Ⅱ--Ⅵ族核殼結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體量子點(diǎn)的制備及其光電特性和物理機(jī)制的研究.pdf

1、浙江工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文浙江工業(yè)大學(xué)學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：所提交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下，獨(dú)立進(jìn)行研究工作所取得的研究成果。除文中已經(jīng)加以標(biāo)注引用的內(nèi)容外，本論文不包含其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫過(guò)的研究成果，也不含為獲得浙江工業(yè)大學(xué)或其它教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位證書(shū)而使用過(guò)的材料。對(duì)本文的研究作出重要貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體，均已在文中以明確方式標(biāo)明。本人承擔(dān)本聲明的法律責(zé)任。作一：辜武軍 日刪悔廠月1 7 日學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書(shū)本學(xué)

2、位論文作者完全了解學(xué)校有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，同意學(xué)校保留并向國(guó)家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)浙江工業(yè)大學(xué)可以將本學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存和匯編本學(xué)位論文。本學(xué)位論文屬于1 、保密口，在 年解密后適用本授權(quán)書(shū)。2 、不保密贏( 請(qǐng)?jiān)谝陨舷鄳?yīng)方框內(nèi)打“√”)熹主黼 別磁轢陌烘彳日期：為f 悔日期廖o l 譯日日q 1q／．17月月

3、．j廠／、浙江工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文然后，在室溫下測(cè)試了C d O 量子點(diǎn)、C d O ／Z n O 核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)和Z n O 量子點(diǎn)的紫外一可見(jiàn)光吸收光譜( U V ) 和熒光光譜( P L ) 。在U V譜中，與C d O 單核結(jié)構(gòu)相比，C d O ／Z n O 核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的吸收邊有紅移現(xiàn)象。在P L 譜中，兩者具有相同的峰位，但是C d O ／Z n O 核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的熒光峰強(qiáng)度有所增加，這說(shuō)明C d O 量子點(diǎn)外包裹上Z

4、n O 后，顆粒表面缺陷被修復(fù)了，非輻射能量損失減少，顆粒的熒光量子產(chǎn)率有所提高。通過(guò)分析不同生長(zhǎng)條件下的C d O ／Z n O 核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的吸收光譜，發(fā)現(xiàn)反應(yīng)溫度與反應(yīng)時(shí)問(wèn)對(duì)生成的C d O ／Z n O 核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的尺寸分布具有一定影響。分析根據(jù)溶液法制備得到的Z n O 納米顆粒的U V 譜，其吸收較為明顯，表明顆粒尺寸分布較均勻。最后采用旋涂法將制備得到的C d O ／Z n O 核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)與Z n O 量子點(diǎn)分別

5、制成量子點(diǎn)功能薄膜，以及按比列混合的混合液的量子點(diǎn)薄膜。通過(guò)U V 譜和P L 譜的測(cè)量，我們發(fā)現(xiàn)混合液制備成的薄膜的U V譜在Z n O 量子點(diǎn)含量較低時(shí)，與C d O ／Z n O 核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)制備成的薄膜的U V 譜比較接近，而當(dāng)Z n O 量子點(diǎn)含量較高時(shí)，與Z n O 量子點(diǎn)制備成的薄膜的U V 譜比較接近。從光譜分析來(lái)看，我們發(fā)現(xiàn)通過(guò)改變其摻雜比份，可實(shí)現(xiàn)薄膜能帶的連續(xù)可調(diào)，正是這一優(yōu)良的能帶可裁剪調(diào)節(jié)特性，使其在光電器件