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文檔簡介
1、補充題：SOA的構(gòu)成？答：功率晶體管的SOA由四部分組成。1)集電極最大允許電流IeM2)基極開路，集電極—發(fā)射極之間的最高允許電壓U(BR)ceo3)晶體管集電極最大允許功率損耗PCM4)二次擊穿電流水平ISB功率場效應管的SOA由三部分組成1)漏—源擊穿電壓U(BR)DS2)等功耗線PDM3)最大允許漏極電流IDM85圖85中晶體管的β可在8~40間選擇。RC=11Ω，電源電壓EC=200V，基極輸入電壓UB=10V。如果UCES=
2、1.0V和UBES=1.5V。求：（a）過驅(qū)動系數(shù)ODF=5時RB的值；（b）強制β值；（c）晶體管功率損耗PC。UceEcRcRbubQicubeibibube0Uce=0Uce＞1Vicuce0EcRcEc(Ib)Ib4＞Ib3＞Ib2＞Ib1截止區(qū)放大區(qū)飽和區(qū)(a)(b)(c)Ib=0解：30)1(??取????????????????????????8.2603.05.855.110603.03009.1809.18110.12
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