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1、鑄錠工藝助理工程師考試題1鑄錠工藝考試試題及答案模板一、填空題、填空題1.硅是一種化學(xué)元素,化學(xué)符號(hào)是(Si),原子序數(shù)是(14),屬于元素周期表上IVA族的類金屬元素。2.多晶硅按純度可分為(太陽能)級(jí)和(電子)級(jí)。3.單晶硅就是晶向和結(jié)構(gòu)一致的硅。多晶硅通常是由(無固定晶向)和(結(jié)構(gòu))的硅組成。4.單晶硅棒生產(chǎn)最常用的工藝就是(直拉法),簡(jiǎn)稱CZ。5.太陽能級(jí)硅的固態(tài)和液態(tài)的密度分別(2.33)gcm3、(2.53)gcm3。6.晶
2、體硅在底部形核時(shí),核心數(shù)目較(多),晶粒尺寸較(小)。7.石英坩堝的化學(xué)成份是(二氧化硅)化學(xué)式是(SiO2)。8.測(cè)量爐腔壓力的兩個(gè)壓力計(jì)量程各為(1~1000mbar)(0~1mbar)。9.破碎的塊狀多晶硅具有無規(guī)則的形狀和隨機(jī)尺寸分布,其線性尺寸最小為(3)mm,最大為(200)mm。10.塊狀、棒狀多晶硅斷面結(jié)構(gòu)應(yīng)(致密)。11.156156型錠開方后產(chǎn)生(25)塊硅塊,(20)塊邊料。12.公司主要原料是硅、主要參雜劑為(硼
3、)。13.硅的定向凝固時(shí)硼的分凝系數(shù)是(0.8)磷的分凝系數(shù)是(0.35)碳的分凝系數(shù)是(0.07)。14.硅晶體的晶胞是(金剛石)結(jié)構(gòu),含有(8)個(gè)原子,密排面是(111)面。15.從能量轉(zhuǎn)換角度來講,硅熔化過程是(吸熱),長(zhǎng)晶是(放熱)。16.熱傳導(dǎo)方式有哪幾種(熱輻射)、(熱對(duì)流)、(熱傳導(dǎo)),多晶鑄錠爐的熱傳導(dǎo)方式以(熱輻射)為主。17.DSS爐在氣體模式框中顯示(outlet)時(shí),此時(shí)(inlet)流量固定,(outlet)自
4、動(dòng)調(diào)節(jié)保持設(shè)鑄錠工藝助理工程師考試題336以下(C)為硅片事業(yè)部生產(chǎn)的終端產(chǎn)品A.B.C.D.37Ar流量誤差最大報(bào)警值是(A)A10%B.15%C.12%D.20%38加熱跳轉(zhuǎn)到熔化的條件是(B)ATC1=1170℃B.TC1=1175℃C.TC2=1170℃D.TC2=1175℃39坩堝噴涂使用的是(A)A.氮化硅懸浮液B.液態(tài)氮化硅C.SiC溶液D.液態(tài)SiC40硅料國(guó)標(biāo)中1級(jí)料對(duì)氧含量的要求為(B)atomscm3A.≤1.01
5、016B.≤1.01017C.≤1.51016D.≤1.5101741硅料國(guó)標(biāo)中1級(jí)料對(duì)碳含量的要求為(A)atomscm3A.≤2.51016B.≤2.51017C.≤4.01016D.≤4.0101742公司硅料標(biāo)準(zhǔn)4級(jí)料可使用于(A)A.僅多晶生產(chǎn)B.僅單晶生產(chǎn)C.單多晶皆可D.單多晶都不可43邊料切下的T1料叫(C)A邊T1料B邊尾料C邊頭料D邊料44判定M0和M2硅塊的主要指標(biāo)為(C)A少子壽命B電阻率值C位錯(cuò)比例D硅錠合格率
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