納米MOSFET毫米波等效電路建模.pdf

1、用于低功耗、混合信號及高頻領域的CMOS技術的縮比進展，表明其最佳的高頻性能已從低中反區(qū)轉移至弱反區(qū)。小信號等效電路模型和參數提取技術是射頻與毫米波電路設計的先決條件，是理解納米級金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）物理機制和建立非線性等效電路模型的基礎。雖然很多努力已投入表征和建模射頻MOS晶體管，但是大多數文獻過多集中關注于強反區(qū)的高性能和等效電路的建模，或者側重于更成熟的工藝，而現有技術或建模部分不符合標準緊湊型MOSFE

2、T，這些模型可以在每個工作區(qū)中準確地描述晶體管特性，但不能保證模型在從一個工作區(qū)到另一個工作區(qū)的連續(xù)性。
　　本文重點研究了納米MOSFET在毫米波頻段的小信號等效電路模型與參數提取技術。建模技術包括小信號等效電路模型，基于MOSFET的器件物理結構，建立了基于準靜態(tài)近似的毫米波小信號等效電路模型；參數提取技術包括寄生參數和本征參數以及襯底效應，使用簡化條件對等效電路進行簡化，據此建立導納參數的簡化數學模型，并給出了所建立等效電路