1、解釋如下概念：pn結、空間電荷區(qū)、內建電場、內建電勢80

1、-------------------------------------- --------------------------------------最新資料推薦 最新資料推薦------------------------------------- -------------------------------------【精品】 【精品】1、解 、解 釋如下概念： 釋如下概念：PN結、空間電荷區(qū)、 結、空間電荷區(qū)、 內建電場、內

2、建電勢 建電場、內建電勢...801 1、解釋如下概念：PN結、空間電荷區(qū)、內建電場、內建電勢差、突變結、線性緩 變結。答：PN結：在一塊半導體上形成的p p型區(qū)和n n型區(qū)交界處?？臻g電荷區(qū)：離化的施主和受主帶有固定的電荷，占據(jù)一定的區(qū)域。內建電場：空間電荷產(chǎn)生的電場。內建電勢差：平衡p p- -n n結的空間電荷區(qū)兩端間的電勢差V V D D ,稱 為p p- -n n結的接觸電勢差或內建電勢差。突變結：P P型區(qū)中受主雜質濃度為N

3、 N A A ,均勻分布；N N型區(qū)中 施主雜質濃度為NNDD，均勻分布；在交界面處，雜質濃度由NN A A （P型））突變?yōu)镹 N D D （N型））；具有這種雜質分布的pn 結稱為突變結。線性緩變結：擴散結中雜質的分布中，濃度梯度比較大的一類可以用前述的突 變解解 解解 I 1 I _ _0.026ln( 5x10 15 x10 17 /n i i 2 2 ) = 0.36V-----------------------------

4、-------------- -------------------------------------------最新資料推薦 最新資料推薦 ------------------------------------- ------------------------------------- 具有整流特性的內在物理機理。正向偏壓下，正向電流密度隨正向偏壓呈指數(shù)關系，迅速增大。室溫下 kT/q=0.026V，只要外加電壓大于零點幾

5、伏，exp(qV/kT)1 J=J s s exp(qV/kT) 反向偏壓下，V0，q|V|kT exp(qV/kT) 0 0 稱為反向飽和電流，很小。表明pn結I I- -V V特性不對稱， 具有單向導電性。)(0 0np npn psLn qDLp qDJ J 單向導電性對應的內部物理機制是：正向V V增加，注入的非平衡少子增加擴散電流增加。反向VV增加，少子的抽取不變，只是空間電荷區(qū)寬度略有增 加。反向擴散電流不變。6 6、試分析