2019年天津工業(yè)大學(xué)碩士研究生入學(xué)考試815半導(dǎo)體集成電路考試大綱

1、天津工業(yè)大學(xué)碩士研究生入學(xué)考試業(yè)務(wù)課考試大綱（天津工業(yè)大學(xué)碩士研究生入學(xué)考試業(yè)務(wù)課考試大綱（2015最新修訂）最新修訂）科目編號：815科目名稱：半導(dǎo)體集成電路一、考試的總體要求一、考試的總體要求“半導(dǎo)體集成電路”是微電子技術(shù)專業(yè)的主干課程，全面系統(tǒng)地介紹半導(dǎo)體集成電路的基本原理、基本電路和基本分析方法。目的是考察考生對基本理論、基本知識、基本技能及分析問題和解決問題的能力。這門課要求學(xué)生熟練掌握半導(dǎo)體集成電路的基礎(chǔ)知識和基本電路模型、

2、雙極和MOS數(shù)字集成電路的特性，以及MOS模擬集成電路基礎(chǔ)，使學(xué)生具有運用理論基礎(chǔ)知識進行定性和定量分析具體電路的能力。二、考試的內(nèi)容及比例二、考試的內(nèi)容及比例1.半導(dǎo)體集成電路的基礎(chǔ)知識（占50分）1）雙極集成電路中的元件形成及其寄生效應(yīng)：掌握雙極集成電路的制造工藝和埃伯斯－莫爾模型及其推導(dǎo)過程，理解集成雙極晶體管的有源寄生效應(yīng)。2）MOS集成電路中的元件形成及其寄生效應(yīng)：掌握MOSFET晶體管、CMOS及BiCMOS集成電路的制造工

3、藝，理解MOS集成電路中的有源寄生效應(yīng)。3）集成電路中的無源元件：理解集成電阻器和電容器以及互聯(lián)線的作用，了解電阻器和電容器的制作方法。2.數(shù)字集成電路的特性及分析方法（占70分）1）MOS晶體管的基本原理與MOS反相器電路：掌握MOS晶體管的電學(xué)特性，以及MOS反相器的作用和原理，理解MOS反相器的差異和功能。2）CMOS靜態(tài)門電路：掌握基本CMOS靜態(tài)門及復(fù)合邏輯門的基本結(jié)構(gòu)和工作原理，理解MOS管的串并聯(lián)特性，了解CMOS靜態(tài)門電

4、路的功耗和延遲分析。3）傳輸門邏輯和動態(tài)邏輯電路：掌握基本的傳輸門和傳輸門邏輯電路結(jié)構(gòu)，理解各種MOS邏輯結(jié)構(gòu)的工作原理、差異和作用，了解動態(tài)邏輯電路中存在的問題及其解決方法。4）時序邏輯電路：掌握電荷的存儲機理，理解各種鎖存器和寄存器的結(jié)構(gòu)、工作原理和使用方法及技巧，了解寄存器的應(yīng)用及其時序約束。5）MOS邏輯功能部件：掌握各種MOS邏輯功能部件的構(gòu)成原理，了解各種MOS邏輯部件的使用方法和技巧。3.模擬集成電路基礎(chǔ)：（占30分）1）

5、模擬集成電路中的特殊元件：掌握MOS可變電容器、集成雙極型晶體管和集成MOS管的結(jié)構(gòu)和工作原理。2）MOS晶體管及雙極晶體管的小信號模型：掌握MOS晶體管及雙極晶體管的小信號模型。3）模擬集成電路中的基本單元電路：掌握恒流源電路和基準電壓源電路的結(jié)構(gòu)和基本原理，掌握單級放大器和差動放大器的電路結(jié)構(gòu)和工作原理。三、試卷的題型及比例三、試卷的題型及比例考試題型包括名詞解釋題（30分）、簡答題（50分）、論述題（40分）、計算綜合題（30分）

6、，滿分150分。四、考試形式及時間四、考試形式及時間考試形式為筆試，時間為三小時。五、主要參考教材五、主要參考教材余寧梅，楊媛，潘銀松，《半導(dǎo)體集成電路》，科學(xué)出版社，2011.07。天津工業(yè)大學(xué)碩士研究生入學(xué)考試業(yè)務(wù)課考試大綱（天津工業(yè)大學(xué)碩士研究生入學(xué)考試業(yè)務(wù)課考試大綱（2015最新修訂）最新修訂）科目編號：815科目名稱：半導(dǎo)體集成電路一、考試的總體要求一、考試的總體要求“半導(dǎo)體集成電路”是微電子技術(shù)專業(yè)的主干課程，全面系統(tǒng)地介紹

7、半導(dǎo)體集成電路的基本原理、基本電路和基本分析方法。目的是考察考生對基本理論、基本知識、基本技能及分析問題和解決問題的能力。這門課要求學(xué)生熟練掌握半導(dǎo)體集成電路的基礎(chǔ)知識和基本電路模型、雙極和MOS數(shù)字集成電路的特性，以及MOS模擬集成電路基礎(chǔ)，使學(xué)生具有運用理論基礎(chǔ)知識進行定性和定量分析具體電路的能力。二、考試的內(nèi)容及比例二、考試的內(nèi)容及比例1.半導(dǎo)體集成電路的基礎(chǔ)知識（占50分）1）雙極集成電路中的元件形成及其寄生效應(yīng)：掌握雙極集成電

8、路的制造工藝和埃伯斯－莫爾模型及其推導(dǎo)過程，理解集成雙極晶體管的有源寄生效應(yīng)。2）MOS集成電路中的元件形成及其寄生效應(yīng)：掌握MOSFET晶體管、CMOS及BiCMOS集成電路的制造工藝，理解MOS集成電路中的有源寄生效應(yīng)。3）集成電路中的無源元件：理解集成電阻器和電容器以及互聯(lián)線的作用，了解電阻器和電容器的制作方法。2.數(shù)字集成電路的特性及分析方法（占70分）1）MOS晶體管的基本原理與MOS反相器電路：掌握MOS晶體管的電學(xué)特性，以

9、及MOS反相器的作用和原理，理解MOS反相器的差異和功能。2）CMOS靜態(tài)門電路：掌握基本CMOS靜態(tài)門及復(fù)合邏輯門的基本結(jié)構(gòu)和工作原理，理解MOS管的串并聯(lián)特性，了解CMOS靜態(tài)門電路的功耗和延遲分析。3）傳輸門邏輯和動態(tài)邏輯電路：掌握基本的傳輸門和傳輸門邏輯電路結(jié)構(gòu)，理解各種MOS邏輯結(jié)構(gòu)的工作原理、差異和作用，了解動態(tài)邏輯電路中存在的問題及其解決方法。4）時序邏輯電路：掌握電荷的存儲機理，理解各種鎖存器和寄存器的結(jié)構(gòu)、工作原理和使

10、用方法及技巧，了解寄存器的應(yīng)用及其時序約束。5）MOS邏輯功能部件：掌握各種MOS邏輯功能部件的構(gòu)成原理，了解各種MOS邏輯部件的使用方法和技巧。3.模擬集成電路基礎(chǔ)：（占30分）1）模擬集成電路中的特殊元件：掌握MOS可變電容器、集成雙極型晶體管和集成MOS管的結(jié)構(gòu)和工作原理。2）MOS晶體管及雙極晶體管的小信號模型：掌握MOS晶體管及雙極晶體管的小信號模型。3）模擬集成電路中的基本單元電路：掌握恒流源電路和基準電壓源電路的結(jié)構(gòu)和基本