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1、1鍺(Ge)是典型的半導(dǎo)體元素,在電子、材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛?;卮鹣铝袉?wèn)題:(1)基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為[Ar]________,有________個(gè)未成對(duì)電子。(2)Ge與C是同族元素,C原子之間可以形成雙鍵、叁鍵,但Ge原子之間難以形成雙鍵或叁鍵。從原子結(jié)構(gòu)角度分析,原因是________________________________________。(3)比較下列鍺鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn),分析其變化規(guī)律及原因_________
2、________。GeCl4GeBr4GeI4熔點(diǎn)℃-49.526146沸點(diǎn)℃83.1186約400(4)光催化還原CO2制備CH4反應(yīng)中,帶狀納米Zn2GeO4是該反應(yīng)的良好催化劑。Zn、Ge、O電負(fù)性由大至小的順序是________。(5)Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu),其中Ge原子的雜化方式為________,微粒之間存在的作用力是________。(6)晶胞有兩個(gè)基本要素:①原子坐標(biāo)參數(shù),表示晶胞內(nèi)部各原子的相對(duì)位置。如圖為Ge單晶的
3、晶胞,其中原子坐標(biāo)參數(shù)A為(000);B為(,0,);C為(,,0)。則D原子的坐標(biāo)參數(shù)為________。12121212[來(lái)源:學(xué)科網(wǎng)ZXXK]②晶胞參數(shù),描述晶胞的大小和形狀。已知Ge單晶的晶胞參數(shù)a=565.76pm,其密度為________gcm-3(列出計(jì)算式即可)。答案:(1)1s22s22p63s23p63d84s2或[Ar]3d84s22(2)①正四面體②配位鍵N③高于NH3分子間可形成氫鍵極性sp3(3)金屬銅失去的
4、是全充滿的3d10電子,鎳失去的是4s1電子(4)①3∶1②107[2516.021023d]133砷化鎵(GaAs)是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料,可用于制作微型激光器或太陽(yáng)能電池的材料等?;卮鹣铝袉?wèn)題:(1)寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式________。(2)根據(jù)元素周期律,原子半徑Ga________As,第一電離能Ga________As。(填“大于”或“小于”)(3)l3分子的立體構(gòu)型為________,其中As的雜化軌道類型為___
5、_____。(4)GaF3的熔點(diǎn)高于1000℃,GaCl3的熔點(diǎn)為77.9℃,其原因是____________。(5)GaAs的熔點(diǎn)為1238℃,密度為ρgcm-3,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶體的類型為________,Ga與As以________鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGagmol-1和MAsgmol-1,原子半徑分別為rGapm和rAspm,阿伏加德羅常數(shù)值為NA,則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為______
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