm，,,同一條件下生產(chǎn)的同一次出廠的為一批。不同批次的產(chǎn)品不要混淆。交貨時(shí)須同時(shí)提交產(chǎn)品原料純度檢驗(yàn)單。氣瓶上要明確記載氣體名稱、生產(chǎn)公司的產(chǎn)品編號、純度、填充日期等。,,磷烷在空氣中允許濃度為0.3 ppm；一級報(bào)警濃度為0.25 ppm；二級報(bào)警濃度為0.5 ppm。聽到報(bào)警，工作人員必須迅速撤離現(xiàn)場。,,磷烷是

40、具有自燃性的劇毒氣體，皮膚接觸液體，會(huì)造成刺激和凍傷。多次暴露的會(huì)潛在影響健康。吸入磷烷，會(huì)損害肺、心、肝、腎、中樞神經(jīng)系統(tǒng)和骨骼等。重復(fù)暴露在低濃度磷烷中，產(chǎn)生的癥狀包括支氣管炎、厭食、神經(jīng)系統(tǒng)問題，以及類似于急性中毒的癥狀。因此，使用時(shí)一定要注意安全操作。,3、氨氣,氨氣是合成絕緣層和保護(hù)膜的反應(yīng)氣體；,,氨氣為無色氣體，但有強(qiáng)烈刺鼻的氣味，在其濃度為20ppm時(shí)可以穩(wěn)定監(jiān)測。氨氣具有可燃性，會(huì)嚴(yán)重灼傷眼、皮膚及呼吸道。當(dāng)它在

41、空氣中的濃度超過15％時(shí)，會(huì)有立即造成火災(zāi)及爆炸的危險(xiǎn)。當(dāng)氨氣大規(guī)模泄漏時(shí)，工作人員需要穿全身防護(hù)服，并立即隨時(shí)意識到潛在的火災(zāi)和爆炸危險(xiǎn)。 氨氣的品質(zhì)純度要求為99.999wt%以上。使用中需要注意不同批號的產(chǎn)品不要混合使用。,4、笑氣,這是合成絕緣層和保護(hù)膜的反應(yīng)氣體。笑氣常溫下為無色氣體，略帶甜味，吸入能使人狂笑，是一種氧化劑;化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，不燃燒、不爆炸、無毒性，對呼吸道無刺激;有助燃性，在室溫時(shí)穩(wěn)定，受高溫有爆

42、炸危險(xiǎn);在300 ℃以上離解，能溶于水、乙醇、乙醚及濃硫酸;其熔點(diǎn)為-90.8 ℃ 1沸點(diǎn)為-88.49 ℃ ，蒸氣壓為 506.6 kPa(一58 ℃) ，臨界溫度為36.5 ℃ ，臨界壓力為7 265 kPa。笑氣品質(zhì)的純度要求為99. 999％以上。采購該原料要有質(zhì)量分析。,5、氫氣,氫氣是與硅烷合成非晶硅的反應(yīng)氣體。單質(zhì)氫氣是由兩個(gè)原子以共價(jià)單鍵的形式結(jié)合而成的雙原子分子，其鍵長為74 pm。氫氣是已知的最輕的氣體,無色

43、無味，幾乎不溶于水。氫氣的質(zhì)量只有空氣的1/14.38，具有很大的擴(kuò)散速度和很高的導(dǎo)熱性。氫氣是一種密度最低的氣體，常溫常壓下，每立方分米氫氣重量不到0. 09 g。,,常溫下氫氣并不活潑，但是能與單質(zhì)氟在暗處迅速反應(yīng)，生成具有很強(qiáng)的腐蝕性的氫氟酸(HF)。氫氣具有可燃性，純凈的氫氣可在空氣里安靜燃燒，若氫氣與空氣或氧氣混合點(diǎn)燃則會(huì)發(fā)生爆炸。使用氫氣之前必須接受必要的上崗技術(shù)培訓(xùn)。高溫下，氫氣是一個(gè)非常好的還原劑。氫分子雖然很穩(wěn)

44、定，但在高溫下，在電弧中，或進(jìn)行低壓放電，或在紫外線的照射下，氫分子能發(fā)生離解作用，得到原子氫。,6、氮?dú)?氮?dú)鉃闊o色、無味、無臭；化學(xué)性質(zhì)不活潑，是一種窒息性氣體;氣體相對密度為1. 2506，熔點(diǎn)為一209.86 ℃ ，沸點(diǎn)為－195. 8 ℃ 。臨界溫度為－147.1 ℃ ，臨界壓力為3.35 MPa.，常溫下其化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，當(dāng)加熱至560 ℃時(shí)，能被鎂、鈣、鋰和另外一些金屬所吸收；在更高溫度下能直接與氧和氫化合;溶于水(0 ℃

45、時(shí) ，2.33cm3(100 mL) -l 水，. 40 ℃時(shí)1.42 cm3(100 mL) -l 水).微溶于醇；液化溫度為77.35 K，固化溫度為63.2K.在TFT工藝中，氮?dú)馐侵匾脑牧蠚怏w。它不僅在TFT成膜工藝中需要，在許多情況下，氮?dú)庖沧鳛楣ぷ鳉怏w使用 。,,CVD工藝采用的氣體稱為工業(yè)特種氣體，簡稱為特氣。電子工業(yè)特氣大都具有一定的毒性，有的甚至是劇毒，有些具有易燃易爆的特性。因此，要求特氣的供應(yīng)和使用必須符合

46、國家的工業(yè)環(huán)境保護(hù)和安全條件的要求，有報(bào)警系統(tǒng)、排風(fēng)和除害裝置，滅火、防爆都必須嚴(yán)格按照要求設(shè)置。,CVD設(shè)備廠家，AKT（第一），ULVAC(第二）。,支持第8代的等離子CVD裝置,,,,,,2005年，美國應(yīng)用材料公司旗下的日本AKT公司開發(fā)出了面向第8代(基板尺寸為2150 mm X 2 450 mm)TFT液晶面板生產(chǎn)線的CVD設(shè)備“AKT-50K PECVD”，2006年第一季度開始供貨。第8代生產(chǎn)線總處理極板能力和第7代生

47、產(chǎn)線一樣，為60枚/小時(shí)，但等離子均勻性提高了。設(shè)備可配備裝載單元 (load lock chamber)和最多5臺的處理艙?；逄幚砟芰Ψ謩e為單層成膜時(shí)60枚/小時(shí)；n+非晶硅、本征非晶硅、SiN絕緣膜3層連續(xù)成膜時(shí)30枚/小時(shí)。一條月產(chǎn)能為3萬枚的液晶面板生產(chǎn)線，需要導(dǎo)入5~6臺CVD設(shè)備。 （深圳華星光電的產(chǎn)能9萬片\月，京東方8代線產(chǎn)能12萬片/月）,,第8代生產(chǎn)線的CVD處理艙仍舊使用在第7代生產(chǎn)線設(shè)備中引進(jìn)的等離子發(fā)生技術(shù)

48、。第8代生產(chǎn)線的設(shè)置與第七代線的設(shè)置相比，提高了發(fā)生等離子的2個(gè)電極的平行度，進(jìn)一步提高了等離子密度的均勻性，解決了第7代生產(chǎn)線和第8代生產(chǎn)線大型基板中間與四周堆相膜厚的不穩(wěn)定性。從現(xiàn)在的技術(shù)發(fā)展來看，如果考慮成膜的均勻性，CVD設(shè)備可以支持3m X 3m的基板。,,但是，對于第7代生產(chǎn)線以后的大型化，即使解決了均勻性問題，仍存在其他諸多問題。比如，由于產(chǎn)品的運(yùn)輸越來越難，因此必須到進(jìn)行現(xiàn)場組裝;隨著加工設(shè)備的體積日益龐大，CVD

49、設(shè)備的生產(chǎn)將會(huì)越來越困難;泵與電源等外部設(shè)備的體積不斷增大，采購起來將會(huì)更加困難;加工艙使用的鋁材料的采購目益困難，僅美國應(yīng)用材料(applied komatsu technology， AKT)公司2004年大約采用了3100萬噸鋁材料，相當(dāng)于47架被音747飛機(jī)的鋁材料用量。波音公司2003 年一共才生產(chǎn)了235架飛機(jī)。AKT在CVD設(shè)備的生產(chǎn)中使用了相當(dāng)于波音公司在飛機(jī)制造中使用的鋁材料用量的約20%。,,■陣列關(guān)鍵工藝■ 制屏

50、關(guān)鍵工藝■ 模組關(guān)鍵工藝,液晶材料與技術(shù),液晶屏（盒）前工程,1、取向膜涂布前的洗凈工程2、取向膜形成工程（PI）工程3、取向處理工程（rubbing system）——摩擦系統(tǒng)4、隔離子散布工程（spacer spray system）5、封接材料形成（框膠涂布）工程6、貼合工程（組裝、封接）,液晶材料與技術(shù),液晶材料與技術(shù),,液晶材料與技術(shù),,摩擦取向技術(shù)是1911 年由莫根(Maugin) 發(fā)現(xiàn)的。這一發(fā)現(xiàn)對于液晶顯

51、示技術(shù)的發(fā)展起到了重要的作用,至今為止仍然是各類液晶顯示器制造過程中使用最廣泛的取向技術(shù)。所謂摩擦取向就是利用尼龍、纖維或棉絨等材料按一定方向摩擦液晶顯示器的取向膜,使薄膜表面狀況發(fā)生改變,對液晶分子產(chǎn)生均一的錨定作用,從而使液晶分子在液晶顯示器的兩片玻璃板之間的某一區(qū)域內(nèi),以一定的預(yù)傾角呈現(xiàn)均勻、一致的排列。取向效果的好壞對于液晶顯示器的均一性、視角、色差、響應(yīng)速度、閾值電壓等基本性能都有重要影響。,液晶材料與技術(shù),摩擦取向技術(shù)存

52、在一些問題,摩擦取向技術(shù)雖然是液晶顯示器工業(yè)中最成熟、最可靠、應(yīng)用最廣泛的取向技術(shù),但是無論在實(shí)踐上還是在理論上摩擦取向技術(shù)都仍然存在一些問題,主要表現(xiàn)在以下幾點(diǎn):1. 隨著液晶顯示模式從扭曲( TN-LCD) 發(fā)展到超扭曲(STN-LCD) 、薄膜晶體管( TFT-LCD) ,工業(yè)生產(chǎn)對取向技術(shù)的要求越來越高。摩擦過程中容易產(chǎn)生靜電,這會(huì)造成薄膜晶體管的擊穿;由于摩擦過程產(chǎn)生絨毛塵埃,摩擦后必須增加清洗、干燥工序,降低了生產(chǎn)效率;另

53、外還有少數(shù)絨毛即使通過清洗工序也很難徹底清除,影響LCD 的顯示效果,甚至出現(xiàn)次品。,液晶材料與技術(shù),,2. 隨著液晶顯示器生產(chǎn)線從第一代發(fā)展到第十代, 隨著所加工基板面積的增大,在整個(gè)基板范圍內(nèi)獲得完全均一取向的難度也越來越大。3. 現(xiàn)在的摩擦法只對平面表面起作用,對于形狀不規(guī)則的基板,通過摩擦取向就很困難。4. 摩擦取向技術(shù)雖然已經(jīng)誕生了90 多年,但究竟什么原因?qū)е铝巳∠蜻€不清楚。,液晶材料與技術(shù),非摩擦法液晶分子取向技術(shù),針

54、對摩擦法存在的局限性，人們開始對非摩擦技術(shù)進(jìn)行深入研究。目前對非摩擦技術(shù)的研究主要包括以下幾個(gè)方面：（1）用偏振激光或紫外光輻射聚合物表面，使液晶分子取向。（2）使用LB（langmuir-blodget）膜技術(shù)使液晶分子取向。,液晶材料與技術(shù),（1）用偏振激光或紫外光輻射聚合物表面，使液晶分子取向。,這種方法是Schadt及其合作者于1992年首先提出的。他們采用偏振紫外光輻照聚肉桂酸乙烯醇酯，肉桂?；l(fā)生二聚，形成四元環(huán)，引

55、起大分子鏈段的重新取向。液晶分子的預(yù)傾角可通過輻射劑量和方向來控制。但是由于聚肉桂酸乙烯醇酯及其衍生物耐熱性較差，當(dāng)溫度高于其玻璃化轉(zhuǎn)變溫度時(shí)，其大分子鏈段的松弛加速，分子鏈由有序排列變?yōu)闊o序排列。液晶分子的取向排列也隨之消失，因此使用意義不大。,液晶材料與技術(shù),,還有人采用非極化紫外光對涂覆有兩種PI取向膜的基板進(jìn)行輻射，發(fā)現(xiàn)對于涂有不帶側(cè)鏈PI的液晶盒，液晶分子可以獲得單疇取向，預(yù)傾角為3度左右。,液晶材料與技術(shù),,David等人

56、發(fā)現(xiàn)，通過使用線性偏振紫外光（波長為254nm）對PI表面進(jìn)行輻射后，液晶分子產(chǎn)生與摩擦法同樣的取向。Wayne等人發(fā)現(xiàn)，使用偏振激光也可以使液晶分子取向，在激光輻射區(qū)域，向列液晶沿垂直于激光電場偏振的方向取向；撤去激光后，液晶分子取向狀態(tài)還可以保持，這種技術(shù)可以應(yīng)用于大面積顯示器中。,液晶材料與技術(shù),（2）使用LB（langmuir-blodget）膜技術(shù)使液晶分子取向。,隨著LCD大面積化與TFT-LCD的逐漸普及，取向?qū)颖∧さ木?/p>

57、勻性越來越受到關(guān)注，促進(jìn)人們對LB膜取向材料的深入研究。1986年，kakimoto等人利用預(yù)聚物方法第一次制得聚酰亞胺LB膜。Hemasiri Vithana等人利用聚酰亞胺LB膜技術(shù)使液晶分子獲得了良好的取向效果，預(yù)傾角可達(dá)9.1度，而且取向穩(wěn)定性好。,液晶材料與技術(shù),,Langmuir-Blodgett膜是一套單層，或是許多層組織一個(gè)分子厚的層，沉淀在固態(tài)晶格。LB膜可以組成單層或是多層，達(dá)到幾個(gè)可見光波長的厚度。術(shù)語Lang

58、muir-Blodgett來自于研究科學(xué)家和他的助手，Irving Langmuir和Katherine Blodgett，他們于二十世紀(jì)初發(fā)現(xiàn)了這種薄膜的獨(dú)有的特性。Langmuir的工作包括把液態(tài)的單層變成固態(tài)晶格。幾年以后Blodgett拓展了Langmuir的研究，他的研究包括多層膜在固態(tài)晶格上的沉積?！　⊥ㄟ^組織材料轉(zhuǎn)移的單層從液態(tài)變成固態(tài)晶格，膜的結(jié)構(gòu)可以控制在單層級別。這種膜展現(xiàn)出多種電化學(xué)和光化學(xué)性能。這使得許多研究者

59、從事把LB膜用于構(gòu)建集成電路的研究，最后它可能組成一個(gè)LB膜記憶芯片，在這個(gè)芯片上的數(shù)據(jù)字節(jié)是用單獨(dú)的層存儲的。復(fù)雜的交換網(wǎng)絡(luò)可能需要制造多層的多層LB膜芯片,液晶材料與技術(shù),,還有采用光刻技術(shù)，在某些光敏性聚合物表面形成排列規(guī)整的密紋結(jié)構(gòu)，液晶分子沿這些密紋結(jié)構(gòu)取向?？紤]到線偏振光的能力損耗與成本問題，有人提出采用傾斜非偏振紫外光輻射某些可光交聯(lián)型聚合物，使液晶分子獲得取向等等。,液晶材料與技術(shù),,在完成取向膜形成及取向處理之后，需

60、要將兩塊玻璃基板在保持一定間隙的條件下對位貼合。為完成這種貼合，需要先在CF基板上散步隔離子。隔離子決定液晶屏的厚度，而此厚度是決定顯示性能中的響應(yīng)時(shí)間及對比度的重要參數(shù)。為了進(jìn)一步提高液晶屏厚度的精度，越來越多的采用樹脂柱代替球形隔離子。,液晶材料與技術(shù),,在封接材料形成之后，還要實(shí)現(xiàn)陣列基板和CF基板上公用電極的電氣連接，一般是利用分配器描畫方式將導(dǎo)電膠涂布在所需要的位置。,液晶材料與技術(shù),,液晶材料與技術(shù),液晶盒后工程,1、

61、切割工程（scribing & breaking system）2、液晶注入、密封工程（filling system）3、洗凈、倒角工程4、偏光片貼附工程（polarizer sticking system）5、檢查工程,液晶材料與技術(shù),Cutting Method,液晶材料與技術(shù),Cutting Process,液晶材料與技術(shù),,傳統(tǒng)玻璃制品的切割方式是使用金剛石砂輪和高硬度金屬輪的機(jī)械加工方法。最大的缺點(diǎn)就是需要對

62、加工后的邊緣進(jìn)行再處理，及其所帶來的產(chǎn)量低下問題。在機(jī)械切割中，用砂輪或機(jī)械論在玻璃上進(jìn)行刻劃，產(chǎn)生沿著切割方向的切向張力，從而使玻璃沿著劃痕裂開。這種方法所切割的邊緣不平滑、有微小裂痕，材料上殘存不對稱邊緣應(yīng)力及殘留碎屑等。,液晶材料與技術(shù),激光融化切割方法,玻璃的傳統(tǒng)激光切割方法是使用高功率CO2激光，玻璃材料吸收激光束而被熱能熔化完成切割。伴隨玻璃材料的下沉和熔化，或由切割部分周圍產(chǎn)生的熱能造成的局部影響，CO2激光切割技術(shù)

63、難以保證整齊、平滑的切割邊緣，在許多應(yīng)用場合中仍然需要打磨切割邊緣。加工中的另外一個(gè)問題是切割區(qū)域附近可能因剩余的熱應(yīng)力出現(xiàn)裂縫。,液晶材料與技術(shù),第二代激光切割法,從1995年起，一些工程人員和學(xué)者發(fā)現(xiàn)了應(yīng)用較低功率的激光器時(shí)玻璃分離，同時(shí)不對玻璃造成熔化等熱影響的玻璃切割方法?；逶硎抢眉す庖碌膽?yīng)力使玻璃“分離”，可以稱其為第二代激光切割法。例如，使用功率為150W的CO2激光器，通過聚焦光路在玻璃表面形成橢圓形的聚焦點(diǎn)，

64、保證了激光能力在切割線兩側(cè)均勻的和最優(yōu)化的分布。玻璃強(qiáng)烈吸收10600nm 的激光，幾乎所有的激光能量都被玻璃表面15um吸收層所吸收，相對玻璃表面移動(dòng)激光光點(diǎn)形成所需的切割線。選擇合適的移動(dòng)速度，保證既有足夠的激光熱量在玻璃上形成局部的應(yīng)力紋樣分布，同時(shí)又不會(huì)將玻璃熔化。,液晶材料與技術(shù),,該激光切割中另一個(gè)關(guān)鍵部件是淬火氣（水）嘴，隨著激光光點(diǎn)的移動(dòng)，淬火氣（水）嘴將冷空氣（水）吹到玻璃表面，對受熱區(qū)域進(jìn)行快速淬火，玻璃將沿著應(yīng)力最

65、大的方向產(chǎn)生斷裂，從而將玻璃沿著設(shè)定的方向分離。為了引發(fā)玻璃產(chǎn)生斷裂，需要首先用機(jī)械法在切割線的起點(diǎn)劃出微小的起始裂痕。選擇不同的激光功率、光點(diǎn)掃描速度等加工參數(shù)，應(yīng)力引致的斷裂深度可達(dá)100μm到數(shù)毫米。,液晶材料與技術(shù),,,液晶材料與技術(shù),第二代激光切割法的特點(diǎn)：,1、沒有機(jī)械切割方法中產(chǎn)生的玻璃碎屑問題。2、無需通常的邊緣磨削加工過程，邊緣質(zhì)量在尺寸上非常精確而且完全釋放應(yīng)力；3、不會(huì)產(chǎn)生像接觸型切割法所形成的垂直于切割面

66、的直裂紋；4、激光切割的邊緣強(qiáng)度非常高，這時(shí)由于加熱、淬火過程中的自然回火效應(yīng)引起的邊緣強(qiáng)化。采用這種新方法，與機(jī)械法加工后又打磨的樣品相比，邊緣強(qiáng)度提高了30%左右。,液晶材料與技術(shù),第二代激光切割法的缺點(diǎn)：,1、切割復(fù)雜圖形，成品率低。可以加工一些不太復(fù)雜的形狀。2、需要先用機(jī)械法在激光切割的起點(diǎn)劃出微小的起始裂痕，增加了工藝的復(fù)雜程度；3、需要淬火冷水或冷氣噴到玻璃受熱區(qū)域進(jìn)行快速淬火。這對一些特殊場合是無法接受的，如LCD

67、玻璃被分成小片時(shí)，冷卻液有可能被導(dǎo)入液晶注入部分，從而在液晶注入加工中產(chǎn)生缺陷。需要在完成切割操作后除去剩余的冷氣液體。如果氣體作為冷卻媒質(zhì)，因?yàn)闅怏w密度比較小，必須在更低的溫度下冷卻，在切割過程中將快速降低環(huán)境溫度、凝結(jié)周圍的濕氣，造成切割過程的缺陷；,液晶材料與技術(shù),第三代激光切割法——雙激光法,系統(tǒng)組成：刻劃激光系統(tǒng)、分離激光系統(tǒng)、雙路激光精密數(shù)控系統(tǒng)、分離激光的光斑數(shù)控選擇系統(tǒng)、飛行光路數(shù)控加工臺和CAD/CAM軟硬件。僅使用

68、一束刻劃激光和一束分離激光完成玻璃分割，無需使用制冷介質(zhì)。工作過程是第一束激光的波長與非金屬襯底的自然頻率相同，用于破壞非金屬襯底分子間的連接，在非金屬襯底的切割路徑上形成窄而深的刻線。第二束激光沿第一束激光的掃描刻線路徑掃描以快速加熱刻線，使刻線表面上形成了直裂縫，并擴(kuò)大到玻璃母板襯底的底層以完全分離玻璃母板襯底。,液晶材料與技術(shù),,與傳統(tǒng)方法相比使結(jié)構(gòu)簡化。切割速度可被第一束激光的速度控制。無需使用制冷劑，防止了在加工LCD的