電致發(fā)光(EL)對(duì)產(chǎn)業(yè)化常規(guī)晶硅太陽(yáng)能電池的檢測(cè)與分析.pdf

1、目前全球電池組件商業(yè)化生產(chǎn)還是以硅太陽(yáng)能電池為主，它以其絕對(duì)優(yōu)勢(shì)仍然處于主導(dǎo)地位。隨著光伏行業(yè)的快速發(fā)展，對(duì)電池的質(zhì)量要求越來(lái)越高。而電池中的一些缺陷，不但導(dǎo)致電池效率降低，還會(huì)對(duì)電池質(zhì)量帶來(lái)一定隱患。電致發(fā)光(EL)檢測(cè)技術(shù)，作為一種全新的電池質(zhì)量檢測(cè)應(yīng)運(yùn)而生。本論文正是基于此，以產(chǎn)業(yè)化常規(guī)單晶硅太陽(yáng)能電池為基礎(chǔ)，采用電致發(fā)光(EL)技術(shù)對(duì)工藝生產(chǎn)中出現(xiàn)的各種缺陷進(jìn)行研究。通過(guò)進(jìn)一步的探究這些問(wèn)題的來(lái)源，并給出合理的解釋以及解決方案，

2、這對(duì)公司改進(jìn)工藝、提高效率和穩(wěn)定生產(chǎn)都有著至關(guān)重要的意義。
　　采用電致發(fā)光(EL)檢測(cè)技術(shù)，不但可以檢測(cè)到電池內(nèi)部缺陷，而且可以精確定位，整個(gè)成像過(guò)程僅需要不到1s。通過(guò)檢測(cè)圖像中缺陷出現(xiàn)的位置、大小、形狀以及明暗程度等，借助Ⅳ測(cè)試、四探針測(cè)試、UV測(cè)試、SEM測(cè)試、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)Schimmel法、水煮法、EDS測(cè)試、金相顯微鏡、橢偏儀等輔助手段進(jìn)行研究，判斷出了斷柵、過(guò)刻、隱裂、虛印、黑斑、黑點(diǎn)、劃痕、黑片等導(dǎo)致電池效率降低的缺陷

3、來(lái)源，發(fā)現(xiàn)PECVD正面打火片其體內(nèi)Si、N、O的成分比發(fā)生明顯改變，并且在波長(zhǎng)300-1100nm整個(gè)范圍內(nèi)，反射率明顯偏高，在中心波長(zhǎng)650nm處達(dá)到了10％，而短路電流Isc為9.221mA，比正常片偏低。然后通過(guò)數(shù)據(jù)表征、理論分析以及工藝參數(shù)調(diào)試等手段，將硅電池絲印工藝的斷柵比例，由原來(lái)的0.748％降為了0.573％。同時(shí)證明了倒角發(fā)黑片是由原始硅片帶來(lái)的，不是公司工藝所引起的。針對(duì)電致發(fā)光(EL)技術(shù)檢測(cè)到的黑邊框、皮帶印、