2014年電子科技大學832 微電子器件考研真題

1、微電子器件試題共6頁，第1頁電子科技大學電子科技大學2014年攻讀碩士學位研究生入學考試試題年攻讀碩士學位研究生入學考試試題考試科目：考試科目：832微電子器件微電子器件注：所有答案必須寫在答題紙上，寫在試卷或草稿紙上均無效。注：所有答案必須寫在答題紙上，寫在試卷或草稿紙上均無效。一、填空題（共一、填空題（共48分，每空分，每空1.5分）分）1、PN結(jié)二極管用途廣泛，在作為變?nèi)荻O管使用時，主要利用其（）向偏置的（）電容；在作為溫度傳感

2、器使用時，主要利用其正向?qū)▔航禃S溫度的升高而（）。2、一個PN型的二極管，電子和空穴的壽命分別為τn和τp，在外加正向直流電壓V1時電流為I1，當外加電壓反向為－V2時，器件會經(jīng)歷一段反向恢復過程，這主要是由正向?qū)〞r存儲在（）型中性區(qū)中的非平衡少子造成的，該非平衡少子的總量為（）。3、防止PN結(jié)發(fā)生熱擊穿，最有效的措施是降低器件的（）。同時，禁帶寬帶越（）的半導體材料，其熱穩(wěn)定性越好。（第二個空填“大”或“小”）4、雙極型晶體管的

3、基區(qū)寬度調(diào)變效應越嚴重，其厄爾利電壓越（），共發(fā)射極增量輸出電阻越（）。（填“大”或“小”）5、已知雙極型晶體管的基區(qū)度越時間和基區(qū)少子壽命分別為τb和τB，則1τB表示的物理意義為（），因此τbτB可以表示（）。6、MOSFET的亞閾區(qū)擺幅S反應了在亞閾區(qū)中（）的控制能力。柵氧化層越厚，則S越（），該控制能力越（）。（第二個空填“大”或“小”，第三個空填“強”或“弱”）7、當金屬和P型半導體形成金半接觸時，如果金屬的功函數(shù)大于半導體的

4、功函數(shù)，半導體表面將形成（），該結(jié)構(gòu)（）單向?qū)щ娦浴＃◤囊韵逻x項中選擇）A電子阻擋層B電子反阻擋層C空穴阻擋層D空穴反阻擋層E具有F不具有微電子器件試題共6頁，第3頁2、下圖是一個通過擴散工藝制作的PN結(jié)，由于橫向擴散，在PN結(jié)終止的地方會形成彎曲的結(jié)面。發(fā)現(xiàn)該PN結(jié)的雪崩擊穿電壓遠小于平行平面結(jié)擊穿電壓的理論計算值，造成該現(xiàn)象的原因是什么？如果要提高該結(jié)構(gòu)的擊穿電壓，對擴散工藝的時間應該做怎樣的調(diào)整？為什么？（9分）。3、請畫出PNP