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1、’蠆1 D 2 1 1 0 2飯旦大學(xué)學(xué)校代碼:1 0 2 4 6學(xué) 號;0 4 3 0 5 2 ∞8碩 士 學(xué) 位 論 文( 專業(yè)學(xué)位)o .1 3 u I l lD a 蝴銅互連工藝的研究和改善院系( 所) : 微電子研究院專姓業(yè): 電子與通信工程名: 沈悅指導(dǎo)教師: 姜國寶副罄授完成日期: 2 0 0 6 年9 月2 0 日復(fù)旦大學(xué)碩士學(xué)位論文 第5 頁0 .13 啪D a m a s c u s 銅互連工藝的研究和改善摘要在半導(dǎo)
2、體工藝的發(fā)展中,金屬連線工藝從鋁互連制程轉(zhuǎn)到銅互連制程是一個(gè)旅程碑式的進(jìn)步,它配合低l o wK 材料例如F S G 的應(yīng)用,使得器件的時(shí)間延遲受金屬連線的影響降低到可接受的范圍。而且鑲嵌法在銅工藝種的應(yīng)用更是解決了銅難以蝕刻的問題,使得半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵尺寸不斷縮小。本論文通過研究D a m a s c u s 銅互連工藝線上所遇到的i n 一1 i n e 的d e f e c t 展開研究,對其形成的機(jī)理和線上制程的缺陷進(jìn)行分析。本
3、論文通過i n 一1 i n e 的K L A 掃描,以及S E MC U T 對d e f e c t 的原理,以及可能的改進(jìn)措施進(jìn)行表征和分析,并且通過S T R 和M S T R 的i n 一1 i n e 參數(shù)收集與分析,對改進(jìn)方式的可行性與可靠性進(jìn)行驗(yàn)證。D a m a s c e n e 工藝中,對于V i a 的保護(hù)很重要,V i a 內(nèi)部的光阻將保證V i a 的底部不會被e t c h 穿,填滿V i a 的光阻仍然由
4、P h o t o 區(qū)T r a c k 機(jī)臺旋轉(zhuǎn)涂膠法涂布完成,因此光阻厚度的u n i f o r m i t y 尤為重要,V i a 中的光阻填充不充分,或是w a f e r 各區(qū)域的厚度不均,都將可能導(dǎo)致V i a 內(nèi)的光阻被e t c h 盡。在密集型的V i ap a t t e r n 區(qū)域,由于所需要填入的阻擋用光阻量比一般的p a t t e r n 區(qū)域更多,因此這對光阻的圖布要求很高,形成新的挑戰(zhàn)。本文討論了4
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