ISSG在集成電路中的應(yīng)用.pdf

1、隨著集成電路工藝的不斷發(fā)展，關(guān)鍵尺寸的大小不斷遞減，半導(dǎo)體晶片不斷地朝小體積、高電路密集度、快速、低耗電方向邁進(jìn)。集成電路現(xiàn)已進(jìn)入U(xiǎn)LSI亞微米級(jí)的技術(shù)階段，并且在不斷的進(jìn)步。 對(duì)于半導(dǎo)體芯片來(lái)說(shuō)，速度與功耗一直是非常重要的兩個(gè)環(huán)節(jié)。而與功耗相關(guān)的器件隔離技術(shù)是非常重要的，因?yàn)楦綦x技術(shù)的好壞直接決定了整個(gè)電路的漏電特性．現(xiàn)場(chǎng)蒸汽生成工藝生長(zhǎng)淺溝道隔離氧化層的方法是一項(xiàng)重要隔離工藝。它在130nm線寬以下器件的STI溝道內(nèi)壁隔離氧

2、化層和犧牲氧化層的加工過(guò)程中得到了較為廣泛的應(yīng)用。為了更好的掌握和優(yōu)化工藝參數(shù)和控制氧化層質(zhì)量，有必要對(duì)該工藝的影響因素進(jìn)行深入系統(tǒng)的研究、探討。 本論文研究了淺溝道隔離中應(yīng)用的現(xiàn)場(chǎng)蒸汽生成工藝及影響因素；分別利用干法氧化，濕法氧化和現(xiàn)場(chǎng)蒸汽生成工藝生長(zhǎng)淺溝道隔離氧化層，對(duì)不同氧化層進(jìn)行了對(duì)比。得到的結(jié)論如下：現(xiàn)場(chǎng)蒸汽生成工藝中低含量的氫氣對(duì)提高氧化速度有明顯作用；現(xiàn)場(chǎng)蒸汽生成工藝反應(yīng)溫度越高，反應(yīng)速度越快；反應(yīng)壓力在8~12T