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文檔簡介
1、隨著電子設備的大量使用以及雷達通訊和探測技術(shù)的快速發(fā)展,電磁環(huán)境污染對信息安全、電磁干擾和人體健康危害日益嚴重,電磁波吸收材料在民用和軍事領(lǐng)域有著重要而廣泛的應用。當前微波吸波材料的發(fā)展趨勢是“薄,輕,寬,強”,這要求吸波材料在高頻下仍保持高的磁導率和自然共振頻率,以及適中的介電常數(shù)。傳統(tǒng)磁性材料由于受到Snoek極限限制,因其較小的磁晶各向異性能和飽和磁化強度,已無法全面滿足吸波材料研發(fā)和應用需求。
本文中以具有平面磁晶各向
2、異性和較大飽和磁化強度的Ce2Fe17N3-δ稀土金屬間化合物為研究對象,采用先氮化再球磨的方法優(yōu)化了制粉實驗條件,成功地制備出Ce2Fe17N3-δ微粉;研究了磁粉濃度、磁場取向?qū)e2Fe17N3-δ/硅膠復合材料高頻磁性和微波吸收性能的影響;運用四分之一波長(λ/4)界面反射模型闡明了復合材料高頻磁性和微波吸收性能的演變規(guī)律和形成機理,主要結(jié)論如下:
首先,利用快淬制帶結(jié)合球磨和氮化工藝,成功制備出磁粉粒徑分布為3~5μ
3、m的Ce2Fe17N3-δ微粉。研究了快淬制帶工藝參數(shù)對成相均勻性影響,粗破碎后在氮化壓力為0.8MPa條件下在470℃氮化1h,獲得了磁粉飽和磁化強度為149emu/g、矯頑力為60Oe和氮原子個數(shù)為3±0.14的Ce2Fe17N3-δ微粉。
其次,系統(tǒng)研究了磁粉體積濃度(Vc)對Ce2Fe17N3-δ/硅膠復合材料高頻磁性及微波吸收性能的影響。研究發(fā)現(xiàn):當Vc<30%時復合材料電磁參數(shù)隨Vc近似呈線性增大;Vc>30%時復
4、合材料介電常數(shù)實部、虛部均快速增大。當Vc=25%時,Ce2Fe17N3-δ/硅膠復合材料在X波段展現(xiàn)出優(yōu)異的微波吸收性能:在f=9.97GHz、t=1.72mm時最佳反射損耗值達到-60.5dB,RL<-10dB的頻寬為5.24GHz,覆蓋了整個X波段,表明易面稀土Ce2Fe17N3-δ復合材料適用于高頻的微波吸收。復合材料反射損耗吸收峰峰值頻率以及對應厚度滿足λ/4界面反射模型,且吸波體前、后界面的反射電磁波在前界面處的干涉損耗是微
5、波吸收的主要原因。
最后,研究了取向?qū)e2Fe17N3-δ/硅膠復合材料高頻磁性及微波吸收性能的影響規(guī)律。采用磁場面取向方式,在磁場強度為1.7T獲得取向度為81%的復合材料,取向后磁導率增大1.2~1.4倍。磁場取向有利于改善低濃度復合樣品阻抗匹配條件,取向后Vc=15%和20%Ce2Fe17N3-δ/硅膠復合材料在X波段均能滿足RL<-10dB,說明磁場取向是優(yōu)化易面稀土復合材料微波吸收性能的有效方法。
總之,
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