基于CNFET的三值顯性脈沖式觸發(fā)器設(shè)計(jì).pdf_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè),還剩73頁(yè)未讀 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、觸發(fā)器是微型芯片關(guān)鍵組成部分,觸發(fā)器速度與功耗對(duì)數(shù)字集成電路具有重要影響。目前芯片設(shè)計(jì)中大多采用基于Si材料的MOS管,限制了電路進(jìn)一步向低功耗、高性能、高密度發(fā)展。采用多值邏輯原理設(shè)計(jì)的新型電路可以傳輸(0,1,2)三種信號(hào),從而提高電路單線信息攜帶能力,有效減少芯片內(nèi)布線面積,增加芯片集成度。顯性脈沖式觸發(fā)器是由一個(gè)外部脈沖信號(hào)發(fā)生電路和鎖存電路組合而成,結(jié)合碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Carbon Nanotube Field Effe

2、ct Transistor,CNFET)的三值顯性脈沖式觸發(fā)器相較于傳統(tǒng)三值主從觸發(fā)器,具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、延時(shí)低、速度快等優(yōu)點(diǎn),從而應(yīng)用于三值計(jì)數(shù)器,得到高信息密度與低功耗電路。論文將分為以下幾個(gè)部分進(jìn)行研究:
  1、基于CNFET文字電路介紹介紹和脈沖信號(hào)發(fā)生器設(shè)計(jì):通過(guò)研究多值開(kāi)關(guān)—信號(hào)理論和CNFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn),設(shè)計(jì)文字運(yùn)算電路;利用節(jié)點(diǎn)充放電,設(shè)計(jì)基于CNFET的脈沖信號(hào)發(fā)生器,為后續(xù)設(shè)計(jì)基于CNFET的三值顯性脈沖式觸發(fā)器

3、奠定基礎(chǔ)。
  2、基于CNFET的三值脈沖式D觸發(fā)器設(shè)計(jì):通過(guò)對(duì)二值D觸發(fā)器和脈沖式電路結(jié)構(gòu)研究,結(jié)合多值開(kāi)關(guān)—信號(hào)理論,設(shè)計(jì)基于CNFET的單邊沿三值脈沖式D觸發(fā)器和雙邊沿三值脈沖式D觸發(fā)器。
  3、基于CNFET的三值JKL觸發(fā)器設(shè)計(jì):分析三值JKL觸發(fā)器電路結(jié)構(gòu)及工作原理,根據(jù)開(kāi)關(guān)電路的設(shè)計(jì)方法,設(shè)計(jì)基于CNFET的單邊沿三值脈沖式JKL觸發(fā)器和雙邊沿三值脈沖式JKL觸發(fā)器。
  4、基于CNFET脈沖式觸發(fā)

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論