半導(dǎo)體物理學(xué)名詞解釋-2

1、半導(dǎo)體物理學(xué)名詞解釋1、直接復(fù)合：電子在導(dǎo)帶與價帶間直接躍遷而引起非平衡載流子的復(fù)合。2、間接復(fù)合：指的是非平衡載流子通過復(fù)合中心的復(fù)合。3、俄歇復(fù)合：載流子從高能級向低能級躍遷發(fā)生電子空穴復(fù)合時，把多余的能量傳給另一個載流子，使這個載流子被激發(fā)到能量更高的能級上去，當(dāng)它重新躍遷回到低能級時，多余的能量常以聲子的形式放出，這種復(fù)合稱為俄歇復(fù)合，顯然這是一種非輻射復(fù)合。4、施主雜質(zhì)：V族雜質(zhì)在硅、鍺中電離時，能夠施放電子而產(chǎn)生導(dǎo)電電子并形

2、成正電中心，稱它們?yōu)槭┲麟s質(zhì)或n型雜質(zhì)。5、受主雜質(zhì)：Ⅲ族雜質(zhì)在硅、鍺中能夠接受電子而產(chǎn)生導(dǎo)電空穴，并形成負(fù)點中心，所以稱它們?yōu)槭苤麟s質(zhì)或p型雜質(zhì)。6、多數(shù)載流子：半導(dǎo)體材料中有電子和空穴兩種載流子。在N型半導(dǎo)體中電子是多數(shù)載流子空穴是少數(shù)載流子。在P型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)載流子電子是少數(shù)載流子。7、能谷間散射：8、本征半導(dǎo)體：本征半導(dǎo)體就是沒有雜質(zhì)和缺陷的半導(dǎo)體。9、準(zhǔn)費米能級：半導(dǎo)體中的非平衡載流子，可以認(rèn)為它們都處于準(zhǔn)平衡狀態(tài)（即導(dǎo)

3、帶所有的電子和價帶所有的空穴分別處于準(zhǔn)平衡狀態(tài)）。對于處于準(zhǔn)平衡狀態(tài)的非平衡載流子，可以近似地引入與Fermi能級相類似的物理量——準(zhǔn)Fermi能級來分析其統(tǒng)計分布；當(dāng)然，采用準(zhǔn)Fermi能級這個概念，是一種近似，但確是一種較好的近似?；谶@種近似，對于導(dǎo)帶中的非平衡電子，即可引入電子的準(zhǔn)Fermi能級；對于價帶中的非平衡空穴，即可引入空穴的準(zhǔn)Fermi能級。10、禁帶：能帶結(jié)構(gòu)中能態(tài)密度為零的能量區(qū)間。11、價帶：半導(dǎo)體或絕緣體中，在

4、絕對零度下能被電子沾滿的最高能帶。12、導(dǎo)帶：導(dǎo)帶是自由電子形成的能量空間，即固體結(jié)構(gòu)內(nèi)自由運動的電子所具有的能量范圍。13、束縛激子：等電子陷阱俘獲載流子后成為帶電中心，這一中心由于庫侖作用又能俘獲另一種帶電符號相反的載流子從而成為定域激子，稱為束縛激子。14、淺能級雜質(zhì)：在半導(dǎo)體中、其價電子受到束縛較弱的那些雜質(zhì)原子，往往就是能夠提供載流子（電子或空穴）的施主、受主雜質(zhì)，它們在半導(dǎo)體中形成的能級都比較靠近價帶頂或?qū)У?，因此稱其為淺

5、能級雜質(zhì)。15、深能級雜質(zhì)：雜質(zhì)電離能大，施主能級遠(yuǎn)離導(dǎo)帶底，受主能級遠(yuǎn)離價帶頂。16、遷移率：μ，表示單位場強(qiáng)下電子的平均漂移速度，單位是m^2(Vs)或者cm^2(Vs)。17、空穴的牽引長度：表征空穴漂移運動的有效范圍的參量就是空穴的牽引長度。18、陷阱效應(yīng)：雜質(zhì)能級積累非平衡載流子的作用就叫做陷阱效應(yīng)。19、替位式雜質(zhì)：雜質(zhì)原子取代晶格原子而位于晶格點處。20、間隙式雜質(zhì)：雜質(zhì)原子位于晶格原子的間隙位置。21、弗侖克耳缺陷：間隙

6、原子和空穴成對出現(xiàn)導(dǎo)致的缺陷。22、肖特基缺陷：只在晶體內(nèi)形成空位而無間隙原子時的缺陷。23、高阻區(qū)：24、等電子雜質(zhì)：當(dāng)雜質(zhì)的價電子數(shù)等于其所替代的主晶格原子的價電子數(shù)時，這種雜質(zhì)稱為等電子雜質(zhì)。25、負(fù)微分電導(dǎo)：26、擴(kuò)散長度：擴(kuò)散長度是表征載流子擴(kuò)散有效范圍的一個物理量，它等于擴(kuò)散系數(shù)乘以壽命的平方根。深能級雜質(zhì)深能級雜質(zhì)雜質(zhì)能級位于半導(dǎo)體禁帶中遠(yuǎn)離導(dǎo)帶底（施主）或價帶頂（受主），即雜質(zhì)電離能很大的雜質(zhì)。深能級雜質(zhì)對半導(dǎo)體導(dǎo)電性質(zhì)

7、影響較小，但對半導(dǎo)體中非平衡載流子的復(fù)合過程有重要作用。位于半導(dǎo)體禁帶中央能級附近的深能級雜質(zhì)是有效的復(fù)合中心。本征激發(fā)本征激發(fā)價帶上的電子激發(fā)成為準(zhǔn)自由電子，即價帶電子激發(fā)成為導(dǎo)帶電子的過程，稱為本征激發(fā)。有效質(zhì)量（有效質(zhì)量（effectivemass）粒子在晶體中運動時具有的等效質(zhì)量，它概括了半導(dǎo)體內(nèi)部勢場的作用。其物理意義：（1）有效質(zhì)量的大小仍然是慣性大小的量度；（2）有效質(zhì)量反映了電子在晶格與外場之間能量和動量的傳遞，因此可正

8、可負(fù)?？昭ǎ昭ǎ╤ole）在電子掙脫價鍵的束縛成為自由電子，其價鍵中所留下來的空位?；匦舱窕匦舱癜雽?dǎo)體中的電子在恒定磁場中受洛侖茲力作用將作回旋運動，此時在半導(dǎo)體上再加垂直于磁場的交變磁場，當(dāng)交變磁場的頻率等于電子的回旋頻率時，發(fā)生強(qiáng)烈的共振吸收現(xiàn)象，稱為回旋共振。n型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體以電子為主要載流子的半導(dǎo)體。p型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體以空穴為主要載流子的半導(dǎo)體。電中性條件電中性條件電中性條件是半導(dǎo)體在熱平衡情況下，它的內(nèi)部所必須滿足的一

9、個基本條件，即單位體積內(nèi)正電荷數(shù)與負(fù)電荷數(shù)相等。雜質(zhì)補(bǔ)償雜質(zhì)補(bǔ)償在半導(dǎo)體中同時存在施主和受主雜質(zhì)時，存在雜質(zhì)補(bǔ)償現(xiàn)象，即施主雜質(zhì)束縛的電子優(yōu)先填充受主能級，實際的有效雜質(zhì)濃度為補(bǔ)償后的雜質(zhì)濃度，即兩者之差。多子多子多數(shù)載流子是在半導(dǎo)體輸運過程中起主要作用的載流子，如n型半導(dǎo)體中的電子。少子少子少數(shù)載流子是在半導(dǎo)體輸運過程中起次要作用的載流子，如n型半導(dǎo)體中的空穴。點缺陷點缺陷是最簡單的晶體缺陷，它是在結(jié)點上或鄰近的微觀區(qū)域內(nèi)偏離晶體結(jié)構(gòu)