基于交聯(lián)PVP薄膜的有機(jī)電雙穩(wěn)器件.pdf

1、有機(jī)存儲(chǔ)器件的研究是未來(lái)電子技術(shù)領(lǐng)域的重要方向之一，其中有機(jī)電雙穩(wěn)器件因柔性、透明、成本低、制備簡(jiǎn)單、可大面積制作、可應(yīng)用在印刷電子等優(yōu)點(diǎn)而受到廣泛深入地研究。用溶液旋涂法制備層狀結(jié)構(gòu)有機(jī)電雙穩(wěn)器件中存在上層溶液溶解下層薄膜的問(wèn)題，利用有機(jī)薄膜晶體管中應(yīng)用廣泛的交聯(lián)聚合物薄膜可以解決這一問(wèn)題。本論文的主要工作就是將交聯(lián)聚合物薄膜應(yīng)用在了有機(jī)電雙穩(wěn)器件中，對(duì)其電雙穩(wěn)工作特性進(jìn)行了研究和探討。主要內(nèi)容如下:
　　(1)通過(guò)制備交聯(lián)PV

2、P薄膜，研究了交聯(lián)PVP膜的物理特性，包括溶劑抗性、表面接觸角、SEM表征等，然后，通過(guò)制備Glass/ITO/交聯(lián)PVP/Al的MIM結(jié)構(gòu)器件來(lái)研究交聯(lián)PVP膜的漏電流電學(xué)特性。研究表明，在溫度200℃、時(shí)間1h的退火條件下，交聯(lián)性能最佳，PVP膜難以被溶劑溶解。
　　(2)將優(yōu)化的交聯(lián)PVP薄膜引入到PCBM/PVP電雙穩(wěn)器件研究中，解決了溶液法制備多層電雙穩(wěn)器件中的溶劑互溶問(wèn)題，提高了器件的電雙穩(wěn)特性。研究得到結(jié)構(gòu)為Glas

3、s/ITO/交聯(lián)PVP/PCBM/純PVP/Al的器件性能最好，在電壓0V→-3V→0V→3V→0V掃描方式的I-V測(cè)試下，其I-V曲線的開(kāi)關(guān)比最大達(dá)到了2×102，這一結(jié)果好于基于未交聯(lián)PVP制備的器件。此外，結(jié)合器件的I-V曲線的線性擬合得到的載流子輸運(yùn)機(jī)制，發(fā)現(xiàn)在不同電壓下，活性層中存在的俘獲中心對(duì)載流子的俘獲與釋放是導(dǎo)致器件發(fā)生低高態(tài)轉(zhuǎn)變的原因。
　　(3)實(shí)現(xiàn)了基于交聯(lián)PVP和納米Au體系的電雙穩(wěn)器件，器件結(jié)構(gòu)為Glas