基于有機-無機雜化鈣鈦礦(MAPbI3)薄膜電雙穩(wěn)器件的研究.pdf

1、隨著信息時代的到來，高性能存儲器件受到了越來越多的關注，人們不斷尋找新的材料來制備性能優(yōu)良的存儲器件。近幾年來，一種新型的有機/無機雜化鈣鈦礦材料，因其結晶度好、遷移率大等優(yōu)點，在光電子領域受到越來越多的關注。本論文主要圍繞有機/無機雜化鈣鈦礦(MAPbI3)開展了有機電雙穩(wěn)器件的研究，主要工作內容如下:
　　(1)聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸鹽(PEDOT∶PSS)因其良好的透光性與導電性被廣泛的應用到光電器件的研究中，

2、本工作將PEDOT∶PSS與鈣鈦礦相結合，制備新型電雙穩(wěn)存儲器件，并研究其電雙穩(wěn)特性。首先，采用一步法（one-ste）制備了鈣鈦礦薄膜并對其形貌進行了表征。通過溶液旋涂法在玻璃襯底上制備結構為ITO/PEDOT∶PSS/MAPbI3/Metal(Cu/Au/Ag/Al)的器件，并對器件的電雙穩(wěn)特性進行了測試。通過對比不同金屬電極器件的性能，發(fā)現(xiàn)不同金屬電極的雙穩(wěn)器件工作電壓不同，但都具有一定的雙穩(wěn)特性，其中，以鋁、銅作為電極的雙穩(wěn)器件

3、穩(wěn)定性較好，最大開關比均可達到103。最終，通過對器件I-V進行了線性擬合，探究了器件在不同階段電荷傳輸?shù)臋C制，分析了器件電雙穩(wěn)特性的產生機制。
　　(2)聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)因其優(yōu)良的介電特性，良好的穩(wěn)定性，低廉的制備成本，溶液制備的無毒等特性，而在新型光電子存儲器件中受到了廣泛的關注。本研究將PMMA引入到了鈣鈦礦雙穩(wěn)器件的研究中，通過制備結構為ITO/PMMAMAPbI3/Al的單層電雙穩(wěn)存儲器件，并對功能層中PMM

4、A的不同含量對器件性能的影響進行了探究，并優(yōu)化了器件性能。當共混功能層中PMMA∶MAPbI3的質量比較大時，器件的介電特性占主導，導致器件沒有雙穩(wěn)特性;當共混功能層中PMMA∶MAPbI3的質量比較小時，鈣鈦礦的導電性占主導，器件的電雙穩(wěn)態(tài)的穩(wěn)定性較差。而當PMMA∶MAPbI3的質量比為1∶31時，共混鈣鈦礦溶液制備的器件性能最好，最大開關比達103，器件穩(wěn)定。通過比較共混器件與雙層器件的雙穩(wěn)性能，發(fā)現(xiàn)活性層內異質結造成的電荷俘獲中