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1、有機(jī)電致發(fā)光器件(Organic Light-Emitting Diodes,OLED)由于其具備優(yōu)異的特點(diǎn)而在顯示和照明領(lǐng)域存在廣泛的應(yīng)用空間。自1987年至今,專家學(xué)者對(duì)OLED的性能優(yōu)化作出不懈努力,然而,OLED在應(yīng)用領(lǐng)域還存在一定的問(wèn)題。空穴注入層對(duì)于OLED空穴的注入和陽(yáng)極的修飾有著舉足輕重的作用,但是常用的幾種空穴注入材料存在一定的缺陷甚至能對(duì)陽(yáng)極進(jìn)行破壞,尤其是旋涂法制備器件的過(guò)程中,常用的聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)∶
2、聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT∶PSS)的透光率和導(dǎo)電率具有一定的局限性,而且具有強(qiáng)酸性,容易腐蝕陽(yáng)極而降低器件性能?;诖?,本文利用氧化石墨烯(GO)和PEDOT∶PSS共同作用提高OLED器件的空穴注入性能、發(fā)光性能及穩(wěn)定性。本文的主要工作如下:
(1)利用改進(jìn)的Hummer法制備了GO的水溶液,制備了GO薄膜,并探究了影響GO薄膜厚度和質(zhì)量的因素,確定了GO的最佳轉(zhuǎn)速和退火溫度分別為3000rpm和120℃,研究了GO薄膜
3、厚度與旋涂次數(shù)的關(guān)系。探究了影響PEDOT∶PSS薄膜厚度和質(zhì)量的因素,繪制了PEDOT∶PSS薄膜厚度與轉(zhuǎn)速的關(guān)系曲線圖,確定了PEDOT∶PSS薄膜的最佳退火溫度為120℃。
(2)利用GO摻雜PEDOT∶PSS作為空穴注入層制備了小分子熒光OLED,器件結(jié)構(gòu)為ITO/PEDOT∶PSS∶GO(x)/NPB/Alq3/LiF/Al,x為GO在PEDOT∶PSS中的摻雜量。在PEDOT∶PSS水溶液中摻雜GO水溶液,經(jīng)過(guò)旋涂
4、和退火成膜后,與純PEDOT∶PSS相比,不僅改善了導(dǎo)電率,也相應(yīng)的提高了透光率,從而使器件的發(fā)光性能得到改善。通過(guò)優(yōu)化GO的摻雜量發(fā)現(xiàn),當(dāng)GO的摻雜量為0.8%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))時(shí),空穴注入層的透光率達(dá)到最大值(96.8%),器件性能也達(dá)到最佳。GO摻雜量為0.8%的器件的最大電流效率和最大功率效率分別達(dá)到3.72 cd·A-1和2.12 lm·W-1,與PEDOT∶PSS作為空穴注入層的器件相比,其最大電流效率和最大功率效率分別提高了67
5、.6%和35.7%。利用優(yōu)化后GO的最佳摻雜濃度,本文采用旋涂法工藝制備了小分子綠光、紅光和藍(lán)光磷光OLED,發(fā)光材料分別為Ir(ppy)3、Ir(piq)2acac和Firpic。與傳統(tǒng)器件相比,綠光、紅光和藍(lán)光磷光OLED的最大電流效率分別提高了60.3%、80.5%和46.7%,最大功率效率分別提高了89.7%、81.9%和46.4%,而且所有器件的發(fā)光光譜都沒(méi)有因?yàn)镚O的加入而發(fā)生變化。但是PEDOT∶PSS中強(qiáng)酸性的硫酸根對(duì)I
6、TO陽(yáng)極的腐蝕破壞仍然存在,造成器件穩(wěn)定性差,亮度衰減快。
(3)基于以上問(wèn)題,本文利用GO/PEDOT∶PSS雙空穴注入層設(shè)計(jì)了器件ITO/GO(x nm)/PEDOT∶PS S/NPB/Alq3/LiF/Al,探究GO/PEDOT∶PSS雙空穴注入層對(duì)器件發(fā)光性能及穩(wěn)定性的影響。我們發(fā)現(xiàn)加入GO夾層的雙空穴注入層明顯提高了器件的空穴注入能力,降低了器件的驅(qū)動(dòng)電壓,從而改善了器件的發(fā)光性能,尤其是功率效率的提升更為明顯,另外
7、,還發(fā)現(xiàn)加入GO后的雙空穴注入層器件的穩(wěn)定性明顯提高,這歸功于GO的加入阻止了強(qiáng)酸性的PEDOT∶PSS對(duì)ITO陽(yáng)極的破壞。通過(guò)調(diào)節(jié)GO薄膜的厚度,我們發(fā)現(xiàn),當(dāng)GO的厚度為2.8 nm時(shí),該熒光器件的最大亮度、最大電流效率和最大功率效率達(dá)到最優(yōu),分別為29012 cd·m-2、4.9 cd·A-1和3.1 lm·W-1,與傳統(tǒng)器件相比,分別提高了31.8%、59.1%和128%。本文還使用GO/PEDOT∶PSS雙空穴注入層,采用旋涂法
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