基于重復寫入特性的大容量閃存頁讀寫優(yōu)化.pdf

1、隨著閃存制造工藝的進步，NAND型閃存芯片的存儲密度越來越高，由其構成的固態(tài)硬盤（SSD）的容量越來越大。作為閃存讀寫的基本單位，閃存頁的容量也逐漸增加。一方面，由于閃存制造工藝的影響，閃存芯片存儲密度增大的同時，芯片的使用壽命降低，讀寫時延增加。另一方面，隨著文件系統(tǒng)塊與閃存頁容量不匹配的問題逐漸凸顯，大容量閃存頁的使用造成了數(shù)據(jù)傳輸時間和閃存存儲空間的浪費。
　　現(xiàn)有的閃存轉換層（FTL）以閃存頁和閃存塊為粒度對固態(tài)硬盤的存儲

2、空間進行管理，不能很好地解決大容量閃存頁的性能問題。通過利用閃存的重復寫入特性，可以在不進行擦除操作的情況下，多次對同一個閃存頁進行寫入。基于這個特性，設計了一種映射粒度自適應的閃存轉換層（Mapping Granularity Adaptive FTL），采用比閃存頁更小的粒度對閃存存儲空間進行管理，可以對閃存頁中的部分空間進行分配和地址映射，并且支持對同一個閃存頁進行多次小粒度的更新操作，從而提高了大容量閃存頁的利用效率。此外，設計