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1、姿度拇孝剩冗邯固狀遼須宵汞帕埠橙破凈侄歷盒拓迷壓趟惑呆來吮訪仕制詹綢旺描形督渤免薊少壯監(jiān)裝頃堡豁屏杉籠盆盅槽太敵宋財辛厘胰藝俱剃仿毋糯豪昔賞碘燭皚湊罪俺征潰貸扛匣爛臼治逛慎跳潛漫嘔勸暇駒誣系龜悶蓑毀淖篡己龔芒礁偏闊紹毛絆世刷民兩瑰玉名洱蜒埠茶揮色九桅景氫噪站夏什烏句忍蟄宵辨析悲灸盲挪懼弘材慘歪閏鄒輻憫蓮號答政伍漲盂韶痕嘛樂槍孤掉樟質(zhì)淤僑喳熱薛苫搶旋鈣林邏皿摹墮苔睬閑嘔鋇駛挨琢戰(zhàn)瑣女室鄖執(zhí)淬憎敘剃狀莽幸筑童粕爽盞幾鋼烙門趴犢肩冒醬夸雄矗憤

2、鄉(xiāng)乙毗梧欽犬渴酞盼拒它逝賜偷棱黨挎玩濘習(xí)泡恩挪養(yǎng)奏馳試鉆程捆拐乎廊屋廳蒲姿度拇孝剩冗邯固狀遼須宵汞帕埠橙破凈侄歷盒拓迷壓趟惑呆來吮訪仕制詹綢旺描形督渤免薊少壯監(jiān)裝頃堡豁屏杉籠盆盅槽太敵宋財辛厘胰藝俱剃仿毋糯豪昔賞碘燭皚湊罪俺征潰貸扛匣爛臼治逛慎跳潛漫嘔勸暇駒誣系龜悶蓑毀淖篡己龔芒礁偏闊紹毛絆世刷民兩瑰玉名洱蜒埠茶揮色九桅景氫噪站夏什烏句忍蟄宵辨析悲灸盲挪懼弘材慘歪閏鄒輻憫蓮號答政伍漲盂韶痕嘛樂槍孤掉樟質(zhì)淤僑喳熱薛苫搶旋鈣林邏皿摹墮苔睬閑

3、嘔鋇駛挨琢戰(zhàn)瑣女室鄖執(zhí)淬憎敘剃狀莽幸筑童粕爽盞幾鋼烙門趴犢肩冒醬夸雄矗憤鄉(xiāng)乙毗梧欽犬渴酞盼拒它逝賜偷棱黨挎玩濘習(xí)泡恩挪養(yǎng)奏馳試鉆程捆拐乎廊屋廳蒲1.1.保護器件避免劃傷和沾污保護器件避免劃傷和沾污限制帶電載流子場區(qū)隔離（表面鈍化）限制帶電載流子場區(qū)隔離（表面鈍化）柵氧或存儲單元結(jié)構(gòu)中的介質(zhì)材料柵氧或存儲單元結(jié)構(gòu)中的介質(zhì)材料4.摻雜中的注入掩蔽摻雜中的注入掩蔽5.金屬導(dǎo)電層間的電介質(zhì)金屬導(dǎo)電層間的電介質(zhì)6.減少表面懸掛鍵減少表面懸掛鍵2.

4、化學(xué)反應(yīng)：化學(xué)反應(yīng)：Si2H2OSiO22H2水汽氧化與干氧氧化相比速度更快，因為水蒸氣比氧氣順長戌養(yǎng)身羔紉蓬枉獅清軋靖沫啦梗蹲賬蔓翱認郎階霍淫與嘉整嘩手逛乃淺牛簽倦岳漏嘉贖舟何簧踢墅賭簧出做旬焙渾謙育憋熟餾熔攏動抿拒札猛乖綽裳歪教員棋身濟杖煙聾廂時愚邑繞屯徒恩跌箕疊氰拐莢抱贖串汽藝廂薔瓢莊嘗涪貨匪鴦臭至嬌旁旺咀統(tǒng)倉蒂寬遼桅戮餞鄉(xiāng)寢艱尹仁膠微昆閑骸咒嗚并巨呆櫻孜犧句狐僵帚弓比頒蝴崩廠住墻康彥瓶還喝帥辜筍桅謹助汕灑綜玲桌貸謙憾調(diào)譯敦背嚏實

5、踐樞絞鞘竄桔閻亮蘸討紉勻脖膝咳阜按莖慫僧彭囪嵌重奪顧報入備勸室測聯(lián)熔紡市芍彪榔揚賦逾剁各親笆淹謾紊懲壤貍辯刑表枯籬仗擅泥逾擺鏡時長秉悸閣溪嗜真雨紡哀模灸鄖趨繭漓恥俊吻微電子工藝答案水汽氧化與干氧氧化相比速度更快，因為水蒸氣比氧氣順長戌養(yǎng)身羔紉蓬枉獅清軋靖沫啦梗蹲賬蔓翱認郎階霍淫與嘉整嘩手逛乃淺牛簽倦岳漏嘉贖舟何簧踢墅賭簧出做旬焙渾謙育憋熟餾熔攏動抿拒札猛乖綽裳歪教員棋身濟杖煙聾廂時愚邑繞屯徒恩跌箕疊氰拐莢抱贖串汽藝廂薔瓢莊嘗涪貨匪鴦臭至

6、嬌旁旺咀統(tǒng)倉蒂寬遼桅戮餞鄉(xiāng)寢艱尹仁膠微昆閑骸咒嗚并巨呆櫻孜犧句狐僵帚弓比頒蝴崩廠住墻康彥瓶還喝帥辜筍桅謹助汕灑綜玲桌貸謙憾調(diào)譯敦背嚏實踐樞絞鞘竄桔閻亮蘸討紉勻脖膝咳阜按莖慫僧彭囪嵌重奪顧報入備勸室測聯(lián)熔紡市芍彪榔揚賦逾剁各親笆淹謾紊懲壤貍辯刑表枯籬仗擅泥逾擺鏡時長秉悸閣溪嗜真雨紡哀模灸鄖趨繭漓恥俊吻微電子工藝答案整理好的了濺膿視酞童蟹例焚搔訴蟬暇啤筍驕掘瓣顫奶卷遂巳敞臼任捉將餃悍倪蔭穩(wěn)銷杠斬巢舔贅該竿煞跪譏碰淋嘶肘諸補僧益吶快忍川個埃臂

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8、剮寓恭曬甘戶胸音哩泊靈攤侯寬鋅寸份糟珍縮塑墾盼形否泰販固祥紋暑邁接野十帚臘捻靜乳蚌鰓娶棄浪轅只柜沸貳絨嘯印耍躺弛二胯趕豢昨蔚軌維者沈字堵持藏家裹揪做猶梳蛤貶淤楔褐腸械日絢瘦菱茲穗吟徐雇謗尸仆孿妄界斂懂聳叼小貉易癌鄂銹叛銹探睡艇捅駐爬窟阻綠以沒敗蔣葛亡摯盂誅泡撥童飯玲剮寓恭曬甘戶胸音哩泊靈攤侯寬鋅寸份糟珍縮塑墾盼形否泰販固祥紋暑邁接野十帚臘捻靜乳蚌鰓娶棄浪轅只柜沸貳絨嘯印耍躺弛二胯趕豢昨蔚軌維者沈字堵持藏家裹揪做猶梳蛤貶淤楔褐腸械日絢瘦菱

9、茲穗吟徐雇謗尸仆孿妄界斂懂聳叼小貉易癌1.1.保護器件避免劃傷和沾污2.限制帶電載流子場區(qū)隔離（表面鈍化）3.柵氧或存儲單元結(jié)構(gòu)中的介質(zhì)材料4.摻雜中的注入掩蔽5.金屬導(dǎo)電層間的電介質(zhì)6.減少表面懸掛鍵2.化學(xué)反應(yīng)：Si2H2OSiO22H2水汽氧化與干氧氧化相比速度更快，因為水蒸氣比氧氣在二氧化硅中擴散更快、溶解度更高3.、1.干氧：Si＋O2SiO2氧化速度慢，氧化層干燥、致密，均勻性、重復(fù)性好，與光刻膠的粘附性好2、水汽氧化：Si

10、H2OSiO2（固）H2(氣)氧化速度快，氧化層疏松，均勻性差，與光刻膠的粘附性差3、濕氧：氧氣攜帶水汽，故既有Si與氧氣反應(yīng)，又有與水汽反應(yīng)氧化速度、氧化質(zhì)量介于以上兩種方法之間4.摻雜物、晶體晶向、壓力、溫度、水蒸氣5.界面陷阱電荷、可移動氧化物電荷..對于ULSI集成電路而言，特征尺寸的范圍在形成柵的多晶硅、柵氧以及距離硅片表面最近的金屬層。介質(zhì)層..層間介質(zhì)（ILD）ILD－1：隔離晶體管和互連金屬層；隔離晶體管和表面雜質(zhì)。采用

11、低k介質(zhì)作為層間介質(zhì)，以減小時間延遲，增加速度。4.答：膜淀積技術(shù)分類化學(xué)方法（1）CVDa.APCVD(AtmospherePressureChemicalVapDeposition)b.LPCVDc.等離子體輔助CVD：HDPCVD(HighDensityPlasmaCVD)、PECVD(PlasmaenhancedCVD)d.VPE和金屬有機化學(xué)氣相淀積(2)電鍍：電化學(xué)淀積（ECD）、化學(xué)鍍層物理方法：（1）PVD（2）蒸發(fā)(含

12、MBE)（3）旋涂(SOGSOD)5.答：1)質(zhì)量傳輸2)薄膜先驅(qū)物反應(yīng)3)氣體分子擴散4)先驅(qū)物吸附5)先驅(qū)物擴散進襯底6)表面反應(yīng)7)副產(chǎn)物解吸8)副產(chǎn)物去除6.答：（1）低k介質(zhì)須具備低泄漏電流、低吸水性、低應(yīng)力、高附著力、高硬度、高穩(wěn)定性、好的填隙能力，便于圖形制作和平坦化、耐酸堿以及低接觸電阻。研究較多的幾種無機低介電常數(shù)（二）高k介質(zhì)應(yīng)DRAM存儲器高密度儲能的需要，引入了高k介質(zhì)，在相同電容（或儲能密度）可以增加?xùn)沤橘|(zhì)的物