一種基于LDMOS器件的P波段功率放大器的理論與設計.pdf

1、與硅雙極型功率器件相比，LDMOS微波功率器件具有頻帶寬、輸出功率高、功率增益高、線性度好、熱穩(wěn)定性好、沒有二次擊穿等諸多優(yōu)點，在要求高功率、高增益、高線性度的通信領域應用較為廣泛，特別是在移動基站上，LDMOS是首選的微波功率器件，占據(jù)了約90％的市場份額[1]。隨著LDMOS微波功率器件的設計越來越優(yōu)化、加工技術和手段越來越成熟、產(chǎn)品可靠性水平不斷提高，LDMOS又在向脈沖大功率應用領域方向發(fā)展，隨著需求的提高，適合脈沖應用的LDM

2、OS新產(chǎn)品也在不斷被開發(fā)出來，并不斷地被推向市場。許多研究機構和公司都在開展LDMOS器件的研制和開發(fā)工作，特別著名的，如Infineon、NXP、Freescale等公司都擁有自主的LDMOS產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)線，并開發(fā)出比較完善的系列化產(chǎn)品。本文基于脈沖器件應用的市場需求，進行P波段LDMOS微波脈沖功率放大器的設計工作進行討論研究。
　　在對P波段LDMOS微波功率放大器設計過程中，論文將討論三個方面的內容。第一方面首先討論了LD

3、MOS微波功率器件工藝原理，具體內容里將在第二章節(jié)闡述;LDMOS微波功率器件是放大器設計的關鍵元器件，因此它是放大器設計的依據(jù)，所以第二個方面主要討論了設計LDMOS微波功率器件內匹配電路模型，這些內容都將在第三章節(jié)里詳細討論。第三方面主要討論了P波段LDMOS脈沖功率放大器的設計和研制，主要包括如下內容:放大器的設計原理和電路、放大器輸入輸出匹配網(wǎng)絡的設計、放大器的可靠性設計、放大器的穩(wěn)定性研究以及放大器的最終測試結果分析等幾方面的