SiGe HBT的制備及其電學(xué)質(zhì)的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、新型SiGe/Si異質(zhì)結(jié)材料作為新型晶片材料，由于在工藝上可以與Si工藝兼容，且成本低于化合物半導(dǎo)體器件，目前得到迅速發(fā)展，已達(dá)到了可與AsGa技術(shù)相抗衡的地步。SiGe HBT不僅在高頻方面具有獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，同時，在低溫高增益方面也具有得天獨(dú)厚的條件，成功地解決了高頻、大功率、低溫、高增益等一系列在硅及砷化鎵材料中無法解決的問題。
　　 當(dāng)下，對于SiGe HBT改善的研究方法主要分為兩大類：一是改變Ge組分分布以調(diào)制其能帶結(jié)構(gòu)

2、，但由于晶格失配等原因，Ge的組分改變受到限制，一般不高于25％；二是通過改變HBT結(jié)構(gòu)如改變基區(qū)厚度等來改進(jìn)HBT性能。本論文設(shè)計了一種臺面式結(jié)構(gòu)的HBT并對其基本電學(xué)性質(zhì)做了參數(shù)提取。
　　 本論文包括四部分，第一部分主要介紹SiGe HBT的發(fā)展歷史和應(yīng)用前景；
　　 第二部分主要介紹為SiGe HBT制備的要點(diǎn)、常用結(jié)構(gòu)以及現(xiàn)在比較成熟的制備工藝：
　　 第三章為實(shí)驗(yàn)部分，主要介紹了利用固態(tài)源MBE法設(shè)計

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