納米MOSFET毫米波等效電路建模.pdf

1、用于低功耗、混合信號(hào)及高頻領(lǐng)域的CMOS技術(shù)的縮比進(jìn)展，表明其最佳的高頻性能已從低中反區(qū)轉(zhuǎn)移至弱反區(qū)。小信號(hào)等效電路模型和參數(shù)提取技術(shù)是射頻與毫米波電路設(shè)計(jì)的先決條件，是理解納米級(jí)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）物理機(jī)制和建立非線性等效電路模型的基礎(chǔ)。雖然很多努力已投入表征和建模射頻MOS晶體管，但是大多數(shù)文獻(xiàn)過(guò)多集中關(guān)注于強(qiáng)反區(qū)的高性能和等效電路的建模，或者側(cè)重于更成熟的工藝，而現(xiàn)有技術(shù)或建模部分不符合標(biāo)準(zhǔn)緊湊型MOSFE

2、T，這些模型可以在每個(gè)工作區(qū)中準(zhǔn)確地描述晶體管特性，但不能保證模型在從一個(gè)工作區(qū)到另一個(gè)工作區(qū)的連續(xù)性。
　　本文重點(diǎn)研究了納米MOSFET在毫米波頻段的小信號(hào)等效電路模型與參數(shù)提取技術(shù)。建模技術(shù)包括小信號(hào)等效電路模型，基于MOSFET的器件物理結(jié)構(gòu)，建立了基于準(zhǔn)靜態(tài)近似的毫米波小信號(hào)等效電路模型；參數(shù)提取技術(shù)包括寄生參數(shù)和本征參數(shù)以及襯底效應(yīng)，使用簡(jiǎn)化條件對(duì)等效電路進(jìn)行簡(jiǎn)化，據(jù)此建立導(dǎo)納參數(shù)的簡(jiǎn)化數(shù)學(xué)模型，并給出了所建立等效電路