2016年電子科技大學832 微電子器件考研真題

1、共5頁第1頁電子科技大學電子科技大學2016年攻讀碩士學位研究生入學考試試題年攻讀碩士學位研究生入學考試試題考試科目：考試科目：832微電子器件微電子器件注：所有答案必須寫在答題紙上，寫在試卷或草稿紙上均無效。注：所有答案必須寫在答題紙上，寫在試卷或草稿紙上均無效。一、填空題（共一、填空題（共44分，每空分，每空1分）分）1、PN結的內建電勢也稱為擴散電勢，是指耗盡區(qū)中從（）處到（）處的電位差。摻雜濃度越高，內建電勢將越（）。2、根據(jù)耗

2、盡近似和中性近似，在PN結勢壘區(qū)內，（）已完全耗盡；而在勢壘區(qū)之外，（）濃度等于電離雜質濃度，維持電中性。3、在相同的電場強度和溫度下，鍺材料和硅材料相比較，碰撞電離率更高的是（），其原因是它的（）更小。4、在計算實際PN結的雪崩擊穿電壓或勢壘電容時，如果結兩側摻雜濃度相差較小，濃度梯度較小，而結深較大時，則可將其近似為（）結求解。5、溫度升高時，PN結的齊納擊穿電壓會（），因為（）隨溫度升高減小了。6、一個PN結二極管在制備完成后對其

3、進行了電子輻照，該二極管的反向恢復時間將（），原因是電子輻照在半導體中引入了（）。7、當PN結的正向電流增大時，其直流增量電阻會（），擴散電容會（）。（填“變大”，“變小”或“不變”）8、雙極型晶體管的基區(qū)寬度越小，其共發(fā)射極增量輸出電阻越（），厄爾利電壓越（）。（填“大”或“小”）9、雙極型晶體管的發(fā)射結注入效率是指（）電流與（）電流之比。10、雙極型晶體管的基區(qū)發(fā)生大注入時，由于基區(qū)載流子濃度急劇增加，其發(fā)射結注入效率γ會（）；同時

4、，和PN結大注入相類似，基區(qū)內會發(fā)生（）效應。11、高頻雙極型晶體管的工作頻率范圍一般在：（）f（）。12、雙極型晶體管的高頻優(yōu)值是指（）與（）的乘積。共5頁第3頁3、下圖是一個npn雙極型晶體管在不同直流偏置下測試獲得的特征頻率示意圖。（8分）（1）請解釋為什么在Ic過大和過小時，特征頻率都會出現(xiàn)下降？（2）圖中兩條曲線a和b分別是VBC＝－0.5V和－2V的測試結果，請指出每條曲線對應的VBC的值，并解釋原因。fT(MHz)IC(m