專題18 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)-2017年高考化學備考學易黃金易錯點（解析版）

1、1鍺(Ge)是典型的半導體元素，在電子、材料等領域應用廣泛?；卮鹣铝袉栴}：(1)基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為[Ar]________，有________個未成對電子。(2)Ge與C是同族元素，C原子之間可以形成雙鍵、叁鍵，但Ge原子之間難以形成雙鍵或叁鍵。從原子結(jié)構(gòu)角度分析，原因是________________________________________。(3)比較下列鍺鹵化物的熔點和沸點，分析其變化規(guī)律及原因_________

2、________。GeCl4GeBr4GeI4熔點℃－49.526146沸點℃83.1186約400(4)光催化還原CO2制備CH4反應中，帶狀納米Zn2GeO4是該反應的良好催化劑。Zn、Ge、O電負性由大至小的順序是________。(5)Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，其中Ge原子的雜化方式為________，微粒之間存在的作用力是________。(6)晶胞有兩個基本要素：①原子坐標參數(shù)，表示晶胞內(nèi)部各原子的相對位置。如圖為Ge單晶的

3、晶胞，其中原子坐標參數(shù)A為(000)；B為(，0，)；C為(，，0)。則D原子的坐標參數(shù)為________。12121212[來源:學科網(wǎng)ZXXK]②晶胞參數(shù)，描述晶胞的大小和形狀。已知Ge單晶的晶胞參數(shù)a＝565.76pm，其密度為________gcm－3(列出計算式即可)。答案：(1)1s22s22p63s23p63d84s2或[Ar]3d84s22(2)①正四面體②配位鍵N③高于NH3分子間可形成氫鍵極性sp3(3)金屬銅失去的

4、是全充滿的3d10電子，鎳失去的是4s1電子(4)①3∶1②107[2516.021023d]133砷化鎵(GaAs)是優(yōu)良的半導體材料，可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等?；卮鹣铝袉栴}：(1)寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式________。(2)根據(jù)元素周期律，原子半徑Ga________As，第一電離能Ga________As。(填“大于”或“小于”)(3)l3分子的立體構(gòu)型為________，其中As的雜化軌道類型為___

5、_____。(4)GaF3的熔點高于1000℃，GaCl3的熔點為77.9℃，其原因是____________。(5)GaAs的熔點為1238℃，密度為ρgcm－3，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶體的類型為________，Ga與As以________鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGagmol－1和MAsgmol－1，原子半徑分別為rGapm和rAspm，阿伏加德羅常數(shù)值為NA，則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為______