電子科技大學2019年考研850 半導體物理考試大綱

1、考試科目考試科目850半導體物理考試形式考試形式筆試（閉卷）考試時間考試時間180分鐘考試總分試總分150分一、總體要求要求學生對半導體物理的基本概念有深刻理解，系統(tǒng)掌握半導體物理學基礎理論，并能靈活應用基礎理論和基本概念去理解半導體中的載流子分布、輸運特性以及導電性能，分析金屬半導體接觸界面中的能帶結構、載流子運動以及電學性能，具有較強的分析問題和解決問題的能力。二、內容1.半導體中的電子狀態(tài)和運動1）半導體的典型晶體結構、結合鍵；2

2、）半導體中電子的共有化運動、半導體能帶的形成；3）半導體能帶結構，導體、半導體、絕緣體的能帶結構與導電性能的差異；4）半導體中電子的運動，平均速度、加速度，以及有效質量的概念和意義；5）半導體中的本征激發(fā)，本征半導體的導電機構；6）半導體空穴的概念及其特點；7）典型半導體材料鍺、硅和砷化鎵的能帶結構。2.半導體中的雜質和缺陷能級1）半導體中雜質、缺陷的作用；2）硅、鍺半導體中的淺能級雜質，施主雜質和受主雜質；3）半導體中的雜質電離，多子

3、和少子，P型半導體和N型半導體；4）硅、鍺半導體中深能級雜質特點和作用；5）深能級雜質和淺能級雜質的區(qū)別；6）淺能級雜質電離能的計算；7）雜質補償作用及其產(chǎn)生的原因；8）IIIV化合物等電子陷阱、等電子絡合物以及兩性雜質等概念；9）元素半導體、化合物半導體中的缺陷（主要是點缺陷）能級。3.熱平衡時半導體中載流子的統(tǒng)計分布1）熱平衡狀態(tài)的概念；2）狀態(tài)密度，費米能級的概念；3）載流子的費米統(tǒng)計分布、波爾茲曼統(tǒng)計分布及其特點，非簡并半導體的

4、概念；4）熱平衡態(tài)下非簡并半導體的載流子濃度分布和費米能級的推導和計算；5）本征半導體的本征載流子濃度、本征費米能級；6）非本征雜質半導體的載流子濃度、費米能級計算，以及隨摻雜濃度和溫度變化的規(guī)律；7）簡并條件，簡并半導體及其特點。4.半導體載流子在電場、磁場中的運動1）載流子的漂移運動及遷移率，電導率與電阻率；2）載流子的散射理論，雜質散射、晶格散射及其影響因素和規(guī)律；3）遷移率、電阻率與雜質濃度和溫度的關系等；4）強電場效應，GaA

5、s半導體的負微分電導效應；5）霍爾效應及其機理，霍爾系數(shù)及其特點，霍爾器件。5.非平衡載流子及其運動1）非平衡載流子的產(chǎn)生，大注入和小注入；2）非平衡載流子的復合，非平衡載流子的壽命；3）非平衡狀態(tài)，準費米能級；4）復合理論，非平衡載流子壽命的計算，有效復合中心的概念；5）陷階效應，有效陷阱的概念；6）載流子的擴散運動，一維穩(wěn)態(tài)擴散運動方程，平均擴散長度的概念；7）漂移運動和擴散運動，愛因斯坦關系；8）漂移電流、擴散電流，及其電流密度計