厚膜SOI-LDMOS安全工作區(qū)的研究與設計.pdf

1、智能功率芯片由于具備低功耗、高可靠性、低成本等多重優(yōu)勢，目前被廣泛應用在電源管理、智能開關、電機驅動、線性穩(wěn)壓器等方面。絕緣體上硅橫向擴散金屬氧化物半導體器件(Silicon on insulator-lateraldiffused metal oxide semiconductor, SOI-LDMOS)是智能功率芯片中高壓電平轉換電路的重要元器件，要求其不僅具有高耐壓和低導通電阻，同時必須具備寬安全工作區(qū)，以應對在不同環(huán)境下出現(xiàn)的可

2、靠性問題。在散熱性能較差的SOI襯底材料上，擴展安全工作區(qū)成為目前研究難題。
　　本文分析了SOI-LDMOS器件的電安全工作區(qū)和熱安全工作區(qū)的觸發(fā)機理，并通過對傳統(tǒng)LDMOS結構仿真發(fā)現(xiàn)引起器件失效原因。漏端場板下方硅表面發(fā)生雪崩二次擊穿是制約電安全工作區(qū)范圍的關鍵因素，寄生三極管開啟是影響熱安全工作區(qū)范圍的關鍵因素。根據(jù)這兩點關鍵因素，本文提出了一種P埋層和階梯埋氧層相結合的SOI-LDMOS新結構(Step Partial

3、SOI with P-type buried layer, PSP-LDMOS)，該結構采用薄氧化層上淀積P埋層的方法，增大器件散熱和擴展電流路徑，實現(xiàn)寬安全工作區(qū)。最后，對新結構的工藝流程和版圖分別進行設計。
　　流片測試結果表明:本論文所設計的PSP-LDMOS器件電安全工作區(qū)折回點電壓為563V，熱安全工作區(qū)開態(tài)擊穿電壓為475V，熱安全工作區(qū)范圍為4.06W/μm，同時導通電阻等其他電學參數(shù)也得到了優(yōu)化提高，滿足550V功