三氧化鎢基光電極的制備、表征和光電化學(xué)性質(zhì)研究.pdf

1、近年來半導(dǎo)體光催化劑在能源和環(huán)境中的應(yīng)用發(fā)展迅速，目前已有大量相關(guān)文獻報道WO3半導(dǎo)體材料，但WO3自身存在一些缺點如禁帶寬度相對較窄，使其在實際中的應(yīng)用受到限制。為了克服或者降低 WO3本身的缺陷,需要對WO3進行修飾。因此本論文分別采用添加N i(OH)2催化劑，制備FTO/WO3/BiVO4復(fù)合膜和對WO3薄膜的表面形貌進行改善的方法對WO3薄膜進行改性，初步研究了它們的光電化學(xué)性能。本論文研究分為三個部分：
　　(1)FT

2、O/WO3/N i(OH)2薄膜光電極的制備及其光電化學(xué)和光電催化性能研究。通過簡單的溶膠凝膠-浸漬法,經(jīng)過高溫退火后制備出FTO/WO3/Ni(OH)2光電極。產(chǎn)物經(jīng)XRD、SEM、DRS、Raman、CV等方法表征。通過該實驗，我們發(fā)現(xiàn)不修飾Ni(OH)2的裸露三氧化鎢電極幾乎沒有光電催化葡萄糖的效果；在三氧化鎢薄膜的表面修氫氧化亞鎳能夠增強三氧化鎢薄膜的光電效應(yīng)。
　　(2) FTO/WO3/BiVO4薄膜光電極的制備及其光

3、電化學(xué)和光電催化性能研究。本文采用了比較簡便的溶膠-凝膠法方法：滴涂-煅燒-滴涂-煅燒的方法合成了FTO/WO3/BiVO4復(fù)合膜。通過XRD，DRS，SEM和拉曼的表征方法，對復(fù)合膜和純WO3和純BiVO4薄膜進行了比較，進而也對這三種光電極的光電化學(xué)性質(zhì)進行了比較。實驗結(jié)果為FTO/WO3/BiVO4復(fù)合膜電極在光解水反應(yīng)中電流最大。
　　(3)多空 FTO/WO3薄膜光電極的制備及其光電化學(xué)和光電催化性能研究。本文中我們使用