版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、1第1章檢測題檢測題一、填空題:一、填空題:(每空0.5分,共25分)1、N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的五價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子,少數(shù)載流子為空穴,不能移動的雜質(zhì)離子帶正電。P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的三價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為空穴,少數(shù)載流子為自由電子,不能移動的雜質(zhì)離子帶負(fù)電。2、三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由基區(qū)、發(fā)射區(qū)、集電區(qū)及發(fā)射結(jié)和集電結(jié)組成的。三極管對外引出電極分別是基極、
2、發(fā)射極和集電極。3、PN結(jié)正向偏置時(shí),外電場的方向與內(nèi)電場的方向相反,有利于多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動而不利于少子的漂移;PN結(jié)反向偏置時(shí),外電場的方向與內(nèi)電場的方向相同,有利于少子的漂移運(yùn)動而不利于多子的擴(kuò)散,這種情況下的電流稱為反向飽和電流。4、PN結(jié)形成的過程中,P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子空穴向N區(qū)進(jìn)行擴(kuò)散,N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子自由電子向P區(qū)進(jìn)行擴(kuò)散。擴(kuò)散的結(jié)果使它們的交界處建立起一個(gè)空間電荷區(qū),其方向由N區(qū)指向P區(qū)。空間電荷區(qū)的建立
3、,對多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動起削弱作用,對少子的漂移運(yùn)動起增強(qiáng)作用,當(dāng)這兩種運(yùn)動達(dá)到動態(tài)平衡時(shí),PN結(jié)形成。5、檢測二極管極性時(shí),需用萬用表歐姆擋的R1K檔位,當(dāng)檢測時(shí)表針偏轉(zhuǎn)度較大時(shí),則紅表棒接觸的電極是二極管的陰極;黑表棒接觸的電極是二極管的陽極。檢測二極管好壞時(shí),兩表棒位置調(diào)換前后萬用表指針偏轉(zhuǎn)都很大時(shí),說明二極管已經(jīng)被擊穿損壞;兩表棒位置調(diào)換前后萬用表指針偏轉(zhuǎn)都很小時(shí),說明該二極管已經(jīng)絕緣老化不通。6、單極型晶體管又稱為MOS管。其
4、導(dǎo)電溝道分有N溝道和P溝道。7、穩(wěn)壓管是一種特殊物質(zhì)制造的面接觸型硅晶體二極管,正常工作應(yīng)在特性曲線的反向擊穿區(qū)。8、MOS管在不使用時(shí)應(yīng)避免柵極懸空,務(wù)必將各電極短接。二、判斷正誤:二、判斷正誤:(每小題1分,共10分)1、P型半導(dǎo)體中不能移動的雜質(zhì)離子帶負(fù)電,說明P型半導(dǎo)體呈負(fù)電性。(錯(cuò))2、自由電子載流子填補(bǔ)空穴的“復(fù)合”運(yùn)動產(chǎn)生空穴載流子。(錯(cuò))3、用萬用表測試晶體管時(shí),選擇歐姆檔R10K檔位。(錯(cuò))3四、簡述題:四、簡述題:(
5、每小題4分,共28分)1、N型半導(dǎo)體中的多子是帶負(fù)電的自由電子載流子,P型半導(dǎo)體中的多子是帶正電的空穴載流子,因此說N型半導(dǎo)體帶負(fù)電,P型半導(dǎo)體帶正電。上述說法對嗎?為什么?答:這種說法是錯(cuò)誤的。因?yàn)?,晶體在摻入雜質(zhì)后,只是共價(jià)鍵上多出了電子或少了電子,從而獲得了N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體,但整塊晶體中既沒有失電子也沒有得電子,所以仍呈電中性。2、某人用測電位的方法測出晶體管三個(gè)管腳的對地電位分別為管腳①12V、管腳②3V、管腳③3.7V,
6、試判斷管子的類型以及各管腳所屬電極。答:管腳③和管腳②電壓相差0.7V,顯然一個(gè)硅管,是基極,一個(gè)是發(fā)射極,而管腳①比管腳②和③的電位都高,所以一定是一個(gè)NPN型硅管。再根據(jù)管子在放大時(shí)的原則可判斷出管腳②是發(fā)射極,管腳③是基極,管腳①是集電極。3、圖623所示電路中,已知E=5V,V,二極管為理想元件(即認(rèn)tu?sin10i?為正向?qū)〞r(shí)電阻R=0,反向阻斷時(shí)電阻R=∞),試畫出u0的波形。答:分析:根據(jù)電路可知,當(dāng)uiE時(shí),二極管導(dǎo)
7、通u0=ui,當(dāng)uiE時(shí),二極管截止時(shí),u0=E。所以u0的波形圖如下圖所示:4、半導(dǎo)體和金屬導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理有什么不同?單極型和雙極型晶體管的導(dǎo)電情況又有何不同?答:金屬導(dǎo)體中只有自由電子一種載流子參與導(dǎo)電,而半導(dǎo)體中則存在空穴載流子和自由電子兩種載流子,它們同時(shí)參與導(dǎo)電,這就是金屬導(dǎo)體和半導(dǎo)體導(dǎo)電機(jī)理上的本質(zhì)不同點(diǎn)。單極型晶體管內(nèi)部只有多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此和雙極型晶體管中同時(shí)有兩種載流子參與導(dǎo)電也是不同的。5、半導(dǎo)體二極管由一個(gè)P
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 電子技術(shù)基礎(chǔ)期末復(fù)習(xí)題
- 電子技術(shù)基礎(chǔ)期末復(fù)習(xí)資料含答案
- 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)期末試題
- 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)期末試題
- 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)期末試題填空選擇復(fù)習(xí)題
- 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)復(fù)習(xí)試題
- 電子技術(shù)基礎(chǔ)復(fù)習(xí)題
- 電工電子技術(shù)期末復(fù)習(xí)題
- 831電子技術(shù)基礎(chǔ)831電子技術(shù)基礎(chǔ)
- 831電子技術(shù)基礎(chǔ)831電子技術(shù)基礎(chǔ)
- 模擬的電子技術(shù)基礎(chǔ)期末試題
- 《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》總復(fù)習(xí)(10.11.11)
- 電子技術(shù)基礎(chǔ)復(fù)習(xí)試題與答案
- 《電路與電子技術(shù)》期末復(fù)習(xí)課資料
- 《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》期末試卷a答案
- 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(第四版)期末復(fù)習(xí)資料
- 電路與電子技術(shù)基礎(chǔ)復(fù)習(xí)題
- 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(第四版)期末復(fù)習(xí)資料
- 電子技術(shù)基礎(chǔ)復(fù)習(xí)題及答案
- 電力電子技術(shù)期末復(fù)習(xí)題及其答案
評論
0/150
提交評論