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1、半導(dǎo)體量子點(diǎn)是一種新型的寬帶發(fā)射光譜材料。部分半導(dǎo)體量子點(diǎn)具備綠色的合成條件,長(zhǎng)的熒光壽命和高的熒光效率,而在固態(tài)照明中顏色轉(zhuǎn)化器的應(yīng)用方面具有很大的潛力。由于在白光發(fā)光二極管,生物成像等不同領(lǐng)域中所展現(xiàn)出的優(yōu)良性質(zhì),半導(dǎo)體量子點(diǎn)材料核殼和摻雜結(jié)構(gòu)的合成和表征受到研究人員的廣泛的關(guān)注。一些組分合適的核殼和摻雜的量子點(diǎn)材料可以通過(guò)綠色的前驅(qū)體反應(yīng)得到,因而與現(xiàn)實(shí)的工業(yè)應(yīng)用息息相關(guān)。
本文選擇環(huán)境友好的化合物半導(dǎo)體材料,從綠色合成
2、路線(xiàn)出發(fā)研究黃銅礦型CuInZnS及其核殼量子點(diǎn)的合成,并探討其在白光LED領(lǐng)域的應(yīng)用,取得的主要研究成果如下:
1.使用低毒的CuI,In(Ac)3和Zn(Ac)2合成得到前驅(qū)體溶液,運(yùn)用“一鍋煮”的方法得到四元的CuInZnS(CIZS)量子點(diǎn),在此基礎(chǔ)上包殼得到CIZS/ZnS核殼量子點(diǎn)。這種兩步法合成核殼量子點(diǎn)的方法簡(jiǎn)單而且靈活高效。ZnS包殼的處理提高了四元核量子點(diǎn)的光學(xué)性質(zhì),其吸收波長(zhǎng)和發(fā)射峰發(fā)生了明顯的藍(lán)移現(xiàn)象。
3、此外,CIZS/ZnS核殼量子點(diǎn)的熒光發(fā)射強(qiáng)度得到提升,通過(guò)對(duì)核量子點(diǎn)表面ZnS殼層有效的鈍化處理,平均的熒光衰減時(shí)間從257.3 ns提升到411.6 ns。使用發(fā)射光譜為黃光的CIZS/ZnS核殼量子點(diǎn)用在藍(lán)光LED芯片上組裝白光發(fā)光二極管。白光LED在20mA驅(qū)動(dòng)電流下的顯色指數(shù)是80,相關(guān)色溫是4793K,CIE坐標(biāo)為(0.346,0.321),發(fā)射明亮的暖白光,表明了CIZS/ZnS核殼量子點(diǎn)在光電器件上極具應(yīng)用潛力。
4、 2.通過(guò)改變上一章合成量子點(diǎn)的工藝條件,使用Mn(Ac)2的前驅(qū)體,合成得到Mn摻雜的CIZS和CIZS/ZnS核殼量子點(diǎn)。Mn2+有效的進(jìn)入到CIZS的晶格體系中并且具有很高的結(jié)晶性,在此基礎(chǔ)上得到的核殼量子點(diǎn)的熒光發(fā)射光譜紅移并且熒光衰減壽命增加,其中Mn摻雜的CIZS/ZnS核殼量子點(diǎn)發(fā)黃光,熒光發(fā)射峰在580nm的位置,熒光衰減壽命高達(dá)6281.4 ns,Mn摻雜的CIZS核量子點(diǎn)發(fā)紅光,熒光發(fā)射峰在654nm的位置,熒光衰
5、減壽命也達(dá)到了2525.6 ns。
3.使用高反應(yīng)活性的硒的十八烯懸浮溶液作為前驅(qū)體,合成得到具有好的單分散性,優(yōu)良的光學(xué)特性和純的摻雜峰的Mn摻雜的ZnSe量子點(diǎn)。實(shí)驗(yàn)中得到的Mn摻雜的ZnSe量子點(diǎn)平均尺寸大小為3.9 nm,具有閃鋅礦的結(jié)構(gòu),在(200)(h kl)晶面處計(jì)算得到的晶面間距為0.32nm,其吸收和發(fā)射光譜隨著尺寸大小的增加發(fā)生紅移的現(xiàn)象。此外,通過(guò)密度泛函理論計(jì)算得到(ZnSe)n,n=3x,(x=1-4
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