2015年電子科技大學(xué)832 微電子器件考研真題

1、電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)2015年攻讀碩士學(xué)位研究生入學(xué)考試試題年攻讀碩士學(xué)位研究生入學(xué)考試試題考試科目：考試科目：832微電子器件微電子器件注：所有答案必須寫在答題紙上，寫在試卷或草稿紙上均無效。注：所有答案必須寫在答題紙上，寫在試卷或草稿紙上均無效。一、填空題（共一、填空題（共45分，每空分，每空1分）分）1、泊松方程的積分形式即是（）定理，它的物理意義是：流出一個(gè)閉合曲面的電通量等于該閉合曲面圍成的體積內(nèi)的（）。2、PN結(jié)的擴(kuò)散電

2、容和勢(shì)壘電容有很多不同之處。例如：（）只存在于正向偏壓之下；（）的正負(fù)電荷在空間上是分離的；（）能用作變?nèi)荻O管。3、鍺二極管和相同摻雜濃度、相同尺寸的硅二極管相比，其反向飽和電流更（），正向?qū)▔航蹈ǎ?、碰撞電離率是指每個(gè)載流子在（）內(nèi)由于碰撞電離產(chǎn)生的（）的數(shù)目。電場(chǎng)越（），材料的禁帶寬度越（），碰撞電離率將越大。5、溫度升高時(shí)，PN結(jié)的雪崩擊穿電壓將（），這是因?yàn)闇囟壬邔?dǎo)致晶格振動(dòng)加強(qiáng)，因而載流子的平均自由程（）。6、M

3、OSFET用于數(shù)字電路時(shí)，其工作點(diǎn)設(shè)置在（）區(qū)和（）區(qū)；雙極型晶體管用于模擬電路時(shí)，其直流偏置點(diǎn)設(shè)置在（）區(qū)。7、雙極型晶體管的τb既是基區(qū)渡越時(shí)間，又是（）電阻與（）電容的乘積。8、雙極型晶體管的跨導(dǎo)代表其（）電流受（）電壓變化的影響。雙極型晶體管的直流偏置點(diǎn)電流IE越大，跨導(dǎo)越（）；工作溫度越高，跨導(dǎo)越（）。（第三、四個(gè)空填“大”或“小”）9、一般來說，雙極型晶體管的幾個(gè)反向電流之間的大小關(guān)系為：IES（）ICS；ICBO（）ICE

4、O；BVCBO（）BVCEO；BVEBO（）BVCBO（填“”、“”、“”或“=”）4、一個(gè)理想二極管的直流IV特性曲線如圖所示，即滿足方程：I=I0[exp（qVKT）1]。請(qǐng)問一個(gè)實(shí)際二極管測(cè)試的正反向直流IV特性與理想情況相比，可能會(huì)有哪些不同？（不考慮二極管的擊穿）簡(jiǎn)要解釋其原因。（8分）5、BJT和MOSFET相比，哪一種器件的溫度穩(wěn)定性更好？為什么？（6分）6、采用化合物半導(dǎo)體SixGe1x作為基區(qū)的NPN雙極型晶體管（a）