固溶及退火處理對al1.0si合金再結(jié)晶行為的研究

1、 固溶及退火處理對Al-1.0%Si合金再 結(jié)晶行為的研究 重慶大學(xué)碩士學(xué)位論文 （學(xué)術(shù)學(xué)位） 學(xué)生姓名：徐超玲 指導(dǎo)教師：劉 慶 教 授 專 業(yè)：材料科學(xué)與工程 學(xué)科門類：工 學(xué) 重慶大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院 二O一三年九月 重慶大學(xué)碩士學(xué)位論文 中文摘要 I 摘 要 濺射靶材主要用于集成電路的布線。近年來，隨著微電子等

2、高科技產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，濺射靶材的應(yīng)用越來越廣泛。Al-1%Si合金作為一種重要濺射靶材材料，其晶粒尺寸和織構(gòu)對濺射過程有重要的影響，如何控制濺射靶材的晶粒尺寸和織構(gòu)是靶材生產(chǎn)過程中的重要工藝過程。 本文以高純鋁合金Al-1%Si為研究對象，通過固溶處理、冷軋和再結(jié)晶退火等處理，對其在處理過程中微觀組織和織構(gòu)的演變做了較為系統(tǒng)的研究。首先將鋁硅合金（Al-1%Si）合金分成兩組，一組經(jīng)過固溶處理、另一組不固溶；然后對兩組合金冷軋，得到變形量分

3、別為 63%、86%、95%和 98%（真應(yīng)變分別為1、2、3和4）的樣品；然后，未固溶組樣品分別在 200℃、300℃、400℃不同時間再結(jié)晶退火，直至完全再結(jié)晶；固溶組樣品分別在 250℃、350℃、450℃不同時間再結(jié)晶退火， 直至完全再結(jié)晶。 用掃描電鏡和EBSD技術(shù)對微觀組織結(jié)構(gòu)和織構(gòu)進(jìn)行表征，研究固溶處理、冷軋變形量及退火溫度對鋁硅合金再結(jié)晶晶粒尺寸及織構(gòu)的影響。通過研究得到以下主要結(jié)論： （1）Al-1%Si 合金在進(jìn)行兩

4、小時固溶處理后，大部分第二相顆粒已經(jīng)融入基體；進(jìn)一步延長固溶時間，第二相顆粒分布并沒有明顯的改變。 （2）在退火過程中Si元素從固溶Al-1%Si基體中析出，隨著溫度的升高，析出顆粒數(shù)量增加。同一溫度下，隨著變形量的增加，大顆粒數(shù)量減少、小顆粒尺寸增加。 （3）未固溶Al-1%Si合金的T50均在200℃左右，固溶Al-1%Si合金的 T50大約為250℃。 （4） 隨著冷軋變形量的增加， Al-1%Si合金的再結(jié)晶晶粒尺寸先減小、 后