半導(dǎo)體復(fù)習(xí)參考試題

1、一、填空題1.自由電子的能量與波數(shù)的關(guān)系式為（0222)(mkhkE），孤立原子中的電子能量（大小為2220408nhqmEn的分立能級(jí)），晶體中的電子能量為（電子共有化運(yùn)動(dòng)）所形成的（準(zhǔn)連續(xù)）的能帶。2.溫度一定時(shí)，對(duì)于一定的晶體，體積大的能帶中的能級(jí)間隔（?。?，對(duì)于同一塊晶體，當(dāng)原子間距變大時(shí)，禁帶寬度（變?。?。3.玻爾茲曼分布適用于（非簡(jiǎn)并）半導(dǎo)體，對(duì)于能量為E的一個(gè)量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為（)exp()exp()(00TkETk

2、EEfFB），費(fèi)米分布適用于（簡(jiǎn)并）半導(dǎo)體，對(duì)于能量為E的一個(gè)量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為（)exp(11)(0TkEEEfF），當(dāng)EF滿足（TkEETkEEVFFC0022或）時(shí)，必須考慮該分布。4.半導(dǎo)體材料中的（能帶結(jié)構(gòu)（直接復(fù)合））、（雜質(zhì)和缺陷等復(fù)合中心（間接復(fù)合））、（樣品形狀和表面狀態(tài)（表面復(fù)合））等會(huì)影響非平衡載流子的壽命，壽命值的大小反映了材料晶格的（完整性），是衡量材料的一個(gè)重要指標(biāo)。5.Si屬于（間接）帶隙半導(dǎo)體。導(dǎo)帶

3、極小值位于布里淵區(qū)的（方向）上由布里淵區(qū)中心點(diǎn)Г到邊界X點(diǎn)的（0.85倍）處，導(dǎo)帶極值附近的等能面是（長(zhǎng)軸沿方向的旋轉(zhuǎn)橢球面），在簡(jiǎn)約布里淵區(qū)，共有（6）個(gè)這樣的等能面。6.Ge屬于（間接）帶隙半導(dǎo)體。導(dǎo)帶極小值位于布里淵區(qū)的（方向）上由布里淵區(qū)邊界L點(diǎn)處，導(dǎo)帶極值附近的等能面是（長(zhǎng)軸沿方向的旋轉(zhuǎn)橢球面），在簡(jiǎn)約布里淵區(qū)，共有（4）個(gè)這樣的等能面。7.GaAs屬于（直接）帶隙半導(dǎo)體。導(dǎo)帶極小值位于布里淵區(qū)中心點(diǎn)Г處，極值附近的等能面是（

4、球面），在簡(jiǎn)約布里淵區(qū)，共有（1）個(gè)這樣的等能面。在布里淵區(qū)的（方向）邊界L點(diǎn)處，存在高于能谷值0.29eV的次低能谷，簡(jiǎn)約布里淵區(qū)一共有（8）個(gè)這樣的能谷。8.Si、Ge和GaAs能帶結(jié)構(gòu)的共同點(diǎn)：1)禁帶寬度具有負(fù)溫度系數(shù)2)價(jià)帶頂位于布里淵區(qū)中心，k=0處，等能面不是球面，有輕重空穴之分。9.有效質(zhì)量是（半導(dǎo)體內(nèi)部勢(shì)場(chǎng)）作用的概括。由于晶體內(nèi)部的各向異性，在k空間的三個(gè)主軸上，有效質(zhì)量可以表示為（22211xxkEhm、22211

5、yykEhm、22211zzkEhm，一般4.最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在（D）附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（C）附近。A.EAB.EDC.EFD.Ei5.擴(kuò)散系數(shù)反映了載流子在（A）作用下運(yùn)動(dòng)的難易程度，遷移率反映了載流子在（B）作用下運(yùn)動(dòng)的難易程度。A.濃度梯度B.電場(chǎng)C.光照D.磁場(chǎng)6.最小電導(dǎo)率出現(xiàn)在（B）型半導(dǎo)體。A.nB.pC.本征7.電子在晶體中的共有化運(yùn)動(dòng)是指（C）。A.電子在晶體中各處出現(xiàn)的幾率相同。B.電子在晶體原

6、胞中各點(diǎn)出現(xiàn)的幾率相同。C.電子在晶體各原胞對(duì)應(yīng)點(diǎn)出現(xiàn)的幾率相同。D.電子在晶體各原胞對(duì)應(yīng)點(diǎn)的相位相同。8.本征半導(dǎo)體是指（D）的半導(dǎo)體。A.電子濃度等于本征載流子濃度B.電阻率最高C.電子濃度等于空穴濃度D.不含雜質(zhì)與缺陷9.IIVI族化合物中的M空位Vm是（C）。A.點(diǎn)陣中的金屬原子間隙B.一種在禁帶中引入施主的點(diǎn)缺陷C.點(diǎn)陣中的點(diǎn)陣中的金屬原子空位D.一種在禁帶中引入受主的位錯(cuò)10.若某半導(dǎo)體導(dǎo)帶中電子出現(xiàn)幾率為零，則此半導(dǎo)體必定

7、（A）。A.處于絕對(duì)零度B.不含任何雜質(zhì)C.不含任何缺陷D.不含施主11.Si中摻金的工藝主要用于制造（B）器件。A.高可靠性B.高頻C.大功率D.高電壓12.半導(dǎo)體的載流子擴(kuò)散系數(shù)大小決定于其（D）。A.復(fù)合機(jī)構(gòu)B.能帶結(jié)構(gòu)C.晶體結(jié)構(gòu)D.散射機(jī)構(gòu)13.公式ncmqB和3230)2(2hTkmNnC中的nm對(duì)于（A）取值相同。A.GaAsB.GaPC.SiD.Ge14.若用N取代GaP中的一部分P，半導(dǎo)體的禁帶寬度（A）；若用As則禁