半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)中電子隧穿壽命的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文在有效質(zhì)量近似下，選取雙量子阱異質(zhì)結(jié)構(gòu)GaAs/Al0.3Ga0.7As作為電子隧穿輸運的結(jié)構(gòu)，利用投影格林函數(shù)方法(PGF)和遞歸法，研究了電子從一個阱中逃逸問題.此外，這種方法還被用來研究當(dāng)計入k3 Dresselhaus自旋軌道耦合效應(yīng)后，電子自旋極化隧穿問題.
　　首先，結(jié)合PGF和遞歸法求解薛定諤方程，以GaAs/Al0.3Ga0.7As作為量子阱結(jié)構(gòu)計算和分析了電子逃逸時間，研究了結(jié)構(gòu)參數(shù)對隧穿壽命的影響.結(jié)果表明

2、，隧穿壽命隨第一個勢壘厚度的變化迅速增加.而第二個勢壘厚度的變化對電子的隧穿壽命影響很小;勢阱寬度的變化對電子隧穿壽命的影響是相反的.
　　另外，在計入k3 Dresselhaus自旋軌道耦合效應(yīng)后，還研究了非對稱雙量子阱異質(zhì)結(jié)構(gòu)GaAs/Al0.3Ga0.7As中，不同自旋取向電子的隧穿壽命和電子的自旋極化率.研究表明，當(dāng)計入k3 Dresselhaus自旋軌道耦合后，自旋向上電子對應(yīng)的洛倫茲峰值位置向高能區(qū)域移動，而自旋向下電

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