SiGe HBT高頻噪聲精確建模方法的研究.pdf

1、硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(SiGe HBT)以其高頻、高速、低噪聲、低功耗和高性能等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于無(wú)線通信電路中。隨著應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展,器件模型是集成電路設(shè)計(jì)和集成電路加工之間的橋梁和紐帶,本文重點(diǎn)研究SiGe HBT高頻噪聲精確建模方法的研究,主要內(nèi)容包括如下三個(gè)方面:
　　 針對(duì)非準(zhǔn)靜態(tài)效應(yīng)對(duì)高頻最小噪聲系數(shù)模擬精度的影響,因此,本文著重研究了基于包含輸入非準(zhǔn)靜態(tài)效應(yīng)的小信號(hào)等效電路模型的Y參數(shù)泰勒級(jí)數(shù)展開(kāi)解析式的參數(shù)直

2、接提取算法。
　　 針對(duì)當(dāng)前SiGe HBT高頻噪聲模型中散粒噪聲的Transport與SPICE模型精度不高的問(wèn)題,基于二端口噪聲相關(guān)矩陣技術(shù),利用器件的四噪聲參數(shù)測(cè)量數(shù)據(jù),提取器件的散粒噪聲?；诎虢?jīng)驗(yàn)噪聲模型研究的基礎(chǔ)上,對(duì)其進(jìn)行完善,并據(jù)此研究了歸一化的半經(jīng)驗(yàn)散粒噪聲模型。
　　 最后,將所建的SiGe HBT高頻噪聲模型嵌入ADS2005A軟件,仿真驗(yàn)證包含輸入非準(zhǔn)靜態(tài)效應(yīng)的小信號(hào)等效電路模型參數(shù)提取算法的精度