版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、毫米波單片集成電路具有集成度高、功耗低、可靠性高、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn),在無線通信、雷達(dá)、遙感、精確制導(dǎo)等方面有著重要的應(yīng)用。本文主要采用GaAs pHEMT工藝,較為系統(tǒng)地研究并實(shí)現(xiàn)了多種毫米波單片集成電路,并在此基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了毫米波接收前端電路模塊,主要研究?jī)?nèi)容包括:
(1)研究了在接近工藝截止頻率的情況下改進(jìn)低噪聲放大器性能的方法。以最小噪聲測(cè)量為設(shè)計(jì)依據(jù),通過適當(dāng)提高偏置電流的方法改善毫米波頻段的增益,使得毫米波頻段放大器
2、在保持噪聲系數(shù)較小的同時(shí)獲得較高的增益。在此基礎(chǔ)上研制了三種寬帶低噪聲放大器芯片,工作于28~40GHz頻段。其中,第一種是兩級(jí)低噪聲放大器,增益最大為15.4dB、噪聲系數(shù)最小約為3.2dB:第二種是三級(jí)低噪聲放大器,增益最大為24.8dB、噪聲系數(shù)最小約為2.8dB;第三種是四級(jí)低噪聲放大器,增益最大為28dB、噪聲系數(shù)最小約為2.5dB。
(2)研究了兩種結(jié)構(gòu)形式的分布式寬帶放大器,對(duì)比了晶體管數(shù)量相同的兩種結(jié)構(gòu)在增
3、益與功率容限方面的優(yōu)缺點(diǎn),可分別適應(yīng)于不同的需求。同時(shí)在設(shè)計(jì)中采用電阻-電容結(jié)構(gòu)代替?zhèn)鹘y(tǒng)分布式放大器中的終端電阻以降低直流功耗。第一種分布式放大器采用單級(jí)結(jié)構(gòu),工作頻率范圍為10~40GHz,增益為9.4±1.1dB,1dB壓縮點(diǎn)最大輸出功率為21.5dBm;第二種分布式放大器采用兩級(jí)級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu),工作頻率范圍為15~40GHz,增益為12.2±1.4dB,1dB壓縮點(diǎn)最大輸出功率為17dBm。(3)研究了直接多管并聯(lián)和多路放大合成兩種形式
4、的放大器功率合成方法,在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了兩種驅(qū)動(dòng)放大器芯片,其中第二種放大器在26GHz處的ldB壓縮點(diǎn)輸出功率為23.5dBm。
(4)研究了毫米波頻段的多種混頻方案。其中第一種是有源混頻器,通過采用柵極混頻結(jié)構(gòu)與濾波元件實(shí)現(xiàn)了很高的隔離度,變頻增益為0.6dB、LO-IF隔離度大于55dB、RF-IF的隔離度大于30dB:第二種采用平衡式結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了寬帶鏡像抑制混頻器,其結(jié)構(gòu)緊湊、性能優(yōu)良,在24~40GHz頻段內(nèi)變頻損耗
5、小于10.6dB、鏡像抑制度大于15dB;第三種是分諧波混頻器,在設(shè)計(jì)中提出了新穎的輸入耦合形式,并采用并聯(lián)到地的二級(jí)管對(duì)混頻結(jié)構(gòu),進(jìn)一步拓寬了工作頻段、提高了端口隔離度、減小了芯片面積,研制的混頻器在18~40GHz頻段內(nèi)變頻損耗小于13.5dB,芯片面積僅為0.66mm2。
(5)綜合考慮插入損耗、隔離度與帶寬等性能指標(biāo),采用并聯(lián)型結(jié)構(gòu)研制了低損耗單刀雙擲開關(guān)芯片。在30~40GHz內(nèi)插入損耗小于1.2dB、隔離度大于
6、20dB。
(6)采用FET倍頻方案實(shí)現(xiàn)了三倍頻器,其直流功耗低、變頻損耗小,在輸出頻率范圍為35~36.7GHz內(nèi),變頻損耗小于5dB、基波抑制大于20dB、2次諧波抑制大于35dB。
(7)基于130nm CMOS工藝設(shè)計(jì)了100GHz壓控振蕩器芯片,采用交互耦合式Push-Push結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)較低的相噪,仿真指標(biāo)為:在101.6GHz,輸出功率為-6.2dBm,偏移10MHz處的相位噪聲優(yōu)于-116dBc/
7、Hz。
(8)設(shè)計(jì)了X波段鎖相源,同時(shí)結(jié)合自主研制的三倍頻芯片,實(shí)現(xiàn)了毫米波鎖相倍頻源,輸出頻率可調(diào)范圍為35~36.7GHz,相位噪聲優(yōu)于-92dBc/Hz@100KHz,輸出功率大于4.8dBm。
(9)基于自主研制的低噪聲放大器、分布式寬帶放大器和混頻器等芯片,實(shí)現(xiàn)了兩種形式的毫米波接收前端。第一種接收前端采用鏡像抑制混頻方案,在28~31GHz頻段內(nèi)增益大于12.5dB,在本振頻率為30GHz、輸出中
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 微波毫米波單片集成電路綜述論文
- 微波毫米波無源器件建模與單片集成電路設(shè)計(jì).pdf
- 硅基毫米波亞毫米波頻率源及相關(guān)集成電路的研究.pdf
- SiGe HBT及其單片集成電路的研究.pdf
- 毫米波CMOS集成電路若干關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf
- 硅微波單片集成電路技術(shù)研究.pdf
- GaAs寬帶混頻器單片集成電路的研究.pdf
- Ka頻段收發(fā)信機(jī)單元電路單片集成電路研究.pdf
- 微波毫米波集成無源電路研究.pdf
- 微波毫米波電路集成技術(shù)研究.pdf
- 基于CMOS工藝的微波毫米波集成電路關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf
- 毫米波單片集成功率放大電路設(shè)計(jì).pdf
- X波段單片集成電路功率放大芯片研究.pdf
- 微波毫米波電路的集成新技術(shù)研究.pdf
- 基于LTCC的毫米波集成電路理論分析與仿真設(shè)計(jì)技術(shù)研究.pdf
- 毫米波亞毫米波電路與成像技術(shù)研究.pdf
- 毫米波集成天線研究.pdf
- Ka頻段接收機(jī)部件單元單片集成電路設(shè)計(jì).pdf
- InP基HEMT器件及毫米波單片放大電路研究.pdf
- 微波-毫米波單片集成收發(fā)機(jī)中關(guān)鍵電路的設(shè)計(jì)及其小型化.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論