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1、練習(xí)一一、填空(16分)1半導(dǎo)體二極管的主要特性是___________。2三極管工作在放大區(qū)時(shí),發(fā)射結(jié)為____偏置,集電結(jié)為_____偏置;工作在飽和區(qū)時(shí)發(fā)射結(jié)為___偏置,集電結(jié)為____偏置。3當(dāng)輸入信號(hào)頻率為fL和fH時(shí),放大倍數(shù)的幅值約下降為中頻時(shí)的__倍,或者是下降了__dB,此時(shí)與中頻時(shí)相比,放大倍數(shù)的附加相移約為_____。4為提高放大電路輸入電阻應(yīng)引入___反饋;為降低放大電路輸出電阻,應(yīng)引入_____反饋。5乙類功
2、率放大電路中,功放晶體管靜態(tài)電流ICQ=____、靜態(tài)時(shí)的電源功耗PDC=______。這類功放的能量轉(zhuǎn)換效率在理想情況下,可達(dá)到_____,但這種功放有______失真。6在串聯(lián)型穩(wěn)壓電路中,引入了——負(fù)反饋;為了正常穩(wěn)壓,調(diào)整管必須工作在____區(qū)域。二、選擇正確答案填空(24分)1在某放大電路中,測(cè)的三極管三個(gè)電極的靜態(tài)電位分別為0V,10V,9.3V,則這只三極管是()。ANPN型硅管BNPN型鍺管CPNP型硅管DPNP型鍺管2
3、某場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如圖1所示,該管為()。AP溝道增強(qiáng)型MOS管BP溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管CN溝道增強(qiáng)型MOS管DN溝道耗盡型MOS管3在圖示2差分放大電路中,若uI=20mV,則電路的()。A差模輸入電壓為10mV,共模輸入電壓為10mV。B差模輸入電壓為10mV,共模輸入電壓為20mV。C差模輸入電壓為20mV,共模輸入電壓為10mV。D差模輸入電壓為20mV,共模輸入電壓為20mV。4通用型集成運(yùn)放的輸入級(jí)采用差動(dòng)放大電路,這是因?yàn)樗?/p>
4、的()。A輸入電阻高B輸出電阻低C共模抑制比大D電壓放大倍數(shù)大5在圖示電路中Ri為其輸入電阻,RS為常數(shù),為使下限頻率fL降低,應(yīng)()。A減小C,減小RiB減小C,增大RiC增大C,減小RiD增大C,增大Ri6如圖所示復(fù)合管,已知V1的b1=30,V2的b2=50,則復(fù)合后的b約為()。A1500B80C50D307RC橋式正弦波振蕩電路由兩部分電路組成即RC串并聯(lián)選頻網(wǎng)絡(luò)和()。A基本共射放大電路B基本共集放大電路C反相比例運(yùn)算電路D
5、同相比例運(yùn)算電路8已知某電路輸入電壓和輸出電壓的波形如圖所示,該電路可能是()。A積分運(yùn)算電路B微分運(yùn)算電路C過(guò)零比較器D滯回比較器三、兩級(jí)放大電路如圖所示,已知三極管的參數(shù):V1的b1、rbe1,V2的b2、rbe2,電容C1、C2、CE在交流通路中可視為短路。1分別指出V1、V2的電路組態(tài);2畫出圖示電路簡(jiǎn)化的H參數(shù)微變等效電路;3計(jì)算中頻電壓放大倍數(shù)Au,輸入電阻Ri和輸出電阻Ro。(12分)4各自的電壓放大倍數(shù)大約是多少?七、電
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