2014年電子科技大學814 電力電子技術考研真題

1、電力電子技術試題第1頁共6頁電子科技大學電子科技大學2014年攻讀碩士學位研究生入學考試試題年攻讀碩士學位研究生入學考試試題考試科目：考試科目：814電力電子技術電力電子技術注：所有答案必須寫在答題紙上，寫在試卷或草稿紙上無效。注：所有答案必須寫在答題紙上，寫在試卷或草稿紙上無效。一、單項選擇題。(每小題2分，共24分)1.當晶閘管承受反向陽極電壓時，不論門極加何種極性觸發(fā)電壓，管子都將工作在()A.導通狀態(tài)B.關斷狀態(tài)C.飽和狀態(tài)D.

2、不定2.若增大SPWM逆變器的輸出電壓基波頻率，可采用的控制方法是()A.增大三角波幅度B.增大三角波頻率C.增大正弦調(diào)制波頻率D.增大正弦調(diào)制波幅度3.采用多重化電壓源型逆變器的目的，主要是為()A.減小輸出幅值B.增大輸出幅值C.減小輸出諧波D.減小輸出功率4.單相半波可控整流電阻性負載電路中，控制角α的最大移相范圍是()A.90B.120C.150D.1805.星型連接的三相三線交流調(diào)壓電路，帶電阻負載情況下，觸發(fā)角α的移相范圍為

3、()A.90B.120C.150D.1806.升降壓斬波電路呈現(xiàn)升壓狀態(tài)的條件為()（其中α為導通比）。A.0α0.5B.0.5α1C.0α1D.α=0.57.三相半波可控整流電路帶電阻性負載，觸發(fā)角α的移相范圍是（）A、30～150B、0～120C、15～125D、0～1508.IGBT是一個復合型的器件，它是（）A、GTR驅(qū)動的MOSFETB、MOSFET驅(qū)動的GTRC、MOSFET驅(qū)動的晶閘管D、MOSFET驅(qū)動的GTO電力電子技

4、術試題第3頁共6頁3、根據(jù)軟開關技術發(fā)展歷程，可以將軟開關電路分成________________________，______________________，______________________。4、逆變電路的換流方式分為_______________，_______________，_______________，_____________。5、單相半波可控整流電路帶電阻負載情況下，觸發(fā)角α的移相范圍為__________

5、，這種通過控制觸發(fā)脈沖的相位來控制直流輸出電壓的方式稱為____________。6、三相橋式全控整流電路帶電阻負載情況下，觸發(fā)角α的移相范圍為__________；帶阻感負載情況下，觸發(fā)角α的移相范圍為__________。7、電容濾波單相不可控整流電路帶電阻負載情況下，空載時，輸出電壓為_________；隨負載加重，輸出電壓趨近于_________；通常設計時，應選取RC≥_________T，此時輸出電壓為Ud≈_______。

6、（設U2為電源相電壓有效值，T為電源周期）8、斬波電路用于拖動直流電動機時，降壓斬波電路能使電動機工作于第_______象限，升壓斬波電路能使電動機工作于第_______象限。9、單相交流調(diào)壓電路帶阻感負載情況下，觸發(fā)角α的移相范圍為_____________。（φ為負載阻抗角）10、單相橋式全控整流電路帶電阻負載情況下，晶閘管承受的最大正向電壓和反向電壓分別為______________和_____________；帶阻感負載情況下，