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
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1、微波低噪聲放大器(LNA)廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通訊、無(wú)線電、藍(lán)牙技術(shù)等的RF前端。LNA中的有源器件是整個(gè)電路的核心,對(duì)整個(gè)放大器電路的性能有著重要的影響,因此有源器件的設(shè)計(jì)是LNA的關(guān)鍵技術(shù)之一。由于SiGe異質(zhì)結(jié)雙極器件(HBT)既能像GaAs器件一樣滿足RFICs對(duì)高性能要求,又可以與Si工藝兼容而具有低成本的優(yōu)點(diǎn),所以成為國(guó)內(nèi)外研究的熱點(diǎn)課題之一。 通過(guò)對(duì)SiGe材料特性和生長(zhǎng)技術(shù)的研究,對(duì)SiGeHBT器件結(jié)構(gòu)參數(shù)的優(yōu)化(尤
2、其是基區(qū)的實(shí)現(xiàn)方案),對(duì)主要參數(shù)的理論核算,并結(jié)合無(wú)源器件的特點(diǎn)及實(shí)現(xiàn)工藝,完成了以SiGeHBT器件為有源器件的微波低噪聲放大器單片集成電路的器件與版圖設(shè)計(jì)。主要工作是: 1、通過(guò)理論分析和MEDICI模擬,綜合設(shè)計(jì)得出符合設(shè)計(jì)指標(biāo)的結(jié)構(gòu)參數(shù),主要包括:發(fā)射區(qū)的摻雜濃度和厚度、基區(qū)的摻雜濃度和厚度及基區(qū)中Ge的組分比、集電區(qū)的摻雜濃度和厚度。 2、為了解決基區(qū)雜質(zhì)外擴(kuò)現(xiàn)象,提出了兩種方案: 1)采用摻碳的SiG
3、e:C基區(qū)層,能夠有效消除外擴(kuò)問(wèn)題; 2)采用未摻雜的緩沖層i-SiGe,能夠有效抑制外擴(kuò)現(xiàn)象。 3、確定了各層結(jié)構(gòu)的摻雜濃度和厚度后,結(jié)合主要技術(shù)指標(biāo)得出了器件的結(jié)構(gòu)參數(shù),并對(duì)主要參數(shù)進(jìn)行了理論核算。 4、微波單片集成電路中的無(wú)源器件與普通集成電路相比有不同的特點(diǎn)。研究了微波單片集成電路中的無(wú)源器件的設(shè)計(jì)理論及其各自的實(shí)現(xiàn)工藝,完成了電路所需的無(wú)源器件的設(shè)計(jì)。 5、根據(jù)SiGeHBT的結(jié)構(gòu)參數(shù),并結(jié)合無(wú)
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